对比文件的名称：2006-05-11_US2006100513A_发明申请_US20060100513A1 Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic apparatus
目标专利的名称：1346具有被动热耗散的矩阵超声波探针CN103533896B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
以下为特征比对表格，特征划分严格按照目标专利权利要求执行。对于对比文件内容的引用，已翻译为中文并标注段落标号。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括换能器堆 —— 未公开 | 对比文件第一实施例[0069]：“换能器部分11包括多个（N个）压电换能器”。第四实施例[0115]：“换能器部48…电路板50”。 | 对比文件公开了换能器部分，但未公开换能器与ASIC等堆叠形成的“换能器堆”结构，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| 技术特征B：所述换能器堆具有联接到用于换能器阵列的专用集成电路ASIC的换能器元件阵列 —— 未公开 | 对比文件第四实施例[0115]：“换能器部48通过引线49连接到电路板50”。 | 对比文件公开了换能器连接到电路板，但电路板并非专用的ASIC，且未提及ASIC，本领域技术人员不能直接或合理推断出该特征。 |
| 技术特征C：导热框架 —— 未公开 | 对比文件第四实施例[0113]：“屏蔽壳45由金属材料制成，具有高导热性”。 | 对比文件公开了屏蔽壳，其功能为电磁屏蔽和导热，但并非目标专利所述的导热框架，该框架用于安装换能器堆和散热器，且具有侧部凸缘等结构，对比文件未公开。 |
| 技术特征D：所述导热框架热联接到所述换能器堆 —— 未公开 | 同技术特征C，无相关描述。 | 由于对比文件未公开导热框架，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征E：壳体 —— 直接公开 | 对比文件第四实施例[0113]：“探针壳47由电绝缘塑料材料制成，形成探针单元41的外壳”。 | 对比文件明确公开了探针壳47，形成探针单元的外壳，即壳体，本领域技术人员可以直接得出该特征。 |
| 技术特征F：所述壳体形成探针手柄且包封所述框架的至少一部分 —— 未公开 | 对比文件[0113]描述探针壳47形成外表面，但未提及包封框架。 | 对比文件公开了壳体形成手柄，但未公开包封导热框架，且对比文件未公开导热框架，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：导热散热器 —— 未公开 | 对比文件第九实施例[0174]描述散热器76位于连接器部分，用于主动冷却。 | 对比文件在探针手柄部分未公开任何导热散热器，其散热器位于连接器部分且用于主动冷却，与目标专利的被动散热器不同，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述导热散热器热联接到所述框架且呈现外表面区域 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开散热器与框架的热联接，且未公开框架，因此未公开。 |
| 技术特征I：该外表面区域与所述壳体的内表面区域对准且热联接到所述内表面区域 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开散热器外表面与壳体内表面的热联接，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中主要热传导路径自所述散热器到所述热联接的壳体中且然后到围绕所述壳体的空气中以防止热点在所述壳体中的形成 —— 未公开 | 对比文件第四实施例的热传导路径为通过屏蔽壳到吸热单元，最终通过制冷剂带走。 | 对比文件的热管理主要依赖主动制冷剂循环，而非被动散热到壳体，且未公开散热器与壳体的热联接路径，因此未公开该特征。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述换能器堆进一步包括位于所述ASIC与所述框架之间的导热衬块 —— 未公开 | 对比文件第四实施例[0122]描述导热板52和53，但未描述位于ASIC与框架之间的衬块。 | 对比文件未公开ASIC、框架以及位于它们之间的导热衬块，因此未公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述换能器元件阵列进一步包括换能器元件的二维矩阵阵列 —— 直接公开 | 对比文件第一实施例[0070]：“换能器部分11包括能够通过将压电换能器二维排列以在二维或三维方向电子地施加超声波束的类型，用于三维扫描”。 | 对比文件明确公开了换能器元件二维排列形成矩阵阵列，用于三维扫描，本领域技术人员可以直接毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述ASIC进一步包括波束成形器ASIC —— 隐含公开 | 对比文件第一实施例[0071]描述传输延迟电路，[0072]描述接收延迟电路，用于波束成形。第四实施例[0119]-[0121]描述电路板50具有传输和接收电路，包括波束成形功能。 | 对比文件公开了波束成形电路，但未明确表示为ASIC。然而，在三维矩阵阵列探针中，本领域技术人员熟知波束成形电路通常集成在专用集成电路（ASIC）中，以减小尺寸和功耗。对比文件教导了波束成形功能，并指出在探针内部实现，因此本领域技术人员有能力合理推断出使用ASIC来实现该功能，从而隐含公开了ASIC包括波束成形器ASIC。 |
| 技术特征N：所述波束成形器ASIC使来自所述矩阵阵列的传输波束及由所述矩阵阵列的元件接收的回波信号至少部分地波束成形 —— 隐含公开 | 对比文件[0071]：“传输延迟电路用于提供聚焦延迟时间和偏转延迟时间”；[0072]：“接收延迟电路用于提供聚焦延迟时间和偏转延迟时间”。 | 对比文件明确公开了波束成形功能的实现，但未提及ASIC。结合特征M的隐含公开，本领域技术人员可以合理推断波束成形器ASIC执行该波束成形，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括提供所述框架与所述散热器之间的热联接的导热垫片或导热腻子 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开任何在框架与散热器之间的导热垫片或腻子，且未公开框架和散热器，因此未公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述框架具有侧部凸缘 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开框架具有侧部凸缘的结构。 |
| 技术特征Q：其中所述散热器以与所述框架的所述侧部凸缘导热接触的方式紧固 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开散热器与框架侧部凸缘的导热接触。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述散热器用螺钉或螺栓固定到所述框架的所述侧部凸缘 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开螺钉或螺栓固定。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括提供所述散热器与所述壳体之间的热联接的导热垫片或导热腻子 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开任何在散热器与壳体之间的导热垫片或腻子。 |
| 技术特征T：其特征在于，其中所述散热器直接热联接到所述衬块 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开散热器直接热联接到衬块。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括紧固至所述框架的印刷电路板 —— 未公开 | 对比文件第四实施例[0115]描述电路板50位于屏蔽壳内，但未紧固至框架。 | 对比文件未公开印刷电路板紧固至框架。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括具有金属编织层的探针电缆 —— 隐含公开 | 对比文件[0082]：“屏蔽26屏蔽信号线21。涂层27涂覆屏蔽26用于绝缘和保护”。 | 对比文件公开了电缆具有屏蔽层，在超声波探针电缆中，屏蔽层通常由金属编织层构成，本领域技术人员可以合理推断该屏蔽层为金属编织层，因此隐含公开。 |
| 技术特征W：其中所述框架进一步热联接到所述电缆的所述金属编织层 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开框架热联接到电缆的金属编织层。 |
| 技术特征X：其特征在于，所述散热器由铝或镁制成 —— 未公开 | 对比文件第九实施例[0174]描述散热器76由铜或铝制成，但该散热器位于连接器部分，并非目标专利的导热散热器。 | 对比文件未公开目标专利中的导热散热器，且未指定其由铝或镁制成。 |
| 技术特征Y：其特征在于，所述框架由铝或镁制成 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开导热框架，且未指定其材料。 |
| 技术特征Z：其特征在于，所述壳体的至少一部分被围绕所述散热器的至少一部分模塑而成以形成单件式单元 —— 未公开 | 无相关描述。 | 对比文件未公开壳体围绕散热器模塑形成单件式单元。 |
<<<L>>><<<m>>><<<n>>><<<v>>>