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对比文件列表
2001-12-05_EP1158919A_发明公开_EP1158919A1 APPARATUS AND METHOD FOR TREATMENT OF TISSUE_+++A_B_C_X_Y_Z_d_e_f_i_j+++.docx
2026-07-22 17:41
2005-06-29_EP1158919B_发明授权_EP1158919B1 APPARATUS FOR TREATMENT OF TISSUE_+++A_B_C_I_J_X_Y_Z_a_b+++.docx
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2005-10-16_ES2240078T_发明专利_ES2240078T3 APARATO PARA EL TRATAMIENTO DE TEJIDOS_+++A_B_C_E_I_J_X_Y_Z_d_l+++.docx
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2007-07-26_US2007173813A_发明申请_US20070173813A1 System and method for tissue sealing_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_Y_k_l+++.docx
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2008-02-14_US2008039831A_发明申请_US20080039831A1 System and method for measuring initial tissue impedance_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_X_Y_Z_l_r+++.docx
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2008-06-18_JP4102031B_发明专利_JP4102031B2 Apparatus and method for treating tissue_+++A_B_C_D_E_I_J_X_Y_Z_k_l_m_r_s+++.docx
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2010-09-02_WO2010098784A_发明申请_WO2010098784A1 DEVICES AND METHODS FOR PERCUTANEOUS ENERGY DELIVERY_+++A_B_C_E_F_I_J_L_M_R_X_Y_Z_d_h_k_s+++.docx
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2012-02-23_WO2012023129A_发明申请_WO2012023129A1 ELECTROMAGNETIC ENERGY APPLICATOR FOR PERSONAL AESTHETIC SKIN TREATMENT_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_P_S_X_Y_Z+++.docx
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2012-08-16_KR1020120090007A_发明公开_KR1020120090007A 경피적으로 에너지를 전달하는 장치 및 방법_+++A_B_C_E_F_I_J_M_X_Y_Z_d_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012110996A_发明申请_WO2012110996A2 A METHOD AND APPARATUS FOR COSMETIC SKIN TREATMENT_+++A_B_C_D_E_I_J_K_L_M_R_S_X_Y_Z_f_h+++.docx
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2015-03-26_WO2015040049A_发明申请_WO2015040049A1 TREATMENT DEVICE FOR THE SKIN USING RADIO-FREQUENCY ELECTRIC CURRENT_+++A_B_C_E_I_J_M_X_Y_Z_d+++.docx
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DE60021063T2_Description_20260712_1547_+++A_B_C_I_J_L_X_Y_Z_d_e+++.docx
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2005-06-29_EP1158919B_发明授权_EP1158919B1 APPARATUS FOR TREATMENT OF TISSUE_+++A_B_C_I_J_X_Y_Z_a_b+++.docx

**对比文件名称**:2005-06-29_EP1158919B_发明授权_EP1158919B1 APPARATUS FOR TREATMENT OF TISSUE

**目标专利名称**:1357具有处理设定限定器的使用RF电流的非侵入性皮肤处理装置CN107530544B

**本次调用的模型名称**:DeepSeek(以明确模型出处)

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**特征A:** RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间,用于加热所述内部区域(15) **《直接公开》**【0041】“电流从第一电极17'均匀流出,通过其介电涂层进入组织,然后通过双极对17的第二电极17"的介电涂层进入第二电极,然后返回RF能源18。实质电流区域以及因此治疗区44基本上被限制在每对双极电极17之间的组织区域。”对比文件明确描述了RF电流在RF处理电极与返回电极之间穿过组织,并在组织区域(对应于内部区域)中产生加热效应,因此该特征被直接公开。
**特征B:** 阻抗测量电路(35) **《直接公开》**【0024】“传感器20可以位于模板能量输送表面12'或能量输送设备16上,以监测温度、阻抗、压力等。”<br>【0117】“通过RF电极314输送的电流由电流传感器396测量。电压由电压传感器398测量。阻抗和功率在功率和阻抗计算设备400处计算。”对比文件公开了用于监测阻抗的传感器以及通过电流/电压传感器计算阻抗的电路,相当于阻抗测量电路,因此该特征被直接公开。
**特征C:** 其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗 **《直接公开》**【0117】“通过RF电极314输送的电流由电流传感器396测量。电压由电压传感器398测量。阻抗和功率在功率和阻抗计算设备400处计算。”对比文件通过测量RF电极(即处理电极)和返回电极之间的电流和电压来计算阻抗,该阻抗即为皮肤阻抗,因此该特征被直接公开。
**特征D:** 处理设定限定器(30) **《隐含公开》**【0115】“可以包括控制器394或微处理器394,并将其并入闭环或开环系统60,以开启和关闭功率,以及调节功率。”对比文件公开了控制器,该控制器用于调节功率(即与处理信号相关的设定),虽然未使用“处理设定限定器”这一术语,但实质上执行了确定处理设定的功能,因此该特征被隐含公开。
**特征E:** 其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定,其特征在于,所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25) **《隐含公开》**【0115】“可以包括控制器394或微处理器394,并将其并入闭环或开环系统60,以开启和关闭功率,以及调节功率。”对比文件公开了控制器,且控制器可调节功率(即确定处理设定),因此处理设定限定器的功能(确定处理设定)被隐含公开,控制器被直接公开,故该特征整体被隐含公开。
**特征F:** 所述控制器(25)被编程使得在操作期间,所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前,激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO **《未公开》**【0125】“监测器420根据输送到组织的能量确定组织阻抗,并将测量的阻抗值与设定值进行比较。如果测量的阻抗超过设定值,则向能源392发送禁用信号,停止向RF电极314进一步输送能量。如果测量的阻抗在可接受范围内,则继续向组织施加能量。”对比文件仅在能量输送期间监测阻抗并用于实时控制,并未公开在激活RF发生器之前测量初始皮肤阻抗,也未公开将初始阻抗用于后续处理设定的确定,因此该特征未被公开。
**特征G:** 其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间,所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定,所述处理设定至少包括以下:与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD) **《未公开》**对比文件未公开相关内容。对比文件未提及根据初始皮肤阻抗和电极尺寸确定处理设定,也未公开处理持续时间作为处理设定的一部分,因此该特征未被公开。
**特征H:** 与所述RF处理信号相关联的RF电气参数;并且中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后,所述控制器连续地:激活所述处理设定限定器(30),以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定 **《未公开》**对比文件未公开该顺序控制流程。对比文件未公开控制器在测量初始阻抗后,先激活处理设定限定器确定处理设定,再激活RF发生器的顺序,因此该特征未被公开。
**特征I:** 配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号 **《直接公开》**【0115】“控制器394...调节功率。”<br>【0118】“控制信号由控制器404生成,用于调整功率输出以维持期望功率。”对比文件公开了控制器根据期望参数(如功率)配置RF发生器,以提供相应的RF处理信号,因此该特征被直接公开。
**特征J:** 激活所述RF发生器(20),以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD) **《直接公开》**【0116】“皮肤或其它组织可以维持在期望温度持续选定的时间段。”对比文件公开了激活RF发生器并持续一段选定的时间段,以向组织输送能量,因此该特征被直接公开。
**特征K:** 其中所述处理持续时间(TD)与所述内部区域(15)中从期望处理结果到不期望的处理结果的过渡相关联 **《未公开》**对比文件未公开该关联。对比文件未将处理持续时间与从期望处理结果到不期望处理结果的过渡明确关联,因此该特征未被公开。
**特征L:** 其中所述不期望的处理结果与所述内部区域(15)内的凝固或消融相关联 **《未公开》**对比文件未公开不期望结果与凝固或消融的关联。对比文件未明确提及凝固或消融作为不期望的处理结果,因此该特征未被公开。
**特征M:** 其中所述RF处理电极(10)在所述RF处理电极(10)的所述接触平面中的最大尺寸小于或等于2mm **《未公开》**对比文件未公开该尺寸范围。对比文件未公开RF处理电极在接触平面中的最大尺寸小于或等于2mm,因此该特征未被公开。
**特征N:** 其中所述处理设定限定器(30)被编程使得所述处理设定限定器(30)根据以下公式确定所述处理设定:J=K.R.TT.PM.(1–exp(‑TD/TT)),其中:J是与期望的处理结果与不期望的处理结果之间的过渡相关联的皮肤损害发作因子 **《未公开》**对比文件未公开该公式。对比文件未公开任何基于J、K、R、TT、PM、TD的数学公式,因此该特征未被公开。
**特征O:** K是常数,单位为每毫米‑毫焦耳,取决于皮肤组织的热和介电特性 **《未公开》**对比文件未公开相关内容。对比文件未公开常数K及其单位,因此该特征未被公开。
**特征P:** R是所述RF处理电极(10)在所述接触平面内的半径,单位为毫米 **《未公开》**对比文件未公开相关内容。对比文件未公开电极半径R作为公式参数,因此该特征未被公开。
**特征Q:** TT是皮肤组织的热时间常数,单位为毫秒 **《未公开》**对比文件未公开相关内容。对比文件未公开热时间常数TT,因此该特征未被公开。
**特征R:** PM是与所述RF处理信号相关联RF功率,单位为瓦特,等于VM^2/ZO,其中VM是所述RF处理信号的电压 **《未公开》**对比文件未公开该等式关系。对比文件未公开功率PM等于VM^2/ZO,因此该特征未被公开。
**特征S:** TD是所述处理持续时间,单位为毫秒 **《未公开》**对比文件未公开处理持续时间以毫秒为单位且作为公式中的参数。虽然对比文件公开了处理持续时间,但未公开其作为公式中的TD参数,因此该特征未被公开。
**特征T:** 其中K等于0.38±0.03mm-1mJ-1 **《未公开》**对比文件未公开该数值。对比文件未公开K的具体数值,因此该特征未被公开。
**特征U:** 其中TT等于40.4±4.8毫秒 **《未公开》**对比文件未公开该数值。对比文件未公开TT的具体数值,因此该特征未被公开。
**特征V:** 其中所述皮肤损害发作因子(J)是以下中的一个或多个:J=1±0.3,当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与非消融性凝固损害的发作相关联时 **《未公开》**对比文件未公开相关内容。对比文件未公开J的取值及其与凝固损害发作的关联,因此该特征未被公开。
**特征W:** 或者J=1.7±0.5,当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与消融性损害的发作相关联时 **《未公开》**对比文件未公开相关内容。对比文件未公开J的取值及其与消融损害发作的关联,因此该特征未被公开。
**特征X:** 其中与所述RF处理信号相关联的所述RF电气参数是以下一个或多个:IM,是所述RF处理信号的电流,单位为安培 **《直接公开》**【0117】“通过RF电极314输送的电流由电流传感器396测量。”对比文件公开了RF处理信号的电流IM,因此该特征被直接公开。
**特征Y:** VM,是所述RF处理信号的电压,单位为伏特 **《直接公开》**【0117】“电压由电压传感器398测量。”对比文件公开了RF处理信号的电压VM,因此该特征被直接公开。
**特征Z:** PM,是与所述RF处理信号相关联的功率,单位为瓦特 **《直接公开》**【0117】“阻抗和功率在功率和阻抗计算设备400处计算。”对比文件公开了RF处理信号的功率PM,因此该特征被直接公开。

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权利要求与技术特征

A RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间,用于加热所述内部区域(15)
B 阻抗测量电路(35)
C 其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗
D 处理设定限定器(30)
E 其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定,其特征在于,所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25)
F 所述控制器(25)被编程使得在操作期间,所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前,激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO
G 其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间,所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定,所述处理设定至少包括以下:与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD)
H 与所述RF处理信号相关联的RF电气参数;并且中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后,所述控制器连续地:激活所述处理设定限定器(30),以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定
I 配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号
J 激活所述RF发生器(20),以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD)
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