**对比文件名称**：2009-02-19_US2009047445A_发明申请_US20090047445A1 Method Of Making A Piezoelectric Device
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器 CN105264545B
**本次调用模型名称**：DeepSeek最新版本模型
根据目标专利说明书及权利要求，现对对比文件进行特征比对分析如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：《未公开》<br>超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 | [0023] ... the device may be used ... in a fingerprint scanner. | 对比文件[0023]段提到制造的压电装置可用于指纹扫描仪，这暗示了其可作为传感器使用。然而，该段落仅是一种潜在应用场景的列举，并未具体、明确地描述一个专用于检测超声波能量的“接收器”结构或功能单元。目标专利中的“超声波接收器”是一个具体的、用于接收反射超声波并转换成电信号的设备，其结构与功能（如与像素阵列集成）是明确的。对比文件并未直接或隐含地公开这样一个具有特定结构和功能的“超声波接收器”。 |
| **技术特征B**：《未公开》<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 | [0013] ... a substrate 13, a first electrode 16, a piezoelectric material 19 and a second electrode 22. | 对比文件描述了在基板(substrate)上形成第一电极、压电材料和第二电极的通用压电装置结构。其中完全没有提及任何“像素电路的阵列”。目标专利中的“像素电路阵列”是超声波成像传感器（如指纹传感器）的核心部件，每个像素电路用于独立读取信号。该特征在对比文件中未被公开。 |
| **技术特征C**：《未公开》<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 | [0015] To the first electrode 16 may be applied 103 a layer of coating material, which may be formed 100 from a carrier material, such as a liquid, and a piezoelectric-precursor material. | 对比文件公开了将含有压电前驱体（如聚合物）的涂层材料涂布（apply）到第一电极上。然而，涂布的对象是“第一电极”，而非目标专利中特定的“像素电路的阵列的第一侧”。目标专利的涂布操作是针对已集成了TFT等复杂电路的像素阵列进行的，这涉及到工艺兼容性。对比文件未公开将溶液涂布到此类电路阵列上。 |
| **技术特征D**：《未公开》<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 | 未发现相关内容。 | 对比文件通篇未提及“薄膜晶体管(TFT)”、“像素电路”或“像素输入电极”。目标专利的权利要求明确限定了每个像素电路包含TFT元件和像素输入电极，这是构成有源矩阵传感器阵列的关键特征。对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征E**：《直接公开》<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 | [0020] Once the electrodes 16, 22 and precursor material are in place, they may be heated to a temperature above the Curie temperature of the precursor material, but below the melting point of the precursor material, to allow for crystal growth. ... given approximately three hours at 135 C., PVDF-TrFE will form crystals ... | 对比文件[0020]段明确公开了将前驱体材料（例如PVDF-TrFE共聚物）加热到其居里温度以上、熔点以下的温度，以形成晶体（crystals）。该过程即为使聚合物结晶以形成结晶聚合物层。技术特征E被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：《直接公开》<br>执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 | [0020] ... the crystals may be similarly oriented by applying 115 a voltage across the precursor material. Such “poling” of the crystals ... | 对比文件[0020]段明确公开了通过在前驱体材料两端施加电压（applying a voltage）来使晶体取向（orient），即进行“极化（poling）”工艺，以形成压电材料。虽然对比文件中施加电压是通过两个电极进行的，而目标专利中压电层需与“像素输入电极”电接触，但“施加电场以形成压电层”这一核心工艺步骤已被直接公开。关于“与像素输入电极电接触”，由于对比文件未公开“像素输入电极”（特征D），因此该接触关系未被公开，但“成极工艺”本身已被公开。 |
| **技术特征G**：《未公开》<br>以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | [0013] ... a second electrode 22. ... The second electrode 22 may be applied ... | 对比文件公开了在压电材料上形成第二电极（second electrode）。然而，目标专利中的“接收器偏置电极”具有特定的功能：“经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”。这体现了其在有源矩阵超声波接收器中的特定作用——作为偏置电极控制信号流向TFT。对比文件的第二电极仅作为施加电场或引出信号的通用电极，其功能未被限定为控制信号传递至TFT（因为对比文件本身无TFT）。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：《隐含公开》<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | [0014] ... by spraying a conductive material, such as silver, nickel, graphite, carbon or gold, onto a portion of the substrate 13. ... Screening methods ... may also be used to apply the first electrode 16 to the substrate 13. ... a pen, which dispenses the conductive material ... | 对比文件描述了通过喷涂、丝网印刷、笔涂等方式将导电材料施加到基板上以形成第一电极。这些方法通常形成的是导电薄膜层。虽然对比文件未明确使用“薄膜”一词，但本领域技术人员根据其描述的喷涂、印刷等工艺能够毫无疑义地理解，所形成的第一电极是附着在基板上的导电薄膜。因此，技术特征H被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I**：《未公开》<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | [0017] ... an adhesion promoting agent, such as acrylic resin, phenolic resin or other agents, may be added to the coating material in order to promote adhesion to one or both of the electrodes 16, 22. | 对比文件[0017]段提到，可以在涂层材料中添加促进粘附的试剂（如丙烯酸树脂、酚醛树脂）以促进与电极的粘附。这公开了在涂布材料中使用助粘剂成分。然而，目标专利特征I限定了“将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上”，这是一个独立的、可能在涂布聚合物溶液之前进行的步骤（参见说明书[0009]，[0055]-[0058]及图6）。对比文件仅公开了将助粘剂作为添加剂混合在涂层材料中，并未公开将其作为独立的层预先涂布到基板（更不用说像素电路阵列）上。两者技术手段不同。 |
| **技术特征J**：《未公开》<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | [0015] The coating material may be applied 103 using an ink-jet printer, pen, or silk-screening devices. | 对比文件公开了使用喷墨打印机（ink-jet printer）、笔（pen）或丝网印刷（silk-screening）来施加涂层材料。这些方法分别对应于目标专利中的“喷射”、“施配”（笔可视为一种施配工具）和一种印刷方式。然而，目标专利明确列举的“旋涂”、“槽缝式涂布”、“浸渍”并未在对比文件中被提及。虽然“喷射”与“喷墨打印”可视为等同，但作为一个整体技术特征，对比文件未公开全部列举的涂布方式，特别是旋涂这一常见方式。因此，该特征未被完全公开。 |
| **技术特征K**：《直接公开》<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | [0015] The piezoelectric-precursor material, may be a polymer material such as PVDF (polyvinylidene fluoride), a co-polymer material such as PVDF-TrFE (polyvinylidene fluoride trifluoroethylene) ... | 对比文件[0015]段明确列举了PVDF和PVDF-TrFE作为前驱体材料。PVDF及其共聚物是公知的铁电聚合物。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：《直接公开》<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | [0020] ... they may be heated to a temperature above the Curie temperature of the precursor material, but below the melting point of the precursor material, to allow for crystal growth. For example, ... given approximately three hours at 135 C., PVDF-TrFE will form crystals ... We have learned that at 115 C., 12 hours may be needed to form the crystals, and at 125 C., six hours may be needed ... | 对比文件[0020]段明确公开了将前驱体材料（如PVDF-TrFE）加热到其居里温度以上、熔点以下的温度以形成晶体，并给出了在135°C下约3小时、115°C下12小时、125°C下6小时的具体实施例。这些实施例均满足“在居里温度与熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时”的条件。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M**：《未公开》<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 未发现相关内容。 | 目标专利此特征涉及在极化前对敏感的像素电路（包含TFT）采取保护措施，防止高压损坏（参见说明书[0012]，[0080]-[0082]及图8）。对比文件的成极工艺未提及任何针对电路端子的短路保护措施。该特征在对比文件中未被公开。 |
| **技术特征N**：《未公开》<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 未发现相关内容。 | 对比文件未提及在成极前使用“导电橡胶”或“导电墨水”进行短路保护。特征M未被公开，其进一步限定的具体材料特征N自然也未被公开。 |
| **技术特征O**：《未公开》<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | [0021] ... the second electrode 22 may be formed by ink-jet printer, pen or screen. ... the conductive material may be silver, nickel, graphite, carbon or gold ... | 对比文件提到第二电极可以由银、镍、石墨、碳或金等导电材料形成，但并未限定其具有多层结构，更没有公开由“第一铜子层和第二镍子层”构成的特定叠层结构。技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：《未公开》<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 未发现相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何关于电极厚度的具体数值，特别是150埃和850埃这样的具体厚度。技术特征P未被公开。 |
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