对比文件名称：JP2017523546A_Description_20260309_2038
目标专利名称：257混合单端和差分感测的混合磁阻只读存储器(MRAM)高速缓存CN106463167B
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：混合高速缓存架构，其具有：磁阻随机存取存储器位单元阵列，其具有第一多个磁阻随机存取存储器位单元和耦合至所述第一多个磁阻随机存取存储器位单元的第二多个磁阻随机存取存储器位单元**《直接公开》 | [0006] “本装置は、ハイブリッドキャッシュアーキテクチャを含む。ハイブリッドキャッシュアーキテクチャは、磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイを含む。磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイは、第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルと、第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルに結合される第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルとを含む。” | 对比文件明确公开了装置包含混合高速缓存架构，该架构包含MRAM位单元阵列，并且该阵列包含第一多个MRAM位单元以及耦合到第一多个MRAM位单元的第二多个MRAM位单元。这与目标专利技术特征A的描述完全一致，作用都是构成混合高速缓存的核心存储结构。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征，属于直接公开。 |
| **B：以及多个感测放大器，**《直接公开》 | [0006] “磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイはまた、複数のセンスアンプを含む。” | 对比文件在描述MRAM位单元阵列时，明确指出该阵列还包括“多个感测放大器”。这直接公开了技术特征B的内容。 |
| **C：其具有差分感测放大器和单端感测放大器，**《直接公开》 | [0006] “複数のセンスアンプは、差動センスアンプとシングルエンドセンスアンプとを含む。” | 对比文件明确说明所述多个感测放大器包括“差动感测放大器”和“单端感测放大器”。这直接、毫无疑义地公开了技术特征C。 |
| **D：其中所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是均匀的，**《直接公开》 | [0005] “その結果は、一様なビットセルアレイであるが、一様でないセンスアンプ構成となる。” <br> [0007] “1つまたは複数の実装では、磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイは一様であり、複数のセンスアンプの構成は一様でない。” | 对比文件在概述和具体实施方式中两次明确指出，结果是“均匀的位单元阵列”以及“磁阻随机存取存储器位单元阵列是均匀的”。这与目标专利中特征D的描述和作用（实现均匀的存储阵列）完全相同。因此被直接公开。 |
| **E：其中所述多个感测放大器的配置是不均匀的，**《直接公开》 | [0005] “その結果は、一様なビットセルアレイであるが、一様でないセンスアンプ構成となる。” <br> [0007] “複数のセンスアンプの構成は一様でない。” | 对比文件同样明确指出了感测放大器的配置是“不均匀的”。这与目标专利特征E的描述和作用（实现不同性能区域的感测配置）完全一致。因此被直接公开。 |
| **F：其中所述第一多个磁阻随机存取存储器位单元中的至少一个磁阻随机存取存储器位单元耦合至所述单端感测放大器，**《直接公开》 | [0006] “第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセル中の少なくとも1つの磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルは、シングルエンドセンスアンプに結合される。” | 对比文件原文精确地描述了“第一多个MRAM位单元中的至少一个MRAM位单元耦合至单端感测放大器”。这直接公开了技术特征F的连接关系。 |
| **G：以及其中所述第二多个磁阻随机存取存储器位单元中的至少两个磁阻随机存取存储器位单元耦合至所述差分感测放大器。**《直接公开》 | [0006] “第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセル中の少なくとも2つの磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルは、差動センスアンプに結合される。” | 对比文件原文精确地描述了“第二多个MRAM位单元中的至少两个MRAM位单元耦合至差分感测放大器”。这直接公开了技术特征G的连接关系。 |
| **H：其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是自旋力矩转移磁阻随机存取存储器阵列。**《直接公开》 | [0007] “磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイは、スピントルクトランスファー磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイ、および/またはトグル磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイであってよい。” | 对比文件公开了MRAM位单元阵列可以是“自旋力矩转移磁阻随机存取存储器位单元阵列”。这直接公开了技术特征H所限定的MRAM阵列的一种具体类型。 |
| **I：其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是翻转磁阻随机存取存储器阵列。**《直接公开》 | [0007] “磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイは、スピントルクトランスファー磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイ、および/またはトグル磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイであってよい。” | 对比文件公开了MRAM位单元阵列也可以是“翻转磁阻随机存取存储器位单元阵列”。这直接公开了技术特征I所限定的MRAM阵列的另一种具体类型。 |
| **J：其特征在于，所述单端感测放大器进一步耦合至参考单元。**《直接公开》 | [0008] “1つまたは複数の実装では、シングルエンドセンスアンプは、基準セルに結合される。” <br> 图2亦显示了单端感测放大器226与参考单元204的连接。 | 对比文件明确记载了“单端感测放大器耦合至参考单元”。这与目标专利特征J的描述完全一致，作用都是为单端感测提供参考信号。因此被直接公开。 |
| **K：其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列中具有耦合至所述单端感测放大器的第一多个磁阻随机存取存储器位单元的部分慢于所述磁阻随机存取存储器位单元阵列中具有耦合至所述差分感测放大器的第二多个磁阻随机存取存储器位单元的部分。**《直接公开》 | [0008] “シングルエンドセンスアンプに結合される第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルを有する磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイの一部は、差動センスアンプに結合される第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルを有する磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイの一部よりも遅いことがある。” | 对比文件直接描述了采用单端感测的部分可能慢于采用差分感测的部分。这公开了目标专利特征K所限定的两种感测方式带来的速度差异特性，作用都是为了区分高速缓存区域的性能。因此被直接公开。 |
| **L：其中所述混合高速缓存架构被集成到至少一个半导体管芯中。**《直接公开》 | [0010] “1つまたは複数の実装では、ハイブリッドキャッシュアーキテクチャは、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれてよい。” | 对比文件明确公开了混合高速缓存架构可以“被集成到至少一个半导体管芯中”。这与目标专利特征L的描述完全一致。因此被直接公开。 |
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