对比文件名称：2006-10-19_JP2006287124A_发明专利_JP2006287124A Cavity structure and method of cavity structure for optical device, and optical device
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45 61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位（隐含公开） | 参见对比文件[实施方式1]部分：“光学デバイス用キャビティ構造体1は、…透光性部材戴置部15aを備えている。”以及“透光性部材戴置部15aは、第3絶縁体層15の表面であり、…透光性部材124を固定させる固定手段Aを備えている。” | 对比文件公开了通过透光性部材戴置部（类似目标专利的腔）来固定光学元件（透光性部材），从而限定其相对于光学元件芯片（光学半导体元件）的位置，符合目标专利中“准确定位”的功能，因此隐含公开技术特征A。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤（隐含公开） | 参见对比文件[实施方式1]部分：“光学デバイス用キャビティ構造体1は、…光学素子チップ121が戴置されて配線基板に実装される。”以及“透光性部材戴置部15aは、…透光性部材124を固定させる。” | 对比文件公开了通过腔体结构（透光性部材戴置部）固定光学元件（透光性部材），从而限定其相对于光学元件芯片（光学半导体元件）的位置，并且对比文件整体描述了制造方法，因此隐含公开技术特征B。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)（隐含公开） | 参见对比文件[实施方式1]“母材基板10の形成工程”部分：“第1絶縁体層11の裏面に第1金属層12を形成し、第1絶縁体層11の表面に第2金属層14を形成する。”以及后续“第3金属層16”等形成过程。 | 对比文件公开了通过交替层叠金属层和绝缘体层形成母材基板，该基板包括多个金属层，整体上属于导电多层载体基片，因此隐含公开技术特征C。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)（未公开） | 对比文件公开了金属层（如第1金属层、第2金属层、第3金属层）与绝缘体层交替堆叠，未明确公开目标专利中“导电多层载体基片”存在三层金属层（上、中、下）且均为金属，中间层为金属，绝缘体层为间隔层，结构不同。 | 对比文件中的基片包括金属层与绝缘体层交替，非目标专利所述的上、中、下三层均为金属的导电载体基片，且未公开中间载体层为金属，因此未公开技术特征D。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)（直接公开） | 参见对比文件[实施方式1]“母材基板10の形成工程”部分：“第3金属層16の表面にエッチングマスクを形成する…図４（ｄ）に示すように、第3金属層16は、第2絶縁体層13の表面の周縁部と、周縁部から第2絶縁体層13の表面の中心部へ向かう複数の舌片状部16ａとに形成される。” | 对比文件公开了通过刻蚀在金属层（类似上部载体层和中间载体层）中形成图案化的导体结构（舌片状部作为第二端子部），与目标专利的上部导体结构形成方式实质相同，因此直接公开技术特征E。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)（直接公开） | 参见对比文件[实施方式1]“レーザ光照射工程”部分：“母材基板10の表面全体に、レーザ光を照射する…第3絶縁体層15の部分と第3金属層16で被覆されていない第2絶縁体層13の部分とが除去される。” | 对比文件公开了在基板上表面的绝缘体层（第3绝绿体层、第2绝缘体层）通过激光去除部分材料，形成图案化的绝缘间隔层，与目标专利通过提供并图案化绝缘间隔层形成腔体实质相同，因此直接公开技术特征F。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)（直接公开） | 参见对比文件[实施方式1]“レーザ光照射工程”部分：“第2及び第3絶縁体層の前記除去により、前記母材基板の前記表面の中央部分に略矩形の開口部を有するキャビティ部が形成される。” | 对比文件明确公开了通过去除部分绝缘体层形成具有开口部的腔（キャビティ部），与目标专利的腔形成方式一致，因此直接公开技术特征G。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | 参见对比文件[实施方式1]“光学デバイス１００の製造方法”部分：“光学素子チップ121の裏面に接着剤122を塗布して、…チップ戴置部114に光学素子チップ121を戴置する。”以及“導電性細線123，123，…を用いて、各々、光学素子チップ121の表面と第2端子部116，116，…とを電気的に接続する。” | 对比文件公开了光学元件芯片（光学半导体元件）被放置在腔的底部（チップ戴置部），并通过引线连接到第二端子部（上部导体结构），因此直接公开技术特征H。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度（隐含公开） | 参见对比文件[实施方式1]部分：“キャビティ部2の積層方向において、チップ戴置部114とチップ戴置部114に略平行な第2端子部上面との間の距離は、光学素子チップ121の厚み以下であることが好ましい。” | 对比文件建议腔的深度（从戴置部到第二端子部上面）应小于或等于芯片厚度，隐含了腔的深度可能大于芯片高度以容纳芯片，且本领域技术人员可以合理推断，为了容纳芯片及后续连接，腔深度通常大于芯片高度，因此隐含公开技术特征I。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45 61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置（直接公开） | 参见对比文件[实施方式1]部分：“透光性部材戴置部15aは、第3絶縁体層15の表面であり、…透光性部材124を固定させる固定手段Aを備えている。”以及“キャビティ部2の各内壁面は、…開口部2ａへ向かう方向に、…形成されている。” | 对比文件公开了腔的结构（包括透光性部材戴置部）用于固定光学元件（透光性部材），从而限定其相对于光学元件芯片的位置，与目标专利中腔限定光学元件位置的作用相同，因此直接公开技术特征J。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的（隐含公开） | 参见对比文件[实施方式1]部分：“金属層の材料は特に限定されない”以及图示中金属层与绝缘体层交替，但未明确金属层之间的材料差异。 | 对比文件未明确所有金属层均使用相同金属，本领域技术人员可以合理推断，为实现选择性蚀刻或其他功能，中间载体层可由不同金属制成，因此隐含公开技术特征K。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻（隐含公开） | 参见对比文件[实施方式1]“母材基板10の形成工程”部分：金属层通过蚀刻形成图案，例如“第2金属層14の表面をパターニングし、エッチングする”。 | 对比文件公开了金属层被蚀刻，但未明确蚀刻剂选择，本领域技术人员可以合理推断，为实现蚀刻，中间载体层金属应能被蚀刻剂蚀刻，因此隐含公开技术特征L。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样（未公开） | 对比文件未公开任何选择性蚀刻步骤，金属层蚀刻通常使用通用蚀刻剂，未提及对上下层保持原样。 | 对比文件没有公开或暗示蚀刻剂对上下层金属具有选择性，不能合理推断出蚀刻剂使上下部载体层基本保持原样，因此未公开技术特征M。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固（未公开） | 对比文件未公开钻蚀步骤或形成凹槽，也未提到密封剂锚固。 | 对比文件没有公开任何钻蚀、凹槽形成或密封剂锚固的相关内容，因此未公开技术特征N。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤（隐含公开） | 对比文件整体描述了完整的制造方法，包括多个步骤。 | 对比文件公开了制造光学器件用腔体结构的方法，包括多个步骤，隐含公开了“还包括以下步骤”这一特征（无具体技术内容，但存在方法步骤）。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层（未公开） | 对比文件未公开在上部载体层（金属层）与图案化绝缘间隔层（绝缘体层）之间额外提供中间绝缘层。 | 对比文件中的绝缘体层是堆叠结构的一部分，不是额外提供的中间绝缘层，且未公开该层具有特定功能，因此未公开技术特征P。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接（未公开） | 对比文件未公开中间绝缘层，也未公开通过加热加压实现凸块连接。 | 对比文件中的连接方式为引线接合，非倒装芯片凸块连接，且无相关中间绝缘层配置，因此未公开技术特征Q。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接（未公开） | 对比文件未公开连接器凸块及与焊盘的电连接。 | 对比文件未公开任何凸块连接结构，因此未公开技术特征R。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22)（未公开） | 对比文件未公开凸块，也未公开面向中间膜。 | 对比文件没有公开凸块或相关结构，因此未公开技术特征S。 |
| 技术特征T：43)（未公开） | 对比文件未公开与凸块对应的焊盘结构。 | 对比文件未公开凸块和焊盘对应关系，且未公开焊盘与凸块的具体连接，因此未公开技术特征T。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤（隐含公开） | 对比文件整体描述了完整的制造方法，包括多个步骤。 | 对比文件公开了制造方法，包括多个步骤，隐含公开了“还包括以下步骤”这一特征（无具体技术内容，但存在方法步骤）。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线（直接公开） | 参见对比文件[实施方式1]部分：“第1端子部112は、…実装面の周縁部に形成されている。”以及“第1端子部112と第2端子部116，116…とは、電気的に接続されている。” | 对比文件公开了在底面（实装面）形成第一端子部（下部导体结构），用于将光学半导体元件电连接到外部器件（配线基板），因此直接公开技术特征V。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离（隐含公开） | 参见对比文件[实施方式1]部分：“第1端子部112と第2端子部116，116…とは、電気的に接続されている。”以及通过蚀刻形成图案，金属层之间通过绝缘体层隔离。 | 对比文件公开了通过蚀刻形成图案化的导体结构，金属层之间有绝缘体层隔离，本领域技术人员可以合理推断出引线（第一端子部）彼此电隔离，因此隐含公开技术特征W。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（未公开） | 对比文件未公开凸块和焊盘连接，而是通过引线接合连接。 | 对比文件中的连接方式为引线接合，非倒装芯片凸块连接，因此未公开技术特征X。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（未公开） | 对比文件未公开凸块和焊盘连接。 | 对比文件未公开任何凸块连接结构，因此未公开技术特征Y。 |
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