对比文件名称：2003-04-02_GB2380329A_发明专利_GB2380329A Layered etched metal light reflector
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：所述载体能够使得光学元件(45) （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件涉及光反射器，未公开载体能够使得光学元件准确定位的功能，其载体结构未提供用于定位光学元件的腔或间隔层。 |
| 特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开光学元件相对于光学半导体元件准确定位的步骤，其方法主要涉及形成反射区域，未涉及通过载体结构定位光学元件。 |
| 特征C：提供(201)导电多层载体基片(10) （直接公开） | “提供层状金属衬底10，优选由至少三层形成。铝层12优选位于第一铜层14和第二铜层16之间。”（DETAILED DESCRIPTION部分） | 对比文件直接公开了提供导电多层载体基片，与目标专利的基片实质相同。 |
| 特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12) （直接公开） | 同上，“第一铜层14、第二铜层16、铝层12”。 | 对比文件直接公开了三层结构：第一铜层对应上部载体层，第二铜层对应下部载体层，铝层对应中间载体层。 |
| 特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22) （不公开） | 对比文件描述蚀刻第一铜层以暴露铝层，形成反射区域，但未在铝层中形成导体结构。 | 对比文件仅在上部铜层中形成导体结构，中间铝层作为反射表面未被图案化形成导体结构，因此未公开在两层中形成上部导体结构。 |
| 特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26) （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未提供图案化的绝缘间隔层，其使用支撑衬底18位于下部铜层侧，而非上部载体层侧。 |
| 特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27) （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件没有绝缘间隔层，也没有形成腔。 |
| 特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22) （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件没有腔，LED通过支撑件或通孔安装，不是在腔中连接到上部导体结构。 |
| 特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件没有腔，无深度比较。 |
| 特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件没有腔，透镜38通过其他方式安装，不由腔限定位置。 |
| 特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的 （直接公开） | 同特征C、D，铝层12与铜层14、16不同。 | 对比文件直接公开中间层与上下层金属不同。 |
| 特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻 （直接公开） | “应用第二、铝特定蚀刻工艺以去除铝层12未被掩模材料或剩余铜覆盖的区域。”（DETAILED DESCRIPTION部分） | 对比文件直接公开中间层可被蚀刻剂蚀刻。 |
| 特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样 （直接公开） | 铝蚀刻剂不蚀刻铜，铜层保留。 | 对比文件直接公开蚀刻剂选择性，使铜层基本保持原样。 |
| 特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未描述钻蚀形成凹槽，也未提及密封剂。 |
| 特征O：还包括以下步骤 （不公开） | 无具体公开内容 | 过渡特征，无具体技术内容。 |
| 特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件无绝缘间隔层，也无中间绝缘层。 |
| 特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件无中间绝缘层及相关配置。 |
| 特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未使用凸块，LED通过支撑件连接。 |
| 特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件无凸块和中间膜。 |
| 特征T：43)。 （不公开） | 无相关公开内容 | 无实质技术内容。 |
| 特征U：还包括以下步骤 （不公开） | 无具体公开内容 | 过渡特征。 |
| 特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线 （隐含公开） | “第二铜层16也可以同时使用相同工艺蚀刻以在层状金属衬底10的两侧产生反射区域。”；“局部光源24通过固定到第二铜层16的支撑件34安装。” | 本领域技术人员可以合理推断，蚀刻第二铜层可形成导体图案，用于电连接LED到外部器件，因此隐含公开形成下部导体结构和引线。 |
| 特征W：所述引线彼此电隔离。 （隐含公开） | 同上，蚀刻形成分离的铜区域。 | 通过蚀刻，铜层被去除部分，留下的导体图案自然彼此电隔离，因此隐含公开。 |
| 特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 （不公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未使用凸块和焊盘连接，使用支撑件或通孔。 |
| 特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 （不公开） | 无相关公开内容 | 同特征X。 |
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