**对比文件名称**：2013-07-18_US2013181298A_发明申请_US20130181298A1 ADVANCED TRANSISTORS WITH PUNCH THROUGH SUPPRESSION
**目标专利名称**：249具有扩散势垒区的晶体管CN105981145B
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
以下是根据目标专利权利要求的技术特征划分，与对比文件进行比对的结果：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0016]段：“...formed on a substrate 116.” 以及第[0015]段：“...a lightly doped well substrate 114.” | 对比文件明确公开了晶体管形成在衬底（substrate）上，例如P阱衬底114和衬底116。这与目标专利中“基板”的技术特征相同，本领域技术人员能毫无疑义地得出。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：形成在所述基板的第一区域的表面上的扩散势垒区，其中所述扩散势垒区是使用具有第一带隙能量的第一材料形成的<br>《未公开》 | 对比文件说明书第[0015]段：“...a highly doped screening region 112.” | 对比文件公开了“高掺杂筛选区（screening region）112”，其位于沟道区110之下。然而，该筛选区的作用是“设置耗尽区深度”（第[0022]段），其材料在文中描述为硅基材料（如通过离子注入或外延形成），并未提及该区域是使用具有特定“带隙能量”的材料形成的，也未提及该区域作为“扩散势垒区”用于阻挡掺杂物扩散。目标专利的扩散势垒区是专门为了降低从重掺杂区到沟道区的掺杂物扩散而设计的，并使用具有高带隙能量的III-V或II-VI族化合物材料（如AlAs）来实现。两者在材料、形成目的和作用上均不相同。因此，技术特征B既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征C**：形成在所述扩散势垒区的表面上的沟道区，其中所述沟道区使用具有低于所述第一带隙能量的第二带隙能量的第二材料形成<br>《未公开》 | 对比文件说明书第[0015]段：“...channel 110... positioned as illustrated above a highly doped screening region 112...” | 对比文件公开了位于筛选区112之上的沟道区110。但对比文件描述沟道区为“基本未掺杂的硅”（第[0020]段），并未提及该沟道区是使用具有特定“带隙能量”的第二材料形成，更没有提及该第二材料的带隙能量低于下方筛选区材料的带隙能量。目标专利中沟道区使用低带隙能量材料（如GaAs）是为了与高带隙的扩散势垒区配合工作，这一特定材料组合和能带关系未被对比文件公开或提示。因此，技术特征C既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：以及耦合到所述基板的所述第一区域的背栅触点，所述背栅触点延伸到所述基板的所述第一区域中。<br>《未公开》 | 对比文件说明书第[0016]段：“...a bias voltage 122 VBS may be applied to source 104... and P+ terminal 126 can be connected to P-well 114 at connection 124...” | 对比文件提到了可以向源极施加背偏压（VBS），以及通过P+端子126连接到P阱114。这是一种通过源极或阱接触进行体偏置（body bias）的技术，与目标专利中独立存在、并“延伸到基板第一区域中”的“背栅触点”结构不同。目标专利的背栅触点是直接耦合到重掺杂区（作为背栅）的独立电极，用于独立控制阈值电压。对比文件未公开这种独立延伸到特定重掺杂区域中的背栅触点结构。因此，技术特征D既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述第一区域具有比所述沟道区更高的掺杂浓度。<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0015]段：“While the channel 110 is substantially undoped... a highly doped screening region 112.” 第[0023]段：“...significantly more than the dopant concentration of the undoped channel...” | 对比文件明确公开了筛选区112是高掺杂的（highly doped），而沟道区110是基本未掺杂的（substantially undoped）。因此，筛选区（对应于目标专利的“第一区域”）的掺杂浓度远高于沟道区。这与技术特征E完全相同。因此，技术特征E被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述第一材料包括III-V族复合物或II-VI族复合物。<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及III-V族或II-VI族复合物用于形成筛选区。 | 对比文件通篇描述的是基于硅（Si）的晶体管制造，筛选区通过离子注入（如硼、砷等）或外延硅掺杂形成。未提及使用III-V族复合物（如AlAs、InAlAs）或II-VI族复合物作为筛选区或任何类似势垒区的材料。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述第一材料包括砷化铝或砷化铟铝。<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及砷化铝（AlAs）或砷化铟铝（InAlAs）。 | 理由同技术特征F，对比文件未涉及这些具体的III-V族化合物材料。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述第二材料包括砷化镓或砷化铟镓。<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及砷化镓（GaAs）或砷化铟镓（InGaAs）用于形成沟道区。 | 对比文件描述沟道区为“基本未掺杂的硅”（第[0020]段），未提及使用GaAs或InGaAs等III-V族材料。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述沟道区和所述第一区域是基于超锐逆掺杂分布来掺杂的。<br>《隐含公开》 | 对比文件说明书第[0015]段：“While the channel 110 is substantially undoped, and positioned... above a highly doped screening region 112.” 图2及对应说明展示了从低掺杂沟道到高掺杂筛选区的陡峭掺杂分布。 | 目标专利中的“超锐逆掺杂分布”指沟道区与下方重掺杂区具有显著不同的掺杂浓度。对比文件明确公开了“基本未掺杂”的沟道区直接位于“高掺杂”的筛选区之上，这种掺杂分布正是超锐逆掺杂的典型特征。虽然对比文件未使用“超锐逆掺杂”这一术语，但本领域技术人员阅读其说明书（特别是关于掺杂分布的描述和图2）后，能够直接且毫无疑义地得出其采用了沟道低掺杂、下方区域高掺杂的分布，即超锐逆掺杂分布。因此，技术特征I被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，进一步包括：形成在所述沟道区的表面上的介电层<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0015]段：“...a gate dielectric 108 positioned over a channel 110.” | 对比文件明确公开了位于沟道区110之上的栅极电介质层108。这对应于目标专利中“形成在沟道区表面上的介电层”。因此，技术特征J被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K**：形成在所述介电层的表面上的金属栅极<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0018]段：“The gate electrode 102 can be formed from conventional materials, preferably including, but not limited to, metals, metal alloys...” | 对比文件明确公开了栅电极102可以由金属、金属合金等材料形成，即包括金属栅极。该栅电极形成在栅极电介质108（介电层）之上。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：形成在所述扩散势垒区的所述表面上的源极区<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0015]段：“...source 104, drain 106...” 以及图示表明源/漏位于沟道区两侧。 | 对比文件明确公开了晶体管的源极104和漏极106。根据晶体管基本结构，源/漏区位于沟道区两端。在对比文件的语境中，沟道区形成于筛选区之上，因此源/漏区可视为在筛选区表面附近形成。这与技术特征L的描述在结构位置上一致。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M**：形成在所述扩散势垒区的所述表面上的漏极区<br>《直接公开》 | 同技术特征L引用。 | 同技术特征L论述，对比文件明确公开了漏极106。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| **技术特征N**：毗邻于所述源极区的第一浅沟槽隔离区<br>《隐含公开》 | 对比文件说明书第[0037]段：“...STI (shallow trench isolation) formation 304...” | 对比文件在工艺描述中提到了浅沟槽隔离（STI）的形成。在集成电路中，STI是用于隔离相邻晶体管有源区的标准结构。本领域技术人员知晓，为了隔离晶体管的源极区与相邻器件，必然会在源极区附近设置STI区。虽然对比文件未明确文字描述“毗邻于源极区的STI”，但这是本领域公知的必然存在的结构。因此，技术特征N被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征O**：以及毗邻于所述漏极区的第二浅沟槽隔离区。<br>《隐含公开》 | 同技术特征N引用。 | 同技术特征N论述，为了隔离漏极区，必然在漏极区附近存在STI区。因此，技术特征O被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述扩散势垒区介于所述沟道区和所述第一区域之间。<br>《未公开》 | 对比文件说明书第[0015]段结构描述。 | 对比文件中，介于沟道区110和阱衬底114之间的是高掺杂筛选区112和穿通抑制区113。但如特征B所述，该筛选区并非目标专利定义的“扩散势垒区”。因此，对比文件未公开“扩散势垒区介于沟道区和第一区域之间”这一特征。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述装置是平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。<br>《隐含公开》 | 对比文件全文描述了一种场效应晶体管（FET），其结构为平面型（参见图1），且涉及栅极、源极、漏极、栅介质等标准MOSFET组件。 | 对比文件附图1和文字描述展示了一个典型的平面晶体管结构，具备MOSFET的所有基本要素。虽然其名称未直接使用“平面MOSFET”，但其描述的结构完全符合平面MOSFET的定义。本领域技术人员能够毫无疑义地识别出这是一款平面MOSFET。因此，技术特征Q被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述装置是鳍式场效应晶体管(FinFET)。<br>《未公开》 | 对比文件说明书第[0008]段提到了finFET，但仅作为背景技术中讨论的另一种晶体管类型，并非本文件所要求保护的实施例。 | 对比文件的核心实施例（如图1）是平面晶体管结构。虽然背景技术部分提及了finFET，但并未将其作为本发明的实施例进行描述或要求保护。因此，不能认为对比文件公开了装置是FinFET这一特征。 |
| **技术特征S**：包括：在基板的重掺杂区的表面上形成扩散势垒区，其中所述扩散势垒区是使用具有第一带隙能量的第一材料形成的<br>《未公开》 | 对比文件说明书第[0037]段描述了形成筛选区（screening region）的工艺，但未提及使用具有特定带隙能量的材料。 | 与方法特征B对应，对比文件公开了形成高掺杂筛选区的步骤，但未公开使用具有特定带隙能量的材料（如III-V/II-VI族化合物）来形成作为“扩散势垒区”的层。因此，技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T**：在所述扩散势垒区的表面上形成沟道区，其中所述沟道区使用具有低于所述第一带隙能量的第二带隙能量的第二材料形成<br>《未公开》 | 对比文件说明书第[0037]段提及了沟道区的形成（如外延生长），但未提及使用具有特定带隙能量的材料。 | 与方法特征C对应，对比文件未公开使用具有特定带隙能量且低于下方层带隙能量的材料来形成沟道区。因此，技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U**：蚀刻所述沟道区的特定区域以形成源极区和漏极区<br>《隐含公开》 | 对比文件说明书第[0017]段提及源/漏可通过常规掺杂工艺形成，第[0037]段后的工艺步骤包括源/漏形成。 | 在半导体制造中，形成源极和漏极区的典型工艺包括对沟道区或其两侧区域进行蚀刻（或通过离子注入定义区域）然后进行掺杂或外延填充。对比文件虽然没有明确写出“蚀刻沟道区的特定区域”这一步骤，但公开了源/漏区的存在和形成，本领域技术人员根据公知常识可以合理推断出该形成过程必然涉及对沟道区特定区域的图案化处理（如蚀刻）以定义源/漏区域。因此，技术特征U被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征V**：以及形成背栅触点，所述背栅触点延伸到所述基板的所述重掺杂区中。<br>《未公开》 | 对比文件说明书第[0016]段描述了体偏置的连接方式。 | 与方法特征D对应，对比文件未公开形成独立的、延伸到重掺杂区中的背栅触点的步骤。其描述的是一种通过源极或阱接触施加偏压的方式。因此，技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W**：进一步包括形成耦合到所述重掺杂区的背栅触点。<br>《未公开》 | 同技术特征V引用。 | 同技术特征V论述，对比文件未公开形成耦合到重掺杂区的独立背栅触点。因此，技术特征W未被公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于，所述扩散势垒区陷住来自所述重掺杂区的掺杂物。<br>《未公开》 | 对比文件未描述筛选区具有“陷住掺杂物”的功能。 | 目标专利中扩散势垒区的核心功能之一是在界面处“陷住”掺杂物以阻止其扩散。对比文件中的筛选区主要功能是设置耗尽区深度以抑制短沟道效应，并未提及其具有俘获或阻挡掺杂物扩散的功能。因此，技术特征X未被公开。 |
| **技术特征Y**：其特征在于，所述扩散势垒区在所述扩散势垒区的较低界面处陷住所述掺杂物，以及其中所述第一材料是砷化镓或者砷化铟镓，并且所述第二材料是砷化铝或砷化铟铝。<br>《未公开》 | 对比文件未涉及此特征。 | 对比文件既未公开扩散势垒区在不同界面陷住掺杂物的机制，也未公开砷化镓/砷化铟镓与砷化铝/砷化铟铝这种特定的材料组合。因此，技术特征Y未被公开。 |
| **技术特征Z**：其特征在于，所述扩散势垒区在所述扩散势垒区的较高界面处陷住所述掺杂物，以及其中所述第一材料是硅，并且所述第二材料是砷化铝或砷化铟铝。<br>《未公开》 | 对比文件未涉及此特征。 | 对比文件既未公开扩散势垒区在较高界面陷住掺杂物的机制，也未公开硅与砷化铝/砷化铟铝这种特定的材料组合。因此，技术特征Z未被公开。 |
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