对比文件名称：JP2018103392A_Description_20260618_1555
目标专利名称：1494用于显示装置或柔性显示装置的基底以及使用其的显示装置或柔性显示装置CN115884949B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：Td 1％为570℃或更高以及黄度指数为25或更大且60或更小的第一聚酰亚胺树脂层（未公开） | 对比文件未记载具有Td 1％为570℃或更高以及黄度指数25-60的聚酰亚胺层。其公开的聚酰亚胺系薄膜为“膜厚５０μｍ時のイエローインデックス値（ＹＩ値）が５以下のポリイミド系フィルム”（【００１２】），且未提及Td 1％参数。 | 对比文件的聚酰亚胺层为透明型，YI值≤5，远小于25，且无关于Td 1％的任何描述，因此未公开技术特征A。 |
| 技术特征B：黄度指数小于25的第二聚酰亚胺树脂层（直接公开） | “膜厚５０μｍ時のイエローインデックス値（ＹＩ値）が５以下のポリイミド系フィルム”（【００１２】）；“イエローインデックス値（ＹＩ値）が、５以下であることが好ましく”（【００３６】）。 | 对比文件明确公开了聚酰亚胺系薄膜的YI值在50μm厚度时为5以下，该值小于25，因此直接公开了黄度指数小于25的聚酰亚胺树脂层。该层对应目标专利中的第二聚酰亚胺树脂层（低黄度层）。 |
| 技术特征C：第一无机材料层（直接公开） | “少なくともＳｉとＯを含み構成される層（ＳｉＯ層）”（【００１２】）；“金属元素をＳｉに対して、原子比で０．５％以上１０％以下含むＳｉとＯを含み構成される層”（【００１２】）。 | 对比文件公开了在聚酰亚胺系薄膜上形成包含Si和O的SiO层，该层为无机材料层，因此直接公开了第一无机材料层。 |
| 技术特征D：所述第一无机材料层定位在所述第一聚酰亚胺树脂层与所述第二聚酰亚胺树脂层之间（未公开） | 对比文件仅公开了单一的聚酰亚胺系薄膜，在其至少一面形成SiO层（【００１２】、実施例），未公开两个聚酰亚胺层且无机层位于它们之间的结构。 | 目标专利要求第一无机材料层夹在两聚酰亚胺层之间，对比文件不具有两个聚酰亚胺层，因此未公开该位置特征。 |
| 技术特征E：具有100nm或更大且700nm或更小的厚度（直接公开） | 实施例中SiO层厚度：実施例3：600nm；実施例5：500nm；実施例6：100nm；実施例7：100nm；実施例8：100nm（分别见对应实施例段落）。 | 对比文件公开了SiO层厚度为100nm、500nm、600nm等，均落入100-700nm范围内，因此直接公开了第一无机材料层的厚度范围。 |
| 技术特征F：和第二无机材料层（未公开） | 对比文件仅设有单层SiO层（【００１２】、実施例），未公开两个不同的无机材料层。 | 目标专利要求包括第一和第二两个无机材料层，对比文件只存在一个无机层，因此未公开技术特征F。 |
| 技术特征G：所述第二无机材料层形成在所述第二聚酰亚胺树脂层上（未公开） | 对比文件公开了SiO层形成在聚酰亚胺系薄膜上（【００１２】），但不存在第二无机材料层与第二聚酰亚胺树脂层的明确区分，且无机层仅为单层。 | 由于技术特征F未公开，且对比文件无第二无机材料层，故技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：具有100nm或更大且500nm或更小的厚度（未公开） | 尽管对比文件公开了100-500nm的厚度（实施例5：500nm；实施例6-8：100nm），但该厚度并非针对第二无机材料层。 | 基于技术特征F和G未公开，技术特征H不能独立成立，故未公开。 |
| 技术特征I：其中所述第一聚酰亚胺树脂层和所述第二聚酰亚胺树脂层各自的黄度指数是基于10±1μm的厚度测量的（未公开） | 对比文件以50μm厚度作为YI测量基准：“膜厚５０μｍ時のイエローインデックス値”（【００１２】、【００３６】），且提及膜厚换算方法，但未指定10±1μm的测量厚度。 | 目标专利明确限定测量厚度为10±1μm，对比文件未记载此条件，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述Td 1％为在以下条件下测量当聚酰亚胺树脂层的重量减少率为1％时的温度（未公开） | 对比文件未提及Td 1％或任何热重分析（TGA）测量方法及其条件。 | 对比文件完全没有公开关于Td 1％的信息，故未公开。 |
| 技术特征K：在50℃下保持等温5分钟（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征L：并在将温度升至200℃之后，保持等温30分钟（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征M：在冷却至50℃然后稳定之后，以10℃/分钟的速率将温度升至600℃（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征N：在稳定之后，基于在100℃下的质量计算当重量减少率为1％时的温度（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中：整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的黄度指数为36或更小（未公开） | 对比文件未给出整个层压体（PI膜+SiO层）的YI值，仅给出PI膜的YI值（【００３６】）。 | 因此未公开整个基底的黄度指数范围。 |
| 技术特征P：其中：对于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底（未公开） | 无相关引用。 | 同特征O，未公开。 |
| 技术特征Q：在将温度升高2小时至430℃（未公开） | 对比文件未进行430℃热处理，其改质处理采用加热、等离子体或紫外光处理（【００５０】-【００６０】）。 | 未公开该热处理步骤。 |
| 技术特征R：经历2小时430℃下等温过程（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征S：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为50或更小（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中：在将温度升高2小时至430℃（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征U：经历2小时430℃下等温过程（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征V：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为30或更大且50或更小（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中：基于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的初始黄度指数（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征X：在将温度升高2小时至430℃（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：经历2小时430℃下等温过程（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数的百分比为130％或更小（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
<<<B>>><<<C>>><<<E>>>