**对比文件名称**：2003-06-03_US6573537B_发明授权_US06573537B1 Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
**目标专利名称**：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
**本次调用的模型名称**：AI语言模型（GPT-4衍生）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) —— 直接公开** | 对比文件“SUMMARY OF THE INVENTION”部分：“所述器件包括III-氮化物外延异质结构n型和未掺杂层11和p型层12，分别与有源区13接触。III-氮化物层11可选地附着到透明超衬底10。超衬底10可以是用于沉积III-氮化物层的生长基板。” | 对比文件明确公开了在生长基板（超衬底）上生长的半导体结构，该生长基板具体可以是蓝宝石等，与目标专利中生长基板作用相同，因此特征A被直接公开。 |
| **B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 —— 直接公开** | 同上，有源区13位于n型层11和p型层12之间。 | 对比文件明确公开了有源区（发光层）位于n型层和p型层之间，因此特征B直接公开。 |
| **C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) —— 直接公开** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分：“电极金属化层20,22通过互连60连接到衬底电极52，衬底电极52位于衬底基板50上。” 以及“互连在LED和衬底之间提供电气连接，同时提供散热路径。” | 对比文件公开了通过互连将半导体结构（LED）附着到载体（submount），因此特征C直接公开。 |
| **D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) —— 直接公开** | 对比文件图20流程图步骤102：“在LED裸片和衬底之间分配底部填料（underfill）。” 步骤107同样。 | 对比文件明确公开了在LED和衬底之间引入底部填料，该底部填料是电绝缘的，因此特征D直接公开。 |
| **E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 —— 隐含公开** | 对比文件未明确描述支撑功能，仅提及“分配底部填料”。 | 本领域技术人员公知，在倒装芯片结构中，底部填料通过填充间隙起到机械支撑、缓解应力的作用，从而提供刚性支撑。因此，从对比文件公开的“分配底部填料”可以合理推断该特征，故特征E隐含公开。 |
| **F：通过激光解离移除该生长基板(10) —— 未公开** | 对比文件全文未涉及移除生长基板，也未提及激光解离。 | 对比文件描述的是倒装芯片LED结构，生长基板（蓝宝石）保留作为光出射窗口，无移除步骤，因此特征F未公开。 |
| **G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 —— 隐含公开** | 对比文件“分配底部填料”未明确填料状态。 | 本领域技术人员知道，底部填料通常以液态形式分配，通过毛细作用填充间隙，然后固化。因此，从对比文件公开的“分配”可以合理推断使用液态材料，故特征G隐含公开。 |
| **H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 —— 隐含公开** | 对比文件未提及固化步骤。 | 本领域技术人员知道，液态底部填料在分配后必须经过固化（如热固化）才能形成固态填充物，提供刚性支撑。因此，可以合理推断包括固化步骤，故特征H隐含公开。 |
| **I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 —— 未公开** | 对比文件仅在附着后分配底部填料，未提及预先形成刚性层。 | 对比文件描述的是附着后引入底部填料，与特征I的预先形成刚性层不同，本领域技术人员不能从对比文件得到该特征，故未公开。 |
| **J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 —— 未公开** | 对比文件未提及预先形成刚性底部填料层及其开口。 | 由于特征I未被公开，特征J也不被公开，故未公开。 |
| **K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 —— 隐含公开** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分：“所述大面积器件（>400×400 μm²）需要n电极22‘指状’插入p电极金属化层之间，以均匀扩展电流。” 以及图19步骤92：“对III-氮化物异质结构施加接触，必要时进行蚀刻。” | 本领域技术人员知道，在倒装芯片LED中形成n电极指状结构，必须蚀刻通过p型层和有源区暴露n型层，且对比文件明确提到“必要时进行蚀刻”，结合电极设计，可以合理推断该蚀刻步骤，故特征K隐含公开。 |
| **L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 —— 直接公开** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分：“n电极22和p电极20分别与n型和p型层电气连接。” | 对比文件明确公开了n接触和p接触，分别连接到n型和p型区，因此特征L直接公开。 |
| **M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 —— 直接公开** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分：“电极金属化层20,22通过互连60连接到衬底电极52，衬底电极52位于衬底基板50上。” | 对比文件公开了互连将LED的电极连接到载体上形成的金属层，因此特征M直接公开。 |
| **N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 —— 未公开** | 对比文件未提及顶部表面距离小于50微米，且其结构中生长基板保留，距离远大于50微米。 | 对比文件没有公开该距离限制，也没有教导或暗示通过移除基板使距离小于50微米，故未公开。 |
| **O：其中该底部填料包括有机材料 —— 隐含公开** | 对比文件未指定底部填料材料。 | 本领域技术人员知道，常见的底部填料如环氧树脂、硅树脂等有机材料，因此可以合理推断底部填料包括有机材料，故特征O隐含公开。 |
| **P：其中该底部填料包括无机材料 —— 隐含公开** | 对比文件未提及添加无机材料。 | 本领域技术人员知道，底部填料中常添加无机颗粒（如二氧化硅）以调节热膨胀系数，因此可以合理推断底部填料可包括无机材料，故特征P隐含公开。 |
| **Q：其中该底部填料包括环氧树脂 —— 隐含公开** | 对比文件未指定，但环氧树脂是典型底部填料。 | 本领域技术人员知道，环氧树脂是最常用的底部填料材料之一，因此可以合理推断底部填料包括环氧树脂，故特征Q隐含公开。 |
| **R：其中该底部填料包括硅树脂 —— 隐含公开** | 对比文件未指定，但硅树脂也可用于底部填料。 | 本领域技术人员知道，硅树脂因其柔韧性有时用于底部填料，因此可以合理推断底部填料包括硅树脂，故特征R隐含公开。 |
| **S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 —— 隐含公开** | 对比文件未提及，但硅树脂中常添加无机颗粒。 | 本领域技术人员知道，为改善硅树脂底部填料的性能，常在其中添加无机颗粒如二氧化硅，因此可以合理推断该特征，故特征S隐含公开。 |
| **T：其中该至少一个互连包括金 —— 直接公开** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION”部分：“互连可以由元素金属、金属合金、半导体-金属合金、焊料、导热和导电膏或化合物（例如环氧树脂）、不同金属之间的共晶接头（例如Pd-In-Pd）、金凸点或焊料凸点组成。” | 对比文件明确列举了“金凸点（Au stud-bumps）”作为互连的一种，因此互连包括金被直接公开，故特征T直接公开。 |
| **U：附着包括通过超声焊接进行附着 —— 未公开** | 对比文件提及回流焊、热压等，未提及超声焊接。 | 对比文件没有公开超声焊接，本领域技术人员不能从对比文件得到该特征，故未公开。 |
| **V：其中该至少一个互连包括焊料 —— 直接公开** | 对比文件多处提及“焊料（solder）”，并作为互连的典型材料。 | 对比文件明确公开了互连包括焊料，故特征V直接公开。 |
| **W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 —— 直接公开** | 对比文件标题和内容涉及III-氮化物，且明确生长基板可以是蓝宝石（sapphire）。 | 对比文件是关于III-氮化物倒装芯片LED，生长基板优选蓝宝石，因此特征W被直接公开。 |
| **X：移除包括通过激光解离进行移除 —— 未公开** | 对比文件全文未涉及移除基板，更未提及激光解离。 | 对比文件没有公开任何移除基板的步骤，故未公开。 |
| **Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 —— 未公开** | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| **Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 —— 未公开** | 对比文件未公开移除基板，更未提及蚀刻移除。 | 未公开。 |
### 公开性代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征 A、B、C、D、L、M、T、V、W；隐含公开了技术特征 E、G、H、K、O、P、Q、R、S。其他特征未公开，不输出代码。
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