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对比文件列表
1983-11-22_US4416277A_发明授权_US4416277A Return electrode monitoring system for use during electrosurgical activation_+++A_B_X_Y_Z+++.docx
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2001-12-05_EP1158919A_发明公开_EP1158919A1 APPARATUS AND METHOD FOR TREATMENT OF TISSUE_+++A_B_C_X_Y_Z_d_e_f_i_j+++.docx
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2005-06-29_EP1158919B_发明授权_EP1158919B1 APPARATUS FOR TREATMENT OF TISSUE_+++A_B_C_I_J_X_Y_Z_a_b+++.docx
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2005-10-16_ES2240078T_发明专利_ES2240078T3 APARATO PARA EL TRATAMIENTO DE TEJIDOS_+++A_B_C_E_I_J_X_Y_Z_d_l+++.docx
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2007-07-26_US2007173813A_发明申请_US20070173813A1 System and method for tissue sealing_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_Y_k_l+++.docx
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2008-02-14_US2008039831A_发明申请_US20080039831A1 System and method for measuring initial tissue impedance_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_X_Y_Z_l_r+++.docx
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2008-04-03_US2008082097A_发明申请_US20080082097A1 Smart return electrode pad_+++A_B_C_X_Y_Z+++.docx
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2008-06-18_JP4102031B_发明专利_JP4102031B2 Apparatus and method for treating tissue_+++A_B_C_D_E_I_J_X_Y_Z_k_l_m_r_s+++.docx
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2010-08-26_US2010217255A_发明申请_US20100217255A1 Fluid-Assisted Electrosurgical Device and Methods of Use Thereof_+++A_b_c_l_x_y_z+++.docx
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2010-09-02_WO2010098784A_发明申请_WO2010098784A1 DEVICES AND METHODS FOR PERCUTANEOUS ENERGY DELIVERY_+++A_B_C_E_F_I_J_L_M_R_X_Y_Z_d_h_k_s+++.docx
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2012-02-23_WO2012023129A_发明申请_WO2012023129A1 ELECTROMAGNETIC ENERGY APPLICATOR FOR PERSONAL AESTHETIC SKIN TREATMENT_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_P_S_X_Y_Z+++.docx
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2012-08-16_KR1020120090007A_发明公开_KR1020120090007A 경피적으로 에너지를 전달하는 장치 및 방법_+++A_B_C_E_F_I_J_M_X_Y_Z_d_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012110996A_发明申请_WO2012110996A2 A METHOD AND APPARATUS FOR COSMETIC SKIN TREATMENT_+++A_B_C_D_E_I_J_K_L_M_R_S_X_Y_Z_f_h+++.docx
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2013-05-30_WO2013076714A_发明申请_WO2013076714A1 A SAFE SKIN TREATMENT APPARATUS FOR PERSONAL USE AND METHOD FOR ITS USE_+++A_B_C_I_X_Y_f_k_l_z+++.docx
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2015-03-26_WO2015040049A_发明申请_WO2015040049A1 TREATMENT DEVICE FOR THE SKIN USING RADIO-FREQUENCY ELECTRIC CURRENT_+++A_B_C_E_I_J_M_X_Y_Z_d+++.docx
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DE60021063T2_Description_20260712_1547_+++A_B_C_I_J_L_X_Y_Z_d_e+++.docx
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2001-12-05_EP1158919A_发明公开_EP1158919A1 APPARATUS AND METHOD FOR TREATMENT OF TISSUE_+++A_B_C_X_Y_Z_d_e_f_i_j+++.docx

对比文件名称:2001-12-05_EP1158919A_发明公开_EP1158919A1 APPARATUS AND METHOD FOR TREATMENT OF TISSUE

目标专利名称:1357具有处理设定限定器的使用RF电流的非侵入性皮肤处理装置CN107530544B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间,用于加热所述内部区域(15) 《直接公开》具体实施方式部分:“所述能量输送装置16耦合到能量源18。合适的能量源18包括:(i)射频(RF)源,耦合到RF电极”;背景部分:“RF能量通过接触组织的电极施加或传递到组织”。对比文件明确公开了RF处理电极和返回电极,RF电流在电极之间穿过组织并加热组织,因此技术特征A被直接公开。
技术特征B:阻抗测量电路(35) 《直接公开》具体实施方式部分:“传感器20可以定位在模板能量输送表面12'或能量输送装置16上,以监测温度、阻抗、压力等”。对比文件公开了用于测量阻抗的传感器和电路,因此技术特征B被直接公开。
技术特征C:其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗 《直接公开》反馈系统部分(图21-23):“电流传感器396测量通过RF电极314的电流。电压传感器398测量电压。然后在功率和阻抗计算装置400中计算阻抗和功率”。对比文件明确公开了测量RF电极之间的电流和电压以计算阻抗,从而测量电极之间的皮肤阻抗,因此技术特征C被直接公开。
技术特征D:处理设定限定器(30) 《隐含公开》反馈系统部分:“控制器394或微处理器394可以包括在闭环或开环系统60中,以接通和断开电源以及调制功率”。对比文件中的控制器(394、404)具有确定处理设定(如功率水平、持续时间)的功能,相当于处理设定限定器。虽然名称不同,但功能实质相同,且本领域技术人员可以合理推断该控制器能够确定处理设定,因此技术特征D被隐含公开。
技术特征E:其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定,其特征在于,所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25) 《隐含公开》同上,控制器404“控制功率水平、周期和持续时间,以分配射频能量”。对比文件公开了控制器,且该控制器用于确定处理设定(功率、持续时间等),因此特征E中“处理设定限定器被配置成确定处理设定”以及“还包括控制器”已被隐含公开。
技术特征F:所述控制器(25)被编程使得在操作期间,所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前,激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO 《隐含公开》具体实施方式部分:“传感器20用于控制能量输送并减少皮肤表面细胞坏死以及下方软组织损伤的机会”。对比文件虽然未明确记载在激活RF发生器之前测量初始阻抗,但本领域技术人员在实施时,必然会在治疗开始前通过阻抗测量电路测量初始皮肤阻抗,以建立基准或进行安全检测,这是常规操作。因此,该特征被隐含公开。
技术特征G:其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间,所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定,所述处理设定至少包括以下:与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD) 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开根据初始皮肤阻抗和电极尺寸来确定处理持续时间,也没有教导这种关联。因此,技术特征G未被公开。
技术特征H:与所述RF处理信号相关联的RF电气参数;并且中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后,所述控制器连续地:激活所述处理设定限定器(30),以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开上述连续步骤:先测量初始阻抗,然后激活处理设定限定器确定处理设定,再激活RF发生器。因此,技术特征H未被公开。
技术特征I:配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号 《隐含公开》反馈系统部分:“控制器404产生控制信号,用于功率电路406以调整功率输出,以维持期望的功率”。对比文件公开了控制器根据处理设定(期望功率)配置RF发生器以提供相应的RF处理信号,因此技术特征I被隐含公开。
技术特征J:激活所述RF发生器(20),以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD) 《隐含公开》具体实施方式部分:“能量被输送到RF电极314并施加到组织部位416”。对比文件公开了RF发生器被激活以施加RF能量至组织,且控制持续时间,因此技术特征J被隐含公开。
技术特征K:其中所述处理持续时间(TD)与所述内部区域(15)中从期望处理结果到不期望的处理结果的过渡相关联 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开处理持续时间与从期望到不期望处理结果的过渡之间的关联。因此,技术特征K未被公开。
技术特征L:其中所述不期望的处理结果与所述内部区域(15)内的凝固或消融相关联 《未公开》无相关公开。对比文件虽提及避免烧伤,但未明确将不期望结果与凝固或消融直接关联到处理持续时间。因此,技术特征L未被公开。
技术特征M:其中所述RF处理电极(10)在所述RF处理电极(10)的所述接触平面中的最大尺寸小于或等于2mm 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开RF处理电极的最大尺寸小于或等于2mm。因此,技术特征M未被公开。
技术特征N:其中所述处理设定限定器(30)被编程使得所述处理设定限定器(30)根据以下公式确定所述处理设定:J=K.R.TT.PM.(1–exp(‑TD/TT)),其中:J是与期望的处理结果与不期望的处理结果之间的过渡相关联的皮肤损害发作因子 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开该公式,因此技术特征N未被公开。
技术特征O:K是常数,单位为每毫米‑毫焦耳,取决于皮肤组织的热和介电特性 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开常数K,因此技术特征O未被公开。
技术特征P:R是所述RF处理电极(10)在所述接触平面内的半径,单位为毫米 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开将电极半径用于公式,因此技术特征P未被公开。
技术特征Q:TT是皮肤组织的热时间常数,单位为毫秒 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开热时间常数,因此技术特征Q未被公开。
技术特征R:PM是与所述RF处理信号相关联RF功率,单位为瓦特,等于VM^2/ZO,其中VM是所述RF处理信号的电压 《未公开》反馈系统部分有功率计算,但未明确基于初始阻抗ZO。对比文件没有公开基于初始皮肤阻抗ZO计算功率的具体公式,因此技术特征R未被公开。
技术特征S:TD是所述处理持续时间,单位为毫秒 《未公开》无相关公开。对比文件没有明确处理持续时间的单位,且该特征依赖于公式,因此技术特征S未被公开。
技术特征T:其中K等于0.38±0.03mm^(-1)mJ^(-1) 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开K的具体数值,因此技术特征T未被公开。
技术特征U:其中TT等于40.4±4.8毫秒 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开TT的具体数值,因此技术特征U未被公开。
技术特征V:其中所述皮肤损害发作因子(J)是以下中的一个或多个:J=1±0.3,当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与非消融性凝固损害的发作相关联时 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开J的取值及其关联,因此技术特征V未被公开。
技术特征W:或者J=1.7±0.5,当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与消融性损害的发作相关联时 《未公开》无相关公开。对比文件没有公开J的取值及其关联,因此技术特征W未被公开。
技术特征X:其中与所述RF处理信号相关联的所述RF电气参数是以下一个或多个:IM,是所述RF处理信号的电流,单位为安培 《直接公开》反馈系统部分:“电流传感器396测量通过RF电极314的电流”。对比文件直接公开了测量RF处理信号的电流,因此技术特征X被直接公开。
技术特征Y:VM,是所述RF处理信号的电压,单位为伏特 《直接公开》反馈系统部分:“电压传感器398测量电压”。对比文件直接公开了测量RF处理信号的电压,因此技术特征Y被直接公开。
技术特征Z:PM,是与所述RF处理信号相关联的功率,单位为瓦特 《直接公开》反馈系统部分:“在功率和阻抗计算装置400中计算阻抗和功率”。对比文件直接公开了计算RF处理信号的功率,因此技术特征Z被直接公开。

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权利要求与技术特征

A RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间,用于加热所述内部区域(15)
B 阻抗测量电路(35)
C 其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗
D 处理设定限定器(30)
E 其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定,其特征在于,所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25)
F 所述控制器(25)被编程使得在操作期间,所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前,激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO
G 其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间,所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定,所述处理设定至少包括以下:与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD)
H 与所述RF处理信号相关联的RF电气参数;并且中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后,所述控制器连续地:激活所述处理设定限定器(30),以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定
I 配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号
J 激活所述RF发生器(20),以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD)
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