对比文件的名称：2004-10-05_US6800500B_发明授权_US06800500B2 III-nitride light emitting devices fabricated by substrate removal
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110)【直接公开】 | 摘要：“一种III-氮化物发光结构，包括p型层、n型层和发光层，生长在生长基板上。”具体实施方式：“初始，InAlGaN发光器件10生长在牺牲生长基板30（如蓝宝石）上。” | 对比文件明确公开了在生长基板（如蓝宝石）上生长半导体结构（III-氮化物发光结构），因此直接公开技术特征A。 |
| B: 该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层【直接公开】 | 摘要：“包括p型层、n型层和发光层。”具体实施方式：“InAlGaN发光层20a和20b生长在生长基板上。” | 对比文件明确公开了半导体结构包括p型层、n型层和发光层，发光层置于两者之间，因此直接公开技术特征B。 |
| C: 通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30)【直接公开】 | 摘要：“III-氮化物发光结构通过晶圆键合到宿主衬底。”具体实施方式：“InAlGaN结构通过键合层16键合到宿主衬底12，键合层材料选择提供强机械结合并导电。” | 对比文件中的导电键合层相当于至少一个导电互连，通过它将半导体结构附着到载体（宿主衬底），因此直接公开技术特征C。 |
| D: 在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44)【未公开】 | 无 | 对比文件全文未提及电绝缘底部填料或类似概念，仅描述了导电键合层填充在半导体结构和载体之间，因此该特征未被公开。 |
| E: 其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及底部填料，因此未公开其提供刚性支撑的功能。 |
| F: 通过激光解离移除该生长基板(10)【隐含公开】 | 具体实施方式：“通过多种现有技术中的基板移除技术移除牺牲蓝宝石生长基板，例如激光熔融。” | 对比文件公开了激光熔融（laser melting）作为移除方式之一，激光熔融本质上属于利用激光解离基板的方式，本领域技术人员可合理推断出通过激光解离移除生长基板，因此隐含公开。 |
| G: 其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及底部填料，因此未公开。 |
| H: 使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及底部填料，因此未公开。 |
| I: 其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及底部填料，因此未公开。 |
| J: 在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及底部填料层开口，因此未公开。 |
| K: 进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区【未公开】 | 具体实施方式：“在图4c中，移除生长基板后，提供n-InAlGaN层的欧姆接触22，然后蚀刻穿InAlGaN层形成台面。” | 对比文件中的蚀刻是在附着之后、移除生长基板之后进行，而非在附着之前，因此技术特征K未被公开。 |
| L: 形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触【直接公开】 | 具体实施方式：“在p型InAlGaN层上沉积反射欧姆接触18。”和“移除生长基板后提供n-InAlGaN层的欧姆接触22。” | 对比文件明确公开了形成p接触（反射欧姆接触18）和n接触（欧姆接触22），分别与p型区和n型区电气连接，因此直接公开技术特征L。 |
| M: 其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个【直接公开】 | 具体实施方式：“键合层用作p-InAlGaN层的欧姆接触和对宿主衬底的粘附层”以及“第一键合层沉积在器件层上，第二键合层沉积在宿主衬底上。” | 对比文件中的键合层（互连）将沉积在载体上的第二键合层（金属层）连接到p接触，因此直接公开技术特征M。 |
| N: 其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米【未公开】 | 无 | 对比文件未提及半导体结构顶部表面与载体顶部表面的距离，因此未公开。 |
| O: 其中该底部填料包括有机材料【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及底部填料，因此未公开。 |
| P: 其中该底部填料包括无机材料【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及底部填料，因此未公开。 |
| Q: 其中该底部填料包括环氧树脂【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及环氧树脂，因此未公开。 |
| R: 其中该底部填料包括硅树脂【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及硅树脂，因此未公开。 |
| S: 进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒【未公开】 | 无 | 对比文件未涉及硅树脂及无机颗粒，因此未公开。 |
| T: 其中该至少一个互连包括金【直接公开】 | 具体实施方式：“第一键合层选自包括银、镍、铝、金和钴的金属组。” | 对比文件明确列出金作为键合层（互连）的金属材料，因此直接公开技术特征T。 |
| U: 附着包括通过超声焊接进行附着【未公开】 | 无 | 对比文件仅提及“晶圆键合”，未具体说明超声焊接，因此未公开。 |
| V: 其中该至少一个互连包括焊料【隐含公开】 | 具体实施方式：“键合层材料选择提供强机械结合并导电”以及“键合层包括多个层，第一键合层沉积在器件层上，第二键合层沉积在宿主衬底上。” | 对比文件未明确提到焊料，但焊料是常见的用于机械结合和导电的金属材料，本领域技术人员在实施键合时可能选择焊料作为键合层材料，因此可合理推断出互连包括焊料，隐含公开。 |
| W: 其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石【直接公开】 | 摘要：“III-氮化物发光结构。”具体实施方式：“生长在牺牲生长基板（如蓝宝石）上。” | 对比文件明确公开了半导体结构为III-氮化物，生长基板为蓝宝石，因此直接公开技术特征W。 |
| X: 移除包括通过激光解离进行移除【隐含公开】 | 同特征F，具体实施方式：“通过激光熔融等方式移除。” | 论述同特征F，对比文件隐含公开了通过激光解离进行移除。 |
| Y: 其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面【未公开】 | 无 | 对比文件未提及激光扫描的具体操作，因此未公开。 |
| Z: 移除包括通过蚀刻进行移除【直接公开】 | 具体实施方式：“通过牺牲层化学蚀刻移除。” | 对比文件明确公开了通过化学蚀刻移除生长基板，因此直接公开技术特征Z。 |
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