**对比文件名称**：WO2013191180A1_Description_20260618_1841
**目标专利名称**：1494用于显示装置或柔性显示装置的基底以及使用其的显示装置或柔性显示装置CN115884949B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：Td 1％为570℃或更高以及黄度指数为25或更大且60或更小的第一聚酰亚胺树脂层<br>**公开性：未公开** | 对比文件未记载第一聚酰亚胺树脂层的Td1%为570℃以上，亦未记载黄度指数为25~60。对比文件提及聚酰亚胺膜的“加热重量减少率在460℃、90分钟时为1.5%以下”（见热重量减少率段落），但非Td1%值。 | 目标专利明确限定第一PI层的Td1%≥570℃且黄度指数25~60，对比文件既无所述具体温度值，也无黄度指数数值，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：黄度指数小于25的第二聚酰亚胺树脂层<br>**公开性：未公开** | 对比文件未记载黄度指数数值。对比文件强调聚酰亚胺膜在440~780nm透过率≥80%（见透过率段落），但未给出黄度指数。 | 黄度指数是独立光学指标，对比文件虽提及透明性，但并未公开具体黄度指数小于25的聚酰亚胺层，且黄度指数与厚度相关，无法合理推断。 |
| **技术特征C**：第一无机材料层<br>**公开性：直接公开** | 对比文件记载：“ガスバリア層として、酸化珪素、酸化アルミニウム、炭化珪素、酸化炭化珪素、炭化窒化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の無機酸化物膜が好適に例示される。”（作为气体阻挡层，优选例示氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机氧化物膜。） | 对比文件明确公开了由无机材料构成的气体阻挡层，该层即为第一无机材料层，直接公开技术特征C。 |
| **技术特征D**：所述第一无机材料层定位在所述第一聚酰亚胺树脂层与所述第二聚酰亚胺树脂层之间<br>**公开性：未公开** | 对比文件图1显示气体阻挡层3-1形成于支撑基材1（PI）上，支撑基材可为单层或多层PI，但未公开无机层夹于两个PI层之间。实施例4为两层PI直接接触，无中间无机层。 | 目标专利明确第一无机层位于第一PI与第二PI之间，对比文件未给出此种夹层结构，本领域技术人员不能直接或隐含得出。 |
| **技术特征E**：具有100nm或更大且700nm或更小的厚度（第一无机材料层）<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开无机材料层的具体厚度范围。实施例中使用50nm硅氮化膜（“５０ｎｍのシリコン窒化膜をＣＶＤで成膜”），但该厚度仅为测试用，未限定范围。 | 目标专利限定厚度100~700nm，对比文件未记载该数值范围，仅提及50nm的单一厚度，无法直接或隐含公开。 |
| **技术特征F**：和第二无机材料层<br>**公开性：直接公开** | 对比文件记载：“このカソード電極８の面を被うようにしてガスバリア層3-2が形成されている。更にこの有機ＥＬ装置の最表面には、表面保護のため封止基板２が配置される。この封止基板２のカソード電極８側の面にはガスバリア層3-3が形成されるのが好ましい。”（以覆盖该阴极8的面的方式形成气体阻挡层3-2。此外，在该有机EL装置的最表面，配置有用于表面保护的密封基板2。优选在该密封基板2的阴极8侧的面形成气体阻挡层3-3。） | 对比文件公开了多个气体阻挡层（3-2、3-3），这些层即为第二无机材料层，直接公开了技术特征F。 |
| **技术特征G**：所述第二无机材料层形成在所述第二聚酰亚胺树脂层上<br>**公开性：未公开** | 对比文件图1中气体阻挡层3-2形成于阴极上，3-3形成于密封基板上，均不在PI层上。气体阻挡层3-1在PI支撑基材上，但该基材对应第一PI层，并非第二PI层。 | 目标专利要求第二无机层形成于第二PI树脂层上，对比文件未公开这种结构关系，无法直接或隐含得出。 |
| **技术特征H**：具有100nm或更大且500nm或更小的厚度（第二无机材料层）<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开第二无机材料层的厚度范围。实施例中仅提及50nm的无机膜厚度。 | 目标专利限定厚度100~500nm，对比文件无相应数值公开，故未公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第一聚酰亚胺树脂层和所述第二聚酰亚胺树脂层各自的黄度指数是基于10±1μm的厚度测量的<br>**公开性：未公开** | 对比文件未记载黄度指数及其测量方法，更未提及基于特定厚度的测量条件。 | 对比文件无任何关于黄度指数测量方法的内容，该特征未公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述Td 1％为在以下条件下测量当聚酰亚胺树脂层的重量减少率为1％时的温度：在50℃下保持等温5分钟<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开Td1%的测量方法。对比文件自行定义了“加热重量减少率”（460℃、90分钟），但与Td1%测量条件完全不同。 | 目标专利规定了具体的Td1%测量程序（50℃/5min等），对比文件未涉及，故未公开。 |
| **技术特征K**：并在将温度升至200℃之后，保持等温30分钟<br>**公开性：未公开** | 对比文件无相应记载。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征L**：在冷却至50℃然后稳定之后，以10℃/分钟的速率将温度升至600℃<br>**公开性：未公开** | 对比文件无相应记载。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征M**：在稳定之后，基于在100℃下的质量计算当重量减少率为1％时的温度<br>**公开性：未公开** | 对比文件无相应记载。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征N**：其中：整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的黄度指数为36或更小。<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开整个基底的黄度指数。 | 目标专利限定了整体黄度指数≤36，对比文件无相关数据或教导，未公开。 |
| **技术特征O**：其中：整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的黄度指数为36或更小。<br>（注：与N重复，但按列表单独列出）<br>**公开性：未公开** | 同N。 | 同N。 |
| **技术特征P**：其中：对于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底，<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开此引导性表述。 | 该特征仅为前缀，无实质技术内容，但对比文件未公开相关整体基底的技术方案。 |
| **技术特征Q**：在将温度升高2小时至430℃，<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开此热处理条件。 | 目标专利限定了具体的升温程序（2小时至430℃），对比文件未记载。 |
| **技术特征R**：经历2小时430℃下等温过程，<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未提及430℃等温2小时的过程。 |
| **技术特征S**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为50或更小。<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开。 | 目标专利限定了热处理后的黄度指数，对比文件无相关内容。 |
| **技术特征T**：其中：在将温度升高2小时至430℃，<br>**公开性：未公开** | 同Q。 | 同Q。 |
| **技术特征U**：经历2小时430℃下等温过程，<br>**公开性：未公开** | 同R。 | 同R。 |
| **技术特征V**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为30或更大且50或更小。<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开。 | 目标专利限定了更具体的黄度指数范围，对比文件无。 |
| **技术特征W**：其中：基于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的初始黄度指数，<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及初始黄度指数概念。 |
| **技术特征X**：在将温度升高2小时至430℃，<br>**公开性：未公开** | 同Q。 | 同Q。 |
| **技术特征Y**：经历2小时430℃下等温过程，<br>**公开性：未公开** | 同R。 | 同R。 |
| **技术特征Z**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数的百分比为130％或更小。<br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件无热处理后黄度指数变化百分比的教导。 |
综上，对比文件仅直接公开了技术特征C（第一无机材料层）和技术特征F（第二无机材料层），其余技术特征均未直接或隐含公开。
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