对比文件名称：2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法
目标专利名称：1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **A：其包括具有中心轴的LED电路小片** 《直接公开》 | 第1実施形態：发光装置1具有倒装芯片型的GaN系LED元件2（翻译自“発光装置１は、フリップチップ型のＧａＮ系ＬＥＤ素子２と…”）。 | 对比文件明确公开了LED元件（相当于LED电路小片），该元件具有中心轴，其作用与目标专利中的LED电路小片相同，均作为发光源。 |
| **B：相对于LED电路小片固定的透镜** 《直接公开》 | 第6実施形態：密封部件6具有半球面状的光学形状面6D（翻译自“半球面状に形成された光学形状面６Ｄ”）。 | 密封部件6相对于LED元件固定，且具有透光性和光学形状，起到透镜作用，与目标专利中透镜的功能一致。 |
| **C：该透镜使LED电路小片发出的光折射** 《直接公开》 | 第1実施形態：密封部件6由低熔点玻璃形成，折射率1.59（翻译自“ガラス封止部６は…低融点ガラス（屈折率：１．５９）によって形成されており”）。 | 低熔点玻璃为透光材料，光通过时必然发生折射，这是透镜的基本光学特性，与目标专利中透镜折射光的作用相同。 |
| **D：从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内** 《未公开》 | 对比文件未提及峰值强度角度。 | 对比文件仅涉及密封结构和光提取效率，未给出任何关于光强度分布的具体角度范围，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| **E：使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5％到33％之间** 《未公开》 | 对比文件未提及中心轴强度比例。 | 对比文件没有教导或暗示中心轴强度与峰值强度的比例关系，该特征未被公开。 |
| **F：其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜** 《直接公开》 | 第1実施形態：密封部件6密封GaN系LED元件2（翻译自“ガラス封止部６はＧａＮ系ＬＥＤ素子２を封止する”）。 | 密封部件6直接覆盖并密封LED元件，相当于第一透镜，其密封作用与目标专利中第一透镜密封LED电路小片的作用完全相同。 |
| **G：围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜** 《未公开》 | 对比文件未公开围绕第一透镜的第二个透镜。 | 对比文件中的密封结构为单一封止部材或上下布置的封止部材，没有围绕第一透镜的辅透镜，该结构特征未被公开。 |
| **H：该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分** 《未公开》 | 对比文件未公开空气间隙。 | 对比文件中的封止部材直接接触LED或基板，没有形成空气间隙的结构，该特征未被公开。 |
| **I：该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面** 《未公开》 | 对比文件未公开折射界面。 | 由于没有空气间隙，也就不存在相应的折射界面，该特征未被公开。 |
| **J：其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内** 《未公开》 | 对比文件未提及峰值强度角度。 | 同特征D，对比文件未提供任何关于峰值强度角度的信息，该特征未被公开。 |
| **K：其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内** 《未公开》 | 对比文件未提及峰值强度角度。 | 同特征J，对比文件未公开该角度范围。 |
| **L：沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15％** 《未公开》 | 对比文件未提及中心轴强度比例。 | 对比文件没有公开中心轴强度与峰值强度的具体比例，该特征未被公开。 |
| **M：其中该辅透镜包括非球面外表面** 《未公开》 | 对比文件未公开非球面外表面。 | 对比文件中的光学形状面为半球面（球面），未涉及非球面，该特征未被公开。 |
| **N：和非球面圆顶形内表面** 《未公开》 | 对比文件未公开内表面形状。 | 对比文件未描述透镜内表面为非球面圆顶形，该特征未被公开。 |
| **O：其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面** 《未公开》 | 对比文件未公开TIR部分。 | 对比文件未提及全内反射结构或相关设计，该特征未被公开。 |
| **P：其中该第一透镜为半球形** 《直接公开》 | 第6実施形態：光学形状面6D为半球面状（翻译自“半球面状に形成された光学形状面６Ｄ”）。 | 该密封部件呈半球形，与目标专利中第一透镜为半球形相符，形状和作用相同。 |
| **Q：其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜** 《直接公开》 | 第9実施形態：通过热压加工基于低熔点玻璃进行密封（翻译自“ホットプレス加工に基づくガラス封止”）。 | 对比文件通过热压成型将玻璃直接模制在LED元件上，形成密封透镜，与目标专利中第一透镜直接模制在LED电路小片上的方式一致。 |
| **R：密封了该LED电路小片** 《直接公开》 | 同特征F引用。 | 密封部件6密封了LED元件，直接公开该特征，作用相同。 |
| **S：其中该间隙为圆顶形空气间隙** 《未公开》 | 对比文件未公开空气间隙。 | 对比文件没有形成圆顶形空气间隙的结构，该特征未被公开。 |
| **T：其中该第一透镜为硅树脂；并且辅透镜为塑料** 《未公开》 | 对比文件中第一透镜由低熔点玻璃形成，辅透镜未出现。 | 对比文件使用的密封材料为玻璃，并非硅树脂，也未公开塑料辅透镜，该特征未被公开。 |
| **U：进一步包括次级载具** 《直接公开》 | 第9実施形態：AlN sub-mount 18（翻译自“ＡｌＮサブマウント１８”）。 | 对比文件公开了用于安装LED的次级载具（sub-mount），其作用与目标专利中的次级载具相同，用于承载LED并连接电路。 |
| **V：其上安装了LED电路小片** 《直接公开》 | 第9実施形態：GaN系LED元件2安装在AlN sub-mount 18上（翻译自“ＧａＮ系ＬＥＤ素子２をＡｌＮサブマウント１８に搭載”）。 | LED元件直接安装在次级载具上，与目标专利特征相同。 |
| **W：印刷电路板** 《未公开》 | 对比文件使用陶瓷基板或金属引线，未提及印刷电路板。 | 对比文件中的基板为无机材料（如Al2O3、AlN）或金属引线，并非通常意义上的印刷电路板（PCB），该特征未被公开。 |
| **X：其上安装了次级载具** 《直接公开》 | 第9実施形態：AlN sub-mount 18安装在引线19上（翻译自“リード１９にＡｌＮサブマウント１８を搭載”）。 | 次级载具安装在引线（或基板）上，与目标专利中次级载具安装在印刷电路板上类似，但对比文件未明确印刷电路板，但安装关系相同。 |
| **Y：其中该透镜直接接触该印刷电路板** 《未公开》 | 对比文件未公开透镜直接接触印刷电路板。 | 对比文件中的透镜接触基板或引线，但基板并非印刷电路板，且未明确直接接触关系，该特征未被公开。 |
| **Z：围绕该次级载具** 《直接公开》 | 第9実施形态：密封部件6覆盖LED和sub-mount（参照图9，密封部件6包围sub-mount）。 | 密封部件（透镜）围绕并覆盖次级载具，形成包围结构，与目标专利中透镜围绕次级载具的作用相同。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<F>>><<<P>>><<<Q>>><<<R>>><<<U>>><<<V>>><<<X>>><<<Z>>>