**对比文件名称**：JP2016201563A_Description_20260618_1851
**目标专利名称**：1494用于显示装置或柔性显示装置的基底以及使用其的显示装置或柔性显示装置CN115884949B
**本次调用的模型名称**：gpt-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **A**：Td 1%为570℃或更高以及黄度指数为25或更大且60或更小的第一聚酰亚胺树脂层<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件涉及IGBT半导体装置，未提及任何聚酰亚胺树脂层，更未涉及Td 1%或黄度指数。 | 对比文件的技术领域、组成和性能参数与特征A完全不同，本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出具有特定Td 1%和黄度指数的第一聚酰亚胺树脂层。 |
| **B**：黄度指数小于25的第二聚酰亚胺树脂层<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件未记载任何聚酰亚胺树脂层或黄度指数。 | 对比文件完全不涉及聚酰亚胺树脂层的黄度指数，无法公开或隐含公开该特征。 |
| **C**：第一无机材料层<br>**《直接公开》** | 段落[0094]：“例如，通过CVD等在半导体晶片1的表面1a上大致整个面上成膜氧化硅系绝缘膜等用于形成沟槽的硬掩膜32（例如，厚度约450nm）”。 | 对比文件明确公开了“氧化硅系绝缘膜”，属于无机材料层。虽然该层用于沟槽形成，但特征C仅限定“第一无机材料层”这一结构，未限定具体功能或位置，因此该技术特征被直接公开。 |
| **D**：所述第一无机材料层定位在所述第一聚酰亚胺树脂层与所述第二聚酰亚胺树脂层之间<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件的硬掩膜32直接形成在半导体晶片表面，不存在聚酰亚胺树脂层，更不存在两层聚酰亚胺树脂层之间的位置关系。 | 对比文件没有公开任何聚酰亚胺树脂层，因此不可能公开第一无机材料层位于两层聚酰亚胺树脂层之间的特定位置关系。 |
| **E**：具有100nm或更大且700nm或更小的厚度<br>**《直接公开》** | 段落[0094]：“…硬掩膜32（例如，厚度约450nm）”。 | 对比文件公开了厚度为450nm的无机材料层，该数值完全落入100nm~700nm的范围内。特征E是厚度范围，对比文件直接给出了具体数值，因此被直接公开。 |
| **F**：和第二无机材料层<br>**《直接公开》** | 段落[0099]：“…形成栅绝缘膜22（例如，厚度约120nm）”。<br>段落[0105]：“…形成层间绝缘膜26，例如PSG膜（厚度约600nm）”。 | 对比文件公开了多种无机材料层（如栅绝缘膜、层间绝缘膜），均为无机材料层。特征F仅限定“第二无机材料层”，未限定具体材料或位置，因此对比文件直接公开了该上位概念。 |
| **G**：所述第二无机材料层形成在所述第二聚酰亚胺树脂层上<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件的所有无机材料层均形成在半导体晶片或沟槽内，不存在聚酰亚胺树脂层，不具有“第二聚酰亚胺树脂层上”的结构。 | 对比文件未公开聚酰亚胺树脂层，从而无法公开第二无机材料层形成在第二聚酰亚胺树脂层上的位置关系。 |
| **H**：具有100nm或更大且500nm或更小的厚度<br>**《直接公开》** | 段落[0099]：“…形成栅绝缘膜22（例如，厚度约120nm）”。 | 对比文件公开了厚度为120nm的无机材料层（栅绝缘膜），该数值完全落入100nm~500nm的范围内。特征H是厚度范围，对比文件直接给出了具体数值，因此被直接公开。 |
| **I**：其中所述第一聚酰亚胺树脂层和所述第二聚酰亚胺树脂层各自的黄度指数是基于10±1μm的厚度测量的<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件未涉及任何聚酰亚胺树脂层或黄度指数的测量。 | 对比文件完全没有公开聚酰亚胺树脂层及其黄度指数测量方法，无法公开或隐含公开该技术特征。 |
| **J**：其中，所述Td 1%为在以下条件下测量当聚酰亚胺树脂层的重量减少率为1%时的温度<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件未提及Td 1%测量或聚酰亚胺的重量减少率。 | 特征J涉及具体的测量条件，对比文件完全不涉及，本领域技术人员无法从中得知该测量方法。 |
| **K**：在50℃下保持等温5分钟<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何热重分析步骤。 |
| **L**：并在将温度升至200℃之后，保持等温30分钟<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开该升温及保温步骤。 |
| **M**：在冷却至50℃然后稳定之后，以10℃/分钟的速率将温度升至600℃<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开该冷却和升温程序。 |
| **N**：在稳定之后，基于在100℃下的质量计算当重量减少率为1%时的温度<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开计算方法。 |
| **O**：其中：整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的黄度指数为36或更小<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件不涉及显示基底。 | 特征O限定整个基底的黄度指数，对比文件未公开任何基底的黄度指数。 |
| **P**：其中：对于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件不涉及显示基底。 | 特征P为引导性描述，对比文件未公开显示装置或柔性显示装置的基底。 |
| **Q**：在将温度升高2小时至430℃<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。对比文件未公开此类热处理步骤。 | 对比文件没有提及430℃升高2小时的热处理。 |
| **R**：经历2小时430℃下等温过程<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开该等温过程。 |
| **S**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为50或更小<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开热处理后的黄度指数。 |
| **T**：其中：在将温度升高2小时至430℃<br>**《未公开》** | 同特征Q。 | 相同理由。 |
| **U**：经历2小时430℃下等温过程<br>**《未公开》** | 同特征R。 | 相同理由。 |
| **V**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为30或更大且50或更小<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开该范围。 |
| **W**：其中：基于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的初始黄度指数<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及初始黄度指数。 |
| **X**：在将温度升高2小时至430℃<br>**《未公开》** | 同特征Q。 | 相同理由。 |
| **Y**：经历2小时430℃下等温过程<br>**《未公开》** | 同特征R。 | 相同理由。 |
| **Z**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数的百分比为130%或更小<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开该百分比。 |
## 公开性代码总结
根据以上判断，对比文件直接公开了技术特征C、E、F、H，因此插入相应大写代码；其他技术特征均未被直接公开或隐含公开，不插入代码。
<<<C>>><<<E>>><<<F>>><<<H>>>