**对比文件名称**：2003-10-09_US2003189829A_发明申请_US20030189829A1 LED illumination apparatus and card-type LED illumination source
**目标专利名称**：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：所述载体能够使得光学元件(45)（直接公开） | [0037]“光学反射器具有孔以围绕LED裸片…，LED裸片被封装。” [0038]“光学透镜安装在光学反射器的孔中。” | 对比文件公开了透镜安装在反射器的孔中，孔的位置相对于LED是确定的，从而实现了光学元件相对于光学半导体元件的准确定位，因此载体具备该能力。 |
| 特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤（直接公开） | 同上 | 同上，对比文件公开了载体（散热基板）通过反射器孔使透镜与LED准确定位，因此特征B被直接公开。 |
| 特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)（未公开） | [0023]“在优选实施例中，基板是金属基板。绝缘层和导电线路图案设置在金属基板的表面上。” | 对比文件公开的基板是金属基板，但未公开导电多层载体基片（如Cu-Ni-Cu多层结构），仅单层金属板。 |
| 特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)（未公开） | 无 | 对比文件没有公开任何多层金属层结构，只有单层金属板作为基板。 |
| 特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)（未公开） | [0127]“在散热基板1上，提供导电线路1a并通过绝缘层1c与金属板1b电隔离。” | 对比文件公开了在绝缘层上形成导电线路，但不是在金属层中蚀刻形成，且没有上部载体层和中间载体层的概念。 |
| 特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)（未公开） | [0120]“光学反射器3包括与LED裸片数量相同的开口（或孔）。” | 对比文件公开了金属反射器，其孔作为腔，但反射器是金属的，不是绝缘间隔层，也没有公开图案化的绝缘层。 |
| 特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)（未公开） | 同上 | 对比文件的腔由金属反射器形成，不是绝缘间隔层，因此未公开。 |
| 特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)（隐含公开） | [0120]“光学反射器包括孔。” [0131]“p型半导体层的电极14a直接倒装芯片焊接到散热基板上的导电线路1a…n型半导体层的电极12a也通过凸块16连接到导电线路1a。” | 对比文件公开了LED裸片在反射器孔中连接到导电线路，虽然腔由金属反射器形成，但功能与目标专利相同，本领域技术人员可以合理推断在腔中连接元件。 |
| 特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度（隐含公开） | 无明确记载，但[0120]反射器具有一定厚度，且孔通常填充树脂透镜。 | 对比文件中反射器孔的深度通常大于LED裸片的高度，以便容纳透镜和密封剂，本领域技术人员可以合理推断出该特征。 |
| 特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置（直接公开） | [0038]“光学透镜安装在光学反射器的孔中。” | 对比文件直接公开了孔（腔）限定透镜相对于LED的位置，因此特征J被直接公开。 |
| 特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的（未公开） | 无 | 对比文件没有中间载体层，更未公开不同金属。 |
| 特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻（未公开） | 无 | 对比文件没有涉及选择性蚀刻。 |
| 特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样（未公开） | 无 | 对比文件没有相关蚀刻选择性的描述。 |
| 特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固（未公开） | 无 | 对比文件没有钻蚀形成凹槽的结构。 |
| 特征O：还包括以下步骤（未公开） | 无实质内容 | 对比文件没有公开方法步骤的过渡语句。 |
| 特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层（未公开） | 无 | 对比文件没有在金属层与图案化绝缘层之间设置中间绝缘层。 |
| 特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22（未公开） | 无 | 对比文件没有公开通过加热加压实现连接的中间绝缘层。 |
| 特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接（未公开） | 无 | 对比文件有凸块连接，但未涉及通过中间绝缘层实现。 |
| 特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22（未公开） | 无 | 对比文件没有公开凸块面向中间膜。 |
| 特征T：43)（未公开） | 无 | 无实质内容。 |
| 特征U：还包括以下步骤（未公开） | 无实质内容 | 对比文件没有公开方法步骤的过渡语句。 |
| 特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线（未公开） | [0036]“馈电端子设置在金属基板表面上，LED裸片安装在该表面上。” | 对比文件公开了馈电端子，但不是在金属层中形成，且没有下部载体层。 |
| 特征W：所述引线彼此电隔离（未公开） | 同上 | 馈电端子可能隔离，但未公开在金属层中形成引线并隔离。 |
| 特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | [0131]“p型半导体层的电极14a直接倒装芯片焊接到散热基板上的导电线路1a…n型半导体层的电极12a也通过凸块16连接到导电线路1a。” | 对比文件直接公开了通过凸块（或焊料）连接到焊盘（导电线路）的连接方式。 |
| 特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | 同上 | 同上，直接公开了凸块与焊盘的连接。 |
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