**对比文件名称**：2003-02-05_KR100363279B_发明授权_KR100363279B1 반사모드초음파터치감응형스위치
**目标专利名称**：204具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用模型名称**：深度分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A**：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 <br> **《直接公开》** | [31] “제2 압전소자는 수신기로서 작용하며, 제2 압전소자로부터의 출력은 터치영역이 접촉되었는지 여부를 판별하는데 사용된다.” （第二压电元件作为接收器工作，第二压电元件的输出用于判断触摸区域是否被接触。）<br>[60] “압전소자(130)는 … 초음파 수신기로 작용한다.” （压电元件130…作为超声波接收器工作。） | 对比文件明确公开了将压电元件用作“수신기”（接收器），其功能是检测从基板表面反射回来的超声波能量，以判断触摸事件（参见[28]、[31]、[37]）。这与目标专利中超声波接收器用于检测在其表面接收到的反射超声波能量的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了超声波接收器这一技术特征。 |
| **特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件描述的超声波接收器由压电聚合物薄膜和电极构成（参见[34]、[60]），其基板（如玻璃）上并未安置任何像素电路阵列，更没有目标专利中所述的包含TFT元件的可寻址像素电路阵列。对比文件第12图提到的矩阵阵列是由交叉的电极条带形成的开关区域（[64]-[67]），并非由独立的像素电路构成。因此，该特征未被公开。 |
| **特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件虽然提到了使用PVDF或PVDF-TrFE等压电聚合物薄膜（[30], [34]），但完全没有描述该薄膜的制造方法，特别是没有提及通过将含有聚合物的溶液涂布到任何结构（尤其是像素电路阵列）上来形成该层。因此，该特征未被公开。 |
| **特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件全文未提及“像素电路”、“薄膜晶体管（TFT）”或“像素输入电极”。其传感机制基于压电元件的整体阻抗或输出电压变化，而非通过TFT阵列进行像素化信号读取。因此，该特征未被公开。 |
| **特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件仅指出使用了压电聚合物薄膜（如PVDF-TrFE），但未提及该聚合物层的结晶状态，更未描述通过特定工艺（如焙烤）使聚合物结晶以形成结晶聚合物层的过程。因此，该特征未被公开。 |
| **特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件未描述对压电聚合物层进行“成极（极化）”的工艺步骤。虽然其使用的PVDF-TrFE薄膜本身应具有压电性，但文件未揭示通过施加电场使其极化的制造过程。此外，由于对比文件不存在“像素输入电极”，因此也不可能公开压电层与之电接触。该特征未被公开。 |
| **特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件中的压电元件具有电极（如电极12, 14, 132等），但这些电极用于施加驱动电压或拾取输出信号（[34], [60], [65]），其作用与目标专利中专门用于控制信号传递至下方TFT元件的“接收器偏置电极”不同。且对比文件无TFT元件，故该特征未被公开。 |
| **特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 <br> **未被公开** | 无 | 由于对比文件未公开“像素输入电极”，因此自然也未公开其由导电薄膜（如ITO）形成的具体构成。该特征未被公开。 |
| **特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件未涉及任何涂布工艺，更未提及在涂布前使用“助粘剂”。该特征未被公开。 |
| **特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件未描述聚合物的涂布方法，因此未公开任何具体的涂布工艺，如旋涂等。该特征未被公开。 |
| **特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。 <br> **《直接公开》** | [30] “압전소자는 압전 중합체 필름을 구비한다.” （压电元件具备压电聚合物薄膜。）<br>[34] “압전소자(10)는 … 폴리비닐리딘 플로라이드 (PVDF) 또는 폴리비닐리딘 플로라이드-트리플로로에틸렌 (PVDF-TrFE)과 같은 압전 중합체재질이 필름 형태로 되어있는 것이 바람직하며” （压电元件10优选由聚偏二氟乙烯(PVDF)或聚偏二氟乙烯-三氟乙烯(PVDF-TrFE)等压电聚合物材料以薄膜形式构成。） | 对比文件明确公开了压电元件由PVDF或PVDF-TrFE聚合物薄膜构成。PVDF及其共聚物是本领域公知的铁电聚合物。这与目标专利中聚合物包含铁电聚合物（如PVDF-TrFE）的技术特征相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点等特性参数，也未描述通过焙烤使聚合物结晶的具体工艺条件。该特征未被公开。 |
| **特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件未描述成极工艺，也未提及在制造过程中施加导电材料将任何电路的端子短路到接地。该特征未被公开。 |
| **特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件未提及导电橡胶或导电墨水。该特征未被公开。 |
| **特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件未描述接收器偏置电极的具体层状结构，更未公开其包含铜子层和镍子层。该特征未被公开。 |
| **特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 <br> **未被公开** | 无 | 对比文件未公开任何关于电极厚度的具体数值。该特征未被公开。 |
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