对比文件名称：1999-05-18_US5905772A_发明授权_US5905772A X-ray examination apparatus with a semiconductor x-ray detector
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：AI专利评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括探测器(112) 《直接公开》 | 对比文件原文：“an x-ray detector for deriving an image signal from an x-ray image”（背景技术部分，段落[2]）。翻译：一种X射线探测器，用于从X射线图像导出图像信号。 | 对比文件明确公开了X射线探测器，对应于目标专利的探测器，因此直接公开。 |
| 技术特征B：其被配置为探测电离辐射 《直接公开》 | 对比文件公开X射线探测器用于探测X射线（电离辐射）。同上。 | X射线是电离辐射，对比文件公开了探测器探测X射线，因此直接公开。 |
| 技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 《直接公开》 | 对比文件原文：“The x-ray sensor matrix derives an image signal (IS) which is supplied to a post-processing unit 10.”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：X射线传感器矩阵导出图像信号(IS)，并将其提供给后处理单元10。 | 对比文件公开了探测器输出信号，直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) 《直接公开》 | 对比文件原文：“an x-ray detector ... including a semiconductor element”（背景技术部分，段落[2]）。翻译：X射线探测器...包括半导体元件。 | 直接公开。 |
| 技术特征E：照明子系统(120) 《直接公开》 | 对比文件原文：“At the side of the x-ray sensor matrix 4 remote from the x-ray source 1, the bias radiation source is positioned.”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：在X射线传感器矩阵4远离X射线源1的一侧，定位有偏置辐射源。 | 对比文件中的偏置辐射源相当于照明子系统，因此直接公开。 |
| 技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 《直接公开》 | 对比文件原文：“the bias radiation source is arranged to emit electromagnetic radiation of an energy less than the bandgap energy of the semiconductor element.”（发明内容部分，段落[2]）。翻译：偏置辐射源被设置为发射能量低于半导体元件带隙能量的电磁辐射。 | 对比文件公开了子带隙辐射，直接公开。 |
| 技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分（未公开） | 对比文件原文：“...substantially uniformly irradiate the sensor elements of the x-ray sensor matrix with electromagnetic radiation”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：...用电磁辐射基本上均匀地照射X射线传感器矩阵的传感器元件。 | 对比文件追求均匀照明，而非选择性照明子部分，因此未公开该特征。 |
| 技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布（未公开） | 对比文件原文：“...substantially uniformly distribute electromagnetic radiation from the bias radiation source over the semiconductor element”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：将偏置辐射源的电磁辐射基本上均匀地分布到半导体元件上。 | 对比文件公开的是均匀分布，而非空间图案化分布，因此未公开。 |
| 技术特征I：还包括电触头 《直接公开》 | 对比文件原文：“read-out lines 22”, “switching element 23”, “photodiodes 21”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：读取线22，开关元件23，光电二极管21（其中光电二极管具有电极触头）。 | 对比文件公开了连接至半导体元件的电触头（如电极），因此直接公开。 |
| 技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分（未公开） | 对比文件公开了电触头连接至半导体元件，但照明是均匀的，整个元件被照明，但未明确连接至特定子部分。 | 对比文件没有公开选择性照明的子部分，因此电触头连接至被照明的子部分这一特征未被公开。 |
| 技术特征K：电源(122)（未公开） | 对比文件没有明确公开用于向电触头施加电势的电源。 | 对比文件未提及电源，因此未公开。 |
| 技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势（未公开） | 对比文件没有公开施加电势的配置。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性（未公开） | 对比文件没有公开导电性提高。 | 未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性（未公开） | 对比文件没有公开导电性比较。 | 未公开。 |
| 技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) 《直接公开》 | 对比文件原文：“the bias light source incorporates a number of semiconductor laser diodes, light emitting diodes or an electro-luminescent foil”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：偏置光源包括多个半导体激光二极管、发光二极管或电致发光箔。 | 对比文件公开了照明源，直接公开。 |
| 技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 《直接公开》 | 对比文件公开了子带隙辐射，同特征F。 | 直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半（未公开） | 对比文件仅公开能量低于带隙，未公开一半下限。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 《直接公开》 | 对比文件原文：“the bias radiation source is arranged to irradiate the semiconductor element through the substrate”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：偏置辐射源被设置为通过基板照射半导体元件。 | 对比文件公开了通过光透射介质（基板）耦合，直接公开。 |
| 技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 《直接公开》 | 对比文件原文：“infrared radiation” (具体实施方式部分，段落[2])。翻译：红外辐射。 | 对比文件公开了红外照明源，直接公开。 |
| 技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 《直接公开》 | 对比文件公开红外辐射作为子带隙辐射。 | 直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个（未公开） | 对比文件使用α-Si:H作为半导体材料（具体实施方式部分，段落[2]：“α-Si:H is employed as the photosensitive semiconductor material”）。 | 对比文件未公开碲化镉或碲化镉锌，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) 《直接公开》 | 对比文件原文：“the x-ray sensor matrix is provided with a diffusive reflector”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：X射线传感器矩阵设置有扩散反射器。 | 对比文件公开了反射器，直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 《直接公开》 | 对比文件原文：“the semiconductor element being positioned between the bias radiation source and the diffusive reflector”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：半导体元件位于偏置辐射源和扩散反射器之间。 | 直接公开。 |
| 技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 《直接公开》 | 对比文件原文：“the diffusive reflector substantially uniformly distributes electromagnetic radiation ... the infrared radiation from the bias radiation source 5 is diffusely reflected at the diffusive reflector 32 so as to substantially uniformly irradiate the photodiodes”（具体实施方式部分，段落[2]）。翻译：扩散反射器基本上均匀地分布电磁辐射...来自偏置辐射源5的红外辐射在扩散反射器32处被漫反射，从而基本上均匀地照射光电二极管。 | 对比文件公开了反射器将辐射反射回半导体元件，直接公开。 |
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