对比文件名称：1990-05-29_US4929965A_发明授权_US4929965A Optical writing head
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：资深专利代理师AI模型（深度思考模式）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A**：所述载体能够使得光学元件(45)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 对比文件第一实施例：“光学写头包括透明基板11，LED芯片13通过焊料凸块12b连接到导体图案12，使得其发光部分13a面向基板11。光纤束16的端部16a靠近LED芯片13的发光部分13a设置。” | 对比文件公开了基板（载体）上光纤束（光学元件）相对于LED芯片（光学半导体元件）的准确定位关系，虽然未明确提及“使得光学元件准确定位”的表述，但本领域技术人员能合理推断该结构实现了准确定位功能，因此隐含公开。 |
| **特征B**：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 同特征A，对比文件第一实施例描述的光纤束或第二实施例的透镜，均实现光学元件相对于LED芯片的准确定位。 | 特征B中的光学元件（61）为漫射器，对比文件以光纤束或透镜作为光学元件，功能相同，该定位结构隐含公开了“光学元件相对于光学半导体元件准确定位”，故隐含公开。 |
| **特征C**：提供(201)导电多层载体基片(10)<br>**未公开** | 无。对比文件中的基板11为透明玻璃或类似绝缘材料，并非导电多层载体基片；实施例3中的FPC为柔性多层电路，但并非导电多层金属基片。 | 对比文件未公开任何导电多层载体基片结构，本领域技术人员无法直接或隐含地得到该特征。 |
| **特征D**：所述导电多层载体基片具有上部载体层、下部载体层以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层<br>**未公开** | 无。对比文件无此多层金属层结构。 | 对比文件未公开。 |
| **特征E**：在所述上部载体层和所述中间载体层中形成上部导体结构<br>**未公开** | 无。对比文件的导体图案形成在基板表面或FPC的聚酰亚胺层上，而非在多层金属层中。 | 对比文件未公开。 |
| **特征F**：在所述载体基片的上部载体层侧提供图案化的绝缘间隔层<br>**未公开** | 无。对比文件中的绝缘层（如聚酰亚胺）是FPC的组成部分，并非独立的图案化绝缘间隔层，且未形成腔。 | 对比文件未公开。 |
| **特征G**：所述绝缘间隔层被图案化从而形成至少一个腔<br>**未公开** | 无。对比文件中没有腔结构。 | 对比文件未公开。 |
| **特征H**：在该腔中所述光学半导体元件能够连接到所述上部导体结构<br>**未公开** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **特征I**：当所述光学半导体元件被连接到所述载体时，所述腔的深度大于所述光学半导体元件的高度<br>**未公开** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **特征J**：所述腔形成为限定所述光学元件相对于所述光学半导体元件的位置<br>**未公开** | 无。对比文件通过其他方式（如光纤束埋入基板）限定位置，但未采用腔结构。 | 对比文件未公开。 |
| **特征K**：所述中间载体层是由与所述上部载体层和所述下部载体层不同的金属制成的<br>**未公开** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **特征L**：所述金属被选择为使得所述中间载体层能够被蚀刻剂蚀刻<br>**未公开** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **特征M**：所述蚀刻剂使所述上部载体层和所述下部载体层基本保持原样<br>**未公开** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **特征N**：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固<br>**未公开** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **特征O**：还包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 对比文件第三实施例：“首先，在两层聚酰亚胺薄膜上形成用于两层FPC 42的导体图案42a和42b...然后，将两层聚酰亚胺薄膜叠置在一起，然后将绝缘层52的聚酰亚胺薄膜放置在两层重叠的聚酰亚胺薄膜上，之后导体图案42a和42b通过大电流脉冲焊接或焊接电连接在一起...最后，将光纤板41粘附到FPC 42上。” | 对比文件明确描述了制造方法包含多个步骤，本领域技术人员能合理理解该方法包括“还包括以下步骤”的隐含内容，故隐含公开。 |
| **特征P**：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层<br>**未公开** | 无。对比文件没有中间绝缘层结构。 | 对比文件未公开。 |
| **特征Q**：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构与设置在所述光学半导体元件上的连接器凸块之间的电连接<br>**未公开** | 无。对比文件中的LED芯片通过焊料凸块直接连接到导体，无中间绝缘层。 | 对比文件未公开。 |
| **特征R**：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接<br>**未公开** | 无实质内容。 | 特征R为特征Q的片段，未单独公开。 |
| **特征S**：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22)<br>**未公开** | 无。对比文件无中间膜。 | 对比文件未公开。 |
| **特征T**：43)。<br>**未公开** | 无实质内容。 | 特征T仅引用标记，无技术内容，未公开。 |
| **特征U**：还包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 同特征O，对比文件第三实施例描述了多个步骤。 | 隐含公开，理由同特征O。 |
| **特征V**：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线<br>**未公开** | 无。对比文件的导体图案（如FPC上的导体）并非形成在多层载体的下部层。 | 对比文件未公开。 |
| **特征W**：所述引线彼此电隔离<br>**未公开** | 无。 | 特征W依赖于V，V未公开，故W未公开。 |
| **特征X**：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。<br>**《直接公开》** | 第一实施例：“LED芯片13通过焊料凸块12b连接到导体图案12”。（导体图案包括焊盘，本领域技术人员已知） | 对比文件直接公开了通过凸块连接光学半导体元件到上部导体结构，且凸块与焊盘对应，故直接公开。 |
| **特征Y**：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。<br>**《直接公开》** | 同特征X。 | 直接公开，理由同特征X。 |
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