对比文件名称：1998-11-24_None_发明专利_JPH10512372A Semiconductor radiation detector with improved charge collection capability
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：自定义模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，探测器(112) 《直接公开》 | 对比文件标题及发明详细说明第一段：“本発明はイオン化放射線を検知するための装置及び方法に関し、特に低エネルギーテーリング効果を低減するための電荷収集能を高めた半導体放射線検出器に関するものである。”（本发明涉及用于探测电离辐射的装置和方法，特别涉及具有提高的电荷收集能力以减少低能拖尾效应的半导体辐射探测器。） | 对比文件明确公开了“半导体辐射探测器”，即探测器，因此直接公开。 |
| 技术特征B：其被配置为探测电离辐射 《直接公开》 | 同上，对比文件明确为“イオン化放射線を検知する”（探测电离辐射）。 | 对比文件直接公开了探测器用于探测电离辐射，作用相同。 |
| 技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 《直接公开》 | 发明详细说明：“出力電荷信号が結晶１０２内で生じたエネルギーと全く等しくなる。”（输出电荷信号与晶体内产生的能量完全相等。） | 对比文件公开了探测器输出电荷信号以指示探测到的电离辐射，直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) 《直接公开》 | 发明详细说明：“半導体結晶１０２”（半导体晶体），以及“半導体結晶５０２は高い抵抗性…の平板又はウエハーである。”（半导体晶体是平板或晶圆。） | 对比文件中的半导体晶体即半导体元件，直接公开。 |
| 技术特征E：照明子系统(120) （未公开） | 无 | 对比文件全文未提及照明子系统或任何照明装置，因此未公开。 |
| 技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 （未公开） | 无 | 对比文件未涉及子带隙照明辐射，未公开。 |
| 技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 （未公开） | 无 | 对比文件没有选择性照明或子部分照明的概念，未公开。 |
| 技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 （未公开） | 无 | 对比文件未公开任何空间图案化的照明分布，未公开。 |
| 技术特征I：还包括电触头 《直接公开》 | 发明详细说明：“カソード１０４とアノード１０６”（阴极和阳极），以及“外部電圧源１１１と接続している”（与外部电压源连接）。 | 对比文件中的电极（阴极、阳极、控制电极）即为电触头，用于施加偏压，直接公开。 |
| 技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 （未公开） | 无 | 对比文件没有照明，因此不存在“被照明的子部分”，未公开。 |
| 技术特征K：电源(122) 《直接公开》 | 发明详细说明：“外部電圧源１１１”（外部电压源），以及“外部電圧源５１４”（外部电压源）。 | 对比文件公开了用于施加偏压的电压源，即电源，直接公开。 |
| 技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 《直接公开》 | 发明详细说明：“カソード１０４が外部電圧源１１１と接続し…バイアス電圧を印加する”（阴极与外部电压源连接，施加偏压）。 | 对比文件公开了电源向电触头（电极）施加电势，直接公开。 |
| 技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 （未公开） | 无 | 对比文件没有照明，未涉及导电性变化，未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且中，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 （未公开） | 无 | 对比文件未涉及照明导致的导电性对比，未公开。 |
| 技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) （未公开） | 无 | 对比文件未公开照明源，未公开。 |
| 技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 （未公开） | 无 | 对比文件未公开任何子带隙辐射，未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 （未公开） | 无 | 对比文件未涉及照明光子能量，未公开。 |
| 技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 （未公开） | 无 | 对比文件未公开照明源耦合方式，未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 （未公开） | 无 | 对比文件未公开红外照明源，未公开。 |
| 技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 （未公开） | 无 | 对比文件未公开红外辐射，未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 《直接公开》 | 发明详细说明：“半導体結晶はＣｄＺｎＴｅ又はＣｄＴｅから成ることが好ましい”（半导体晶体优选由CdZnTe或CdTe构成）。 | 对比文件明确公开了半导体元件包含CdTe或CdZnTe，直接公开。 |
| 技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 《隐含公开》 | 发明详细说明：“半導体結晶５０２は高い抵抗性、高いＺ（約３４以上）の半導体材料を有する平板又はウエハーである。”（半导体晶体是由高电阻、高Z（约34以上）半导体材料构成的平板或晶圆。）晶圆（ウエハー）通常为单晶。 | 本领域技术人员公知，用于辐射探测器的CdTe通常采用单晶，对比文件中的“結晶”和“ウエハー”隐含了单晶形式，且未否认单晶，因此隐含公开。 |
| 技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 《隐含公开》 | 同上，对比文件提到“ＣｄＺｎＴｅ”作为优选晶体材料，且同样描述为“結晶”或“ウエハー”。 | 同理，CdZnTe辐射探测器通常使用单晶，对比文件中的“結晶”隐含单晶，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) （未公开） | 无 | 对比文件未公开任何反射器，未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 （未公开） | 无 | 对比文件无照明子系统及反射器，未公开。 |
| 技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 （未公开） | 无 | 对比文件未涉及照明辐射反射，未公开。 |
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