对比文件名称：2010-01-26_US7652258B_发明授权_US07652258B2 Method, apparatus, and system of reducing polarization in radiation detectors
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括，探测器(112) ——《直接公开》** | [0027] “FIG. 1 is a schematic cross-section illustration of a semiconductor radiation detector 99 in accordance with one embodiment of the invention.” 图1是根据本发明一个实施例的半导体辐射探测器99的示意性截面图。 | 对比文件明确公开了半导体辐射探测器99，对应于目标专利的探测器112，因此直接公开。 |
| **技术特征B：其被配置为探测电离辐射 ——《直接公开》** | [0028] “Plate 10 may be irradiated with ionizing radiation, resulting in electron and hole clouds that are substantially free to move in the plate.” 板10可以被电离辐射照射，产生在板中基本自由移动的电子和空穴云。 | 对比文件公开了探测器用于探测电离辐射，因此直接公开。 |
| **技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 ——《直接公开》** | [0029] “The collected charge at anodes 14 and cathodes 12, induced by the movement of the charge carriers prior to their collection by electrodes 14 and 12, is measured at the anodes to give a measure of the energy of the absorbed photon.” 在电荷载流子被电极14和12收集之前，其运动在阳极14和阴极12处感应出的收集电荷在阳极处被测量，以给出吸收光子能量的度量。 | 对比文件公开了探测器输出指示电离辐射的信号，因此直接公开。 |
| **技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) ——《直接公开》** | [0027] “a semiconductor plate 10, formed of a semiconductor 11.” 半导体板10，由半导体11形成。 | 对比文件公开了探测器包括半导体元件，因此直接公开。 |
| **技术特征E：照明子系统(120) ——《直接公开》** | [0038] “IR radiation 22 is generated by an IR generator 24, and the wavelength of the IR radiation may be selected, e.g., by a wavelength selector 26, according to criteria described in more detail below.” IR辐射22由IR发生器24产生，并且IR辐射的波长可以通过波长选择器26选择。 | 对比文件公开了照明子系统（IR发生器及波长选择器），因此直接公开。 |
| **技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 ——《直接公开》** | [0038] “irradiating plate 10 with infra-red (IR) radiation 22.” 以及[0041] “Longer wavelength IR photons, having energy lower than the bandgap 34...” 用红外(IR)辐射22照射板10。具有低于带隙34能量的较长波长IR光子。 | 对比文件公开了生成并传递子带隙IR辐射，因此直接公开。 |
| **技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 ——《未公开》** | 无对应公开内容。对比文件公开的是整体照明，例如[0045] “over all the volume of detector plate 10”。 | 对比文件没有公开选择性照明子部分，而是照明整个或大部分体积，因此未公开。 |
| **技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 ——《未公开》** | 无对应公开内容。对比文件公开的是均匀照明。 | 对比文件没有公开空间图案化的照明分布，因此未公开。 |
| **技术特征I：还包括电触头 ——《直接公开》** | [0027] “Electrodes 12 are connected to one side of plate 10, and electrodes are connected to an opposite side of plate 10. ... Electrodes 12 are configured as cathodes, ... Electrodes 14 are configured as anodes.” 电极12连接到板10的一侧，电极连接到板10的相对侧。电极12被配置为阴极，电极14被配置为阳极。 | 对比文件公开了电极（电触头），因此直接公开。 |
| **技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 ——《未公开》** | 对比文件中的电极连接整个半导体，而非特定的被照明子部分。 | 对比文件没有公开电触头连接至选择性的被照明子部分，因为其照明是整体的，因此未公开。 |
| **技术特征K：电源(122) ——《直接公开》** | [0051] “The bias of the negative high voltage may be supplied to the cathodes of the modules 110 by thin cathode plates...” 负高压偏置可以通过薄阴极板提供给模块110的阴极。 | 对比文件公开了电源提供偏压，因此直接公开。 |
| **技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 ——《直接公开》** | 同上，以及[0038]等描述施加偏压。 | 对比文件公开了电源向电极施加电势，因此直接公开。 |
| **技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 ——《未公开》** | 对比文件没有明确提到导电性提高，且没有子部分概念。 | 对比文件没有公开照明将子部分导电性提高，因此未公开。 |
| **技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且中，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 ——《未公开》** | 无对应公开内容。 | 对比文件没有公开导电性比较，因此未公开。 |
| **技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) ——《直接公开》** | [0038] “IR generator 24” 以及[0052] “IR radiation sources 214 (typ.) may be, for example, light emitting diodes (LED) or lasers that emit IR radiation” IR发生器24；IR辐射源214可以是例如发射IR辐射的发光二极管(LED)或激光器。 | 对比文件公开了照明源，因此直接公开。 |
| **技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 ——《直接公开》** | 同特征F。 | 对比文件公开了生成子带隙照明辐射，因此直接公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 ——《未公开》** | 对比文件公开了能量低于带隙，但未公开不超过一半。 | 对比文件没有公开这一具体数值限制，因此未公开。 |
| **技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 ——《直接公开》** | 多种耦合方式，例如[0048] “mirrors...reflect the IR irradiation into plate via cathode 12”，[0049] “fiber optics 64 are laid in spaces 62, ... diffusive regions 66”，[0050] “IR radiation 22 to penetrate into plates 10 via sidewalls 114”，[0052] “IR radiation 218 of the desired wavelength irradiates cathodes 12”。 翻译：镜子...通过阴极12将IR辐射反射到板中；光纤64放置在间隙62中，具有扩散区域66；IR辐射22通过侧壁114穿透到板10中；期望波长的IR辐射218照射阴极12。 | 对比文件公开了照明源直接或通过光透射介质（如光纤、镜子、阴极）耦合至半导体，因此直接公开。 |
| **技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 ——《直接公开》** | [0038] “IR generator 24”，[0052] “IR radiation sources 214 (typ.) may be, for example, light emitting diodes (LED) or lasers that emit IR radiation” IR发生器24；IR辐射源214可以是例如发射IR辐射的发光二极管(LED)或激光器。 | 对比文件公开了照明源是红外源，因此直接公开。 |
| **技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 ——《直接公开》** | 同上。 | 对比文件公开了子带隙辐射是红外辐射，因此直接公开。 |
| **技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 ——《直接公开》** | [0027] “semiconductor 11 is formed of cadmium zinc telluride (CZT)” 半导体11由碲锌镉(CZT)形成。 | 对比文件公开了半导体元件包括CZT（碲化镉锌），因此直接公开了碲化镉锌，满足“至少一个”，所以直接公开。 |
| **技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 ——《隐含公开》** | 对比文件没有明确提及单晶，但本领域技术人员可以合理推断。 | 对比文件未明确公开碲化镉单晶，但该领域通常使用单晶，且对比文件未排除单晶，因此隐含公开。 |
| **技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 ——《隐含公开》** | 对比文件没有明确提及单晶，但本领域技术人员可以合理推断。 | 对比文件未明确公开碲化镉锌单晶，但该领域通常使用单晶，且对比文件未排除单晶，因此隐含公开。 |
| **技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) ——《直接公开》** | [0048] “one or more mirrors 50, selected to be transparent to X-rays and to reflect IR irradiation 22, are oriented and selected to reflect the IR irradiation into plate via cathode 12.” 一个或多个镜子50，被选择为对X射线透明并反射IR辐射22，被定向和选择以通过阴极12将IR辐射反射到板中。 | 对比文件公开了反射器（镜子），因此直接公开。 |
| **技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 ——《未公开》** | 对比文件图3b中，镜子用于反射IR进入板，但半导体元件不一定在照明源和反射器之间。 | 对比文件没有公开这种布置，因此未公开。 |
| **技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 ——《未公开》** | 对比文件中的镜子反射进入板，而非反射已贯穿的辐射。 | 对比文件没有公开反射器将贯穿的辐射反射回，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<I>>><<<K>>><<<L>>><<<O>>><<<P>>><<<R>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>><<<X>>><<<v>>><<<w>>>