对比文件的名称：2004-01-01_US2004000971A_发明申请_US20040000971A1 High efficiency stepped impedance filter
目标专利的名称：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
本次调用的模型名称：本AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括两个端部分(L1，L5) <br> **《直接公开》** | [0021] “Stepped impedance filters typically have an input port, an output port” <br> [0027] “The exemplary stepped impedance filter 120 comprises multiple transmission line sections 110, 112 and 114 and input/output ports” | 对比文件明确公开了阶梯阻抗滤波器具有输入端口和输出端口。在滤波器结构中，端口作为信号路径的始端和终端，其功能与目标专利中用于连接外部电路并构成滤波器端接的端部分完全相同。端口即为端部分的等同结构，故该特征被直接公开。 |
| **技术特征B：** 高阻抗部分(L2，L3，L4) <br> **《直接公开》** | [0004] “A stepped impedance filter utilizes alternating high impedance and low impedance transmission line sections” <br> [0027] “High impedance transmission line sections 110 are coupled to the first region 102” | 对比文件明确公开了阶梯阻抗滤波器中的高阻抗传输线段。该高阻抗线段在等效电路中等效为串联电感，用于构成低通滤波特性，其作用与目标专利中构成阶梯阻抗结构的高阻抗部分完全相同。高阻抗部分即为高阻抗传输线段在通孔过渡中的等同表述，故该特征被直接公开。 |
| **技术特征C：** 低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) <br> **《直接公开》** | [0004] “alternating high impedance and low impedance transmission line sections” <br> [0027] “lower impedance transmission line sections 112 are coupled to the second regions 104” | 对比文件明确公开了阶梯阻抗滤波器中的低阻抗传输线段。该低阻抗线段在等效电路中等效为并联电容，其作用与目标专利中的低阻抗部分相同，故该特征被直接公开。 |
| **技术特征D：** 其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间 <br> **《直接公开》** | [0004] “alternating high impedance and low impedance transmission line sections” <br> [0021] “multiple alternating high impedance and low impedance transmission line sections” | 对比文件明确公开了高阻抗部分和低阻抗部分交替布置的技术方案，并且该交替结构的两端即为输入端和输出端，与目标专利中交替结构布置在两个端部分之间的方式一致，故该特征被直接公开。 |
| **技术特征E：** 所述通孔过渡形成在基底中 <br> **《直接公开》** | [0005] “buried microstrip... the stepped impedance filter is covered with a dielectric substrate material... stripline... the stepped impedance filter is sandwiched within substrate” | 对比文件明确公开了阶梯阻抗滤波器形成在基底中的多种实施方式，例如埋置微带结构（Buried Microstrip）和带状线结构（Stripline），这与目标专利的通孔过渡形成于基底中的特征实质相同，故该特征被直接公开。 |
| **技术特征F：** 其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层 <br> **《未公开》** | [0042] “features such as vias, voids, holes, or cavities can be punched through one or more layers of tape” | 对比文件中阶梯阻抗滤波器的各个传输线段是形成于介电层表面的平面结构，并未公开其延伸穿过多个介电层。虽然对比文件公开了通孔可穿过介电层，但通孔是用于层间互连的独立元件，并非构成阶梯阻抗特性的部分。该技术特征未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征G：** 其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底 <br> **《直接公开》** | [0041] “DuPont Microcircuit Materials provides Green Tape material systems, such as 951 Low-Temperature Cofire Dielectric Tape” <br> [0005] “Microstrip... on a board surface... buried microstrip... stripline” | 对比文件明确公开了LTCC（低温共烧陶瓷）材料作为基底的具体实例。同时，对比文件中详细描述的微带线、带状线等结构通常应用于有机印刷电路板（PCB）基底。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H：** 其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4 <br> **《直接公开》** | [0024] “The embodiment illustrated in FIG. 1 is a seven-element low-pass filter design” | 对比文件公开了其为一款7元件阶梯阻抗低通滤波器。本领域技术人员公知，7元件阶梯阻抗低通滤波器的标准拓扑结构必然包含4个低阻抗部分。该数目关系是7元件滤波器的固有属性，故该特征被直接公开。 |
| **技术特征I：** 所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3 <br> **《直接公开》** | [0024] “seven-element low-pass filter design” | 基于7元件阶梯阻抗低通滤波器的固有拓扑结构，其必然包含3个高阻抗部分。该数目关系是7元件滤波器的固有属性，故该特征被直接公开。 |
| **技术特征J：** 其中每个部分的形状都为圆柱形 <br> **《未公开》** | [0027] “High impedance transmission line sections 110... lower impedance transmission line sections 112” | 对比文件中阶梯阻抗滤波器的高/低阻抗传输线段为平面带状结构，其横截面通常为矩形。对比文件未公开目标专利中所有部分横截面为圆柱形的结构特征。 |
| **技术特征K：** 所有部分都是同轴对齐的 <br> **《未公开》** | [0027] “alternating... transmission line sections” | 对比文件中的高/低阻抗传输线段为共线排列（沿平面直线），但未公开所有部分围绕同一轴线同轴对齐的三维立体结构特征。 |
| **技术特征L：** 其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小 <br> **《直接公开》** | [0022] “characteristic impedance... exclusively adjusted by controlling the line geometry and physical structure” <br> [0031] “length and width of the transmission line sections 110-114 can be reduced” | 在阶梯阻抗滤波器的设计中，实现高特性阻抗通常需要减小传输线的宽度（即横截面面积）。因此，高阻抗部分的宽度（横截面面积）必然小于标准阻抗的端部分（端口）。这是阶梯阻抗滤波器的基本设计原则，对比文件直接公开了通过调整几何结构控制阻抗的方式，该特征是其中固有的一环。 |
| **技术特征M：** 低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大 <br> **《直接公开》** | [0022] “characteristic impedance... determined by the physical geometry and spacing” | 同理，在阶梯阻抗滤波器的设计中，实现低特性阻抗需要增宽传输线。因此，低阻抗部分的宽度（横截面面积）必然大于标准阻抗的端部分（端口）。这是阶梯阻抗滤波器的基本设计原则，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N：** 其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线 <br> **《直接公开》** | [0021] “Stepped impedance filters typically have an input port, an output port” <br> [0027] “The exemplary stepped impedance filter 120 comprises multiple transmission line sections 110, 112 and 114 and input/output ports” | 对比文件中的输入端口和输出端口分别构成了与前端和后端传输线（即滤波器外部的信号线）的直接连接点，该特征与目标专利中端部分直接耦接传输线的特征一致，故被直接公开。 |
| **技术特征O：** 其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成 <br> **《隐含公开》** | [0061] “metal... conductor traces can be provided using thin film techniques, thick film techniques, electroplating” <br> [0043] “vias can then be filled with metal” | 对比文件未明确指定通孔和传输线由金或银制成。然而，金和银是射频/微波电路中实现低损耗、高导电率的常用标准金属材料。本领域技术人员在制作高性能阶梯阻抗滤波器时，基于性能最优化的合理推理，通常会采用金或银，故该特征被隐含公开。 |
| **技术特征P：** 其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成 <br> **《未公开》** | [0041] “Ferro Electronic Materials ULF28-30 Ultra Low Fire COG dielectric formulation” | 对比文件虽提及了Ferro公司的材料，但具体型号为ULF28-30，而非目标专利限定的Ferro A6S。该具体型号特征未被公开。 |
| **技术特征Q：** 所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 <br> **《未公开》** | [0041] “Ferro Electronic Materials ULF28-30... dielectric formulation” | 对比文件中未公开介电常数为5.9且损耗因数为0.002的Ferro A6S材料的该具体电学参数特性。 |
| **技术特征R：** 其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um <br> **《未公开》** | [0063] “laminated... fired... The plurality of ceramic tape layers and stacked sub-stacks of substrates can then be fired” | 对比文件虽公开了LTCC的层压和共烧工艺，但未公开每一层介电层的火后厚度为100um。该具体工艺参数未被公开。 |
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