对比文件名称：2004-04-22_JP2004127347A_发明专利_JP2004127347A Nonvolatile storage device and semiconductor integrated circuit device
目标专利名称：257混合单端和差分感测的混合磁阻只读存储器(MRAM)高速缓存CN106463167B
本次调用模型：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：混合高速缓存架构，其具有：磁阻随机存取存储器位单元阵列，其具有第一多个磁阻随机存取存储器位单元和耦合至所述第一多个磁阻随机存取存储器位单元的第二多个磁阻随机存取存储器位单元。<br>**《直接公开》** | 【００１１】 この発明に従う不揮発性記憶装置は、...複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイと、入力アドレスに基づいた複数のメモリセルに対するアクセスを、複数のメモリセルの各々が１ビットのデータを記憶する第１のモードと、複数のメモリセルのうちの２個ずつの組の各々が１ビットのデータを記憶する第２のモードとの間で切換えるためのアクセス制御回路と...を備える。<br>【００１６】 ［実施の形態１］ 図１は、...ＭＲＡＭデバイス１の構成を説明する回路図である。<br>【００１８】 ...ＭＲＡＭデバイス１は、...メモリセルアレイ１０と...を備える。<br>【００１９】 メモリセルアレイ１０は、複数のＭＴＪメモリセルを有する。 | 对比文件公开了一种非易失性存储装置（如MRAM设备1），其包括存储单元阵列（メモリセルアレイ10），该阵列具有多个MTJ存储单元（MTJメモリセル），这些单元即为磁阻随机存取存储器位单元。该装置具有第一模式和第二模式，在第一模式下，每个存储单元存储1位数据，这对应于“第一多个MRAM位单元”；在第二模式下，两个存储单元作为一个组存储1位数据，这对应于“第二多个MRAM位单元”。这些存储单元在阵列中相互耦合。因此，对比文件直接公开了具有MRAM位单元阵列的架构，该阵列包括第一和第二多个MRAM位单元。 |
| **技术特征B**：以及多个感测放大器，<br>**《直接公开》** | 【００７１】 データ読出回路６０は、スイッチ６１，６２と、センスアンプ６４〜６６と、ラッチ回路６８とを有する。<br>【図１】 データ読出回路６０中包含センスアンプ６４，６５，６６。 | 对比文件明确公开了数据读出电路（データ読出回路６０）中包含多个感测放大器（センスアンプ６４〜６６）。因此，技术特征“多个感测放大器”被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：其具有差分感测放大器和单端感测放大器，<br>**《直接公开》** | 【００７６】 ...センスアンプ６４は、選択メモリセルおよびダミーメモリセルＤＭＣ（電気抵抗Ｒｍｉｎ）のそれぞれへのアクセス結果を比較し、センスアンプ６５は、選択メモリセルおよびダミーメモリセルＤＭＣ（電気抵抗Ｒｍａｘ）のそれぞれへのアクセス結果を比較することになる。<br>【００８０】 センスアンプ６４および６５は、相補のデータがそれぞれ書込まれている２個の選択メモリセルのそれぞれへのアクセス結果を、互いに逆の極性で比較することになる。 | 对比文件公开了两种感测模式。在第一模式（单单元解码模式）下，感测放大器（如64，65）将单个选定存储单元的访问结果与具有固定电阻（Rmax或Rmin）的参考（虚拟）存储单元的访问结果进行比较，这实质上构成了单端感测（将单个存储单元信号与参考信号比较）。在第二模式（双单元解码模式）下，感测放大器（如64，65）将存储互补数据的两个选定存储单元的访问结果进行比较，这实质上构成了差分感测（比较两个存储单元的信号差）。因此，对比文件公开的感测放大器根据工作模式的不同，分别执行了单端感测和差分感测的功能。本领域技术人员能够毫无疑义地得出，对比文件公开了具有执行差分感测和单端感测功能的感测放大器。 |
| **技术特征D**：其中所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是均匀的，<br>**《直接公开》** | 【００１９】 メモリセルアレイ１０は、複数のＭＴＪメモリセルを有する。これらのＭＴＪメモリセルは、正規メモリセルＭＣ...と、ダミーセル列１１および１２を形成するダミーメモリセルＤＭＣとに分類される。ダミーセル列１１および１２に配置されたダミーメモリセルＤＭＣは、メモリセルＭＣと同一の特性（形状および構造）を有し...<br>【０１１８】 ...ダミーメモリセルＤＭＣを正規のメモリセルＭＣと同様の特性（構成および形状）とすることによって...連続的に作成されたＭＴＪメモリセルの一部を用いて、ダミーメモリセルＤＭＣを構成できる。 | 对比文件明确指出，存储单元阵列中的正规存储单元（MC）和虚拟存储单元（DMC）具有相同的特性（形状和结构），虚拟存储单元可以使用连续制作的MTJ存储单元的一部分来构成。这揭示了阵列中存储单元在物理结构和特性上是均匀的。目标专利中“均匀的”指位单元阵列本身物理结构一致，对比文件与此相符。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：其中所述多个感测放大器的配置是不均匀的，<br>**《隐含公开》** | 【００７６】 （１セルデコードモード）センスアンプ６４は、選択メモリセルおよびダミーメモリセルＤＭＣ（電気抵抗Ｒｍｉｎ）のそれぞれへのアクセス結果を比較し、センスアンプ６５は、選択メモリセルおよびダミーメモリセルＤＭＣ（電気抵抗Ｒｍａｘ）のそれぞれへのアクセス結果を比較することになる。<br>【００８０】 （２セルデコードモード）センスアンプ６４および６５は、相補のデータがそれぞれ書込まれている２个の選択メモリセルのそれぞれへのアクセス結果を、互いに逆の極性で比較することになる。<br>【図４、図５】 分别示出了两种模式下感测放大器（64,65,66）连接关系的差异。 | 对比文件公开了两种工作模式，在不同模式下，感测放大器所连接和比较的对象不同（单单元解码模式：一个选定单元与参考单元；双单元解码模式：两个选定单元之间）。这种根据模式切换连接关系的配置，意味着感测放大器的连接配置并非单一固定模式，而是可变的或不均匀的。本领域技术人员从对比文件公开的两种感测方案（比较对象不同）可以合理推断，为了实现这两种方案，感测放大器的配置（即它们与哪些存储单元连接以及如何比较）必然是不均匀的，以适应单端比较和差分比较的不同需求。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征F**：其中所述第一多个磁阻随机存取存储器位单元中的至少一个磁阻随机存取存储器位单元耦合至所述单端感测放大器，<br>**《直接公开》** | 【００７４】 １セルデコードモードでは、列選択部２７は、選択列のビット線ＢＬ（またはＢＬ♯）を読出データ線ＲＤＬ１と接続し...したがって、読出データ線ＲＤＬ１には、選択メモリセルの電気抵抗...に応じた電流および電圧が発生する。<br>【００７６】 ...センスアンプ６４は、選択メモリセルおよびダミーメモリセルＤＭＣ（電気抵抗Ｒｍｉｎ）のそれぞれへのアクセス結果を比較し... | 在对比文件的第一模式（单单元解码模式）下，一个选定的存储单元（对应于“第一多个MRAM位单元中的至少一个”）通过其位线连接到读出数据线，进而连接到感测放大器（如64）。感测放大器将该选定单元的信号与参考单元的信号进行比较，这正是一种单端感测操作。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G**：以及其中所述第二多个磁阻随机存取存储器位单元中的至少两个磁阻随机存取存储器位单元耦合至所述差分感测放大器。<br>**《直接公开》** | 【００７９】 ２セルデコードモードでは、列選択部２７は、選択列のビット線ＢＬおよびＢＬ♯を読出データ線ＲＤＬ１およびＲＤＬ２とそれぞれ接続する。したがって、読出データ線ＲＤＬ１およびＲＤＬ２には、２個の選択メモリセルの一方ずつの電気抵抗...に応じた電流および電圧が発生する。<br>【００８０】 センスアンプ６４および６５は、相補のデータがそれぞれ書込まれている２個の選択メモリセルのそれぞれへのアクセス結果を、互いに逆の極性で比較することになる。 | 在对比文件的第二模式（双单元解码模式）下，两个选定的存储单元（对应于“第二多个MRAM位单元中的至少两个”）通过各自的位线分别连接到读出数据线RDL1和RDL2，进而连接到感测放大器（如64和65）。感测放大器比较这两个选定单元的信号差，这正是一种差分感测操作。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是自旋力矩转移磁阻随机存取存储器阵列。<br>**《未公开》** | 无相应内容。对比文件通篇描述的是基于磁性隧道结（MTJ）和磁场写入的传统MRAM技术（例如，通过字线和位线电流产生的磁场进行写入，参见【００２５】-【００３０】），未提及自旋力矩转移（Spin Transfer Torque, STT）写入机制。 | 目标专利明确限定了MRAM位单元阵列是自旋力矩转移MRAM阵列。对比文件公开的MRAM是基于磁场写入的传统MRAM，其工作原理与STT-MRAM不同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该阵列是STT-MRAM。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是翻转磁阻随机存取存储器阵列。<br>**《未公开》** | 无相应内容。对比文件描述的是基于磁性隧道结（MTJ）的MRAM，未提及或暗示其为“翻转磁阻随机存取存储器”。本领域技术人员通常理解“翻转MRAM”可能指代特定类型或具有特定特性的MRAM，但对比文件未提供相关信息。 | 目标专利明确限定了MRAM位单元阵列是翻转MRAM阵列。对比文件未提及该特定类型。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特征。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述单端感测放大器进一步耦合至参考单元。<br>**《直接公开》** | 【００７５】 一方、ダミー選択ゲートＤＳＧ０およびＤＳＧ１の各々がターンオンするので、参照データ線ＤＬｒ０には電気抵抗Ｒｍａｘに対応した電流および電圧が発生し、参照データ線ＤＬｒ１には、電気抵抗Ｒｍｉｎに応じた電流および電圧が発生する。<br>【００７６】 ...センスアンプ６４は、選択メモリセルおよびダミーメモリセルＤＭＣ（電気抵抗Ｒｍｉｎ）のそれぞれへのアクセス結果を比較し、センスアンプ６５は、選択メモリセルおよびダミーメモリセルＤＭＣ（電気抵抗Ｒｍａｘ）のそれぞれへのアクセス結果を比較することになる。 | 在对比文件的第一模式（单单元解码模式）下，感测放大器（执行单端感测功能）将选定存储单元的信号与参考单元（即虚拟存储单元DMC，其被预写为固定电阻Rmax或Rmin）的信号进行比较。参考单元通过参考数据线（DLr0， DLr1）和开关（61，62）连接到感测放大器。因此，执行单端感测的感测放大器耦合至参考单元，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列中具有耦合至所述单端感测放大器的第一多个磁阻随机存取存储器位单元的部分慢于所述磁阻随机存取存储器位单元阵列中具有耦合至所述差分感测放大器的第二多个磁阻随机存取存储器位单元的部分。<br>**《隐含公开》** | 【０００７】 ...各ＭＴＪメモリセルごとに１ビットのデータ記憶を実行するアレイ構成では...データ読出精度が悪化するおそれがある。<br>【０００８】 ...相補データを書込まれた２個のＭＴＪメモリセルによって１ビットのデータ記憶を実行するアレイ構成を採用することが望ましい。<br>【０１１６】 ...データ容量が優先されるアプリケーションおよびデータ信頼性が優先されるアプリケーションの両方に柔軟に対応することができる。 | 对比文件指出，单单元存储模式（对应单端感测）可能存在读出精度问题，而双单元存储模式（对应差分感测）在数据可靠性方面更受期望。虽然未直接比较速度，但本领域技术人员公知，差分感测由于能够共模抑制噪声，通常可以提供更快、更可靠的信号检测。结合对比文件对两种模式在可靠性（可间接关联到速度或访问稳定性）方面差异的描述，以及目标专利中将单端感测部分作为“慢高速缓存区”、差分感测部分作为“快高速缓存区”的发明构思，本领域技术人员能够从对比文件公开的内容中合理推断：采用单端感测（单单元模式）的部分在性能（如速度或可靠性）上可能劣于采用差分感测（双单元模式）的部分。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其中所述混合高速缓存架构被集成到至少一个半导体管芯中。<br>**《直接公开》** | 【０００１】 この発明は、不揮発性記憶装置および**半導体集積回路装置**に関し...<br>【００９】 特に、用途の異なる複数の機能ブロックから構成される**システムＬＳＩ**（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）へＭＲＡＭデバイスを組込む場合...<br>【０２６３】 ［実施の形態４］ ...**システムＬＳＩ**の構成について説明する。<br>【０２６４】 ...実施の形態４に従う**システムＬＳＩ**５は、コントローラ６と、複数のアレイブロックＢＫ（１）〜ＢＫ（８）とを備える。 | 对比文件明确其发明涉及半导体集成电路装置，并在具体实施方式中描述了将MRAM设备集成到系统LSI（大规模集成电路）中。系统LSI即是在单个半导体管芯上集成了多个功能模块的芯片。因此，对比文件直接公开了将所述存储架构集成到至少一个半导体管芯中。 |
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