对比文件：2018-04-05_JP2018509658A_发明专利_JP2018509658A 反射型液晶素子およびその用途
目标专利：1509光调制元件CN113330358B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译，标注段落） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括第一光调制层（直接公开） | [0021] 本申请的反射型液晶元件包括ゲスト−ホスト液晶层、预倾垂直配向膜和1/4波板。<br>[0022] 本申请的液晶元件包括ゲスト−ホスト液晶层。 | 对比文件明确公开了其液晶元件包括一个液晶层，该液晶层在功能上相当于光调制层，可视为第一光调制层。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：第一光调制层包含向列型液晶、二色性染料和导电添加剂（未公开） | [0023] ゲスト−ホスト液晶层包含液晶化合物和二色性染料。<br>[0037] 本申请的ゲスト−ホスト液晶层包含液晶化合物。<br>[0041] 液晶化合物可以是向列型液晶化合物。 | 对比文件公开了第一光调制层（液晶层）包含向列型液晶和二色性染料，但完全没有公开导电添加剂及其种类。因此技术特征B整体未公开。 |
| 技术特征C：在其中施加电压的状态下实现散射模式（未公开） | [0124] 本申请的反射型液晶元件在施加外部电场实现遮断模式时，也能实现雾度低的透明模式。<br>[0125] 本申请的反射型液晶元件在施加外部电场时能够维持透明模式。 | 对比文件在施加电压时实现的是遮断模式和透明模式（低雾度），而非散射模式（高雾度），因此技术特征C未公开。 |
| 技术特征D：和第二光调制层（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件仅描述了一个液晶层，没有公开或暗示存在第二个光调制层，因此技术特征D未公开。 |
| 技术特征E：第二光调制层包含向列型液晶、二色性染料和导电添加剂（未公开） | 同特征B，但第二光调制层未公开。 | 对比文件未公开第二光调制层，也未公开其中含有导电添加剂，因此技术特征E未公开。 |
| 技术特征F：在其中施加电压的状态下实现散射模式（未公开） | 同特征C。 | 对比文件未公开散射模式，也未公开第二光调制层，因此技术特征F未公开。 |
| 技术特征G：第一光调制层和第二光调制层各自为雾度可变层（未公开） | [0126] 本申请中术语“透明模式”是指液晶元件的雾度小于10%的状态。 | 对比文件追求低雾度，没有公开具有雾度可变特性的层，也未公开两个光调制层，因此技术特征G未公开。 |
| 技术特征H：根据外部能量的施加，雾度可变层在雾度不同的第一与第二状态之间转换（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有描述雾度在不同状态之间显著变化，施加电压时保持低雾度，没有转换，因此技术特征H未公开。 |
| 技术特征I：第一状态与第二状态之间的雾度差为10%或更大（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有雾度差的概念，因此技术特征I未公开。 |
| 技术特征J：导电添加剂包括反应性液晶元（未公开） | [0074] 用于1/4波板的反应性液晶元(Reactive Mesogen)可以是例如具有2个以上聚合性官能团的液晶元。 | 对比文件中的反应性液晶元仅用于形成1/4波板，并非作为液晶层中的导电添加剂，也未公开任何导电添加剂，因此技术特征J未公开。 |
| 技术特征K：将第一光调制层和第二光调制层设置成彼此重叠（未公开） | 图2、图3仅显示单个液晶层。 | 对比文件没有教导或暗示将两个光调制层重叠设置，因此技术特征K未公开。 |
| 技术特征L：光调制元件的对比度CR为10或更大，通过方程式1计算（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有公开对比度CR及其计算方式，也未定义透射率比，因此技术特征L未公开。 |
| 技术特征M：[方程式1]CR＝T(0V)/T(60V)（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有公开该方程式，因此技术特征M未公开。 |
| 技术特征N：T(0V)为在其中不向第一光调制层和第二光调制层中的每一者施加电压的状态下光调制元件的以％计的总透射率（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有定义T(0V)，也没有涉及多层总透射率，因此技术特征N未公开。 |
| 技术特征O：T(60V)为在其中向第一光调制层和第二光调制层中的每一者施加60V的电压的状态下光调制元件的以％计的总透射率（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有定义T(60V)，也没有涉及60V透射率，因此技术特征O未公开。 |
| 技术特征P：光调制元件的雾度差ΔH为50％或更大，通过方程式2计算（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有雾度差的概念，因此技术特征P未公开。 |
| 技术特征Q：[方程式2]ΔH＝H(60V)‑H(0V)（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有公开该方程式，因此技术特征Q未公开。 |
| 技术特征R：H(0V)为在其中不向第一光调制层和第二光调制层中的每一者施加电压的状态下光调制元件的以％计的雾度（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有定义H(0V)，因此技术特征R未公开。 |
| 技术特征S：H(60V)为在其中向第一光调制层和第二光调制层中的每一者施加60V的电压的状态下光调制元件的以％计的雾度（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有定义H(60V)，因此技术特征S未公开。 |
| 技术特征T：第一光调制层和第二光调制层各自包含在其中不施加电压的状态下处于垂直取向状态的向列型液晶和二色性染料（未公开） | [0049] 在本申请的ゲスト−ホスト液晶层中，液晶化合物由预倾垂直配向膜以相对于液晶层基材面呈预定角度预倾配向。液晶化合物被预倾垂直配向是指：液晶层表面与液晶层内液晶化合物的光轴成预定角度（例如70°～90°）的配向状态。<br>[0050] 具体地，在不施加外部电场时，ゲスト−ホスト液晶层所含液晶化合物的预倾角可以在70°～90°范围内。<br>[0024] 本申请的ゲスト−ホスト液晶层可以包含单向配向的液晶化合物以及由该液晶化合物配向的二色性染料。 | 对比文件公开了在不施加电压时其液晶层（可视为第一光调制层）中液晶化合物处于70°～90°的垂直取向状态，且二色性染料随其取向。但是对比文件仅公开了一个液晶层具有该状态，未公开第二光调制层的同样状态，也未公开第二光调制层的存在。因此技术特征T整体未公开。 |
| 技术特征U：包含在第一光调制层和第二光调制层中的每一者中的向列型液晶具有负的介电常数各向异性（未公开） | [0043] 向列型液晶化合物还可以是异常介电常数(εe)与正常介电常数(εo)之差(Δε=εe‑εo)为负值的化合物，业界称为N型液晶。 | 对比文件公开了向列型液晶（N型）具有负介电常数各向异性。但该公开仅涉及液晶材料本身，并未明确该液晶被包含于第一和第二光调制层每一者中（对比文件未公开第二光调制层）。因此技术特征U整体未公开。 |
| 技术特征V：导电添加剂的电导率在2×10⁻⁴ μS/cm至5×10⁻³ μS/cm的范围内（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件没有公开任何导电添加剂及其电导率，因此技术特征V未公开。 |
| 技术特征W：包含在第一光调制层和第二光调制层中的每一者中的二色性染料的浓度在0.01重量％至5重量％的范围内（未公开） | [0035] 在一个示例中，ゲスト−ホスト液晶层可以相对于100重量份液晶化合物包含0.3～3重量份的二色性染料。[0036] 在其他示例中，二色性染料的含量可以是0.4～2.8重量份、0.5～2.5重量份或0.8～2重量份。 | 对比文件公开了二色性染料的浓度范围（0.3～3重量%），该范围落入0.01～5%内。但该公开仅针对一个液晶层，未明确涉及第一和第二光调制层每一者（对比文件未公开第二光调制层）。因此技术特征W整体未公开。 |
| 技术特征X：第一光调制层和第二光调制层各自具有在4μm至25μm范围内的厚度（未公开） | [0053] ゲスト−ホスト液晶层的厚度例如可以在3μm～30μm范围内。 | 对比文件公开了液晶层的厚度范围（3～30μm），该范围覆盖4～25μm。但该公开仅针对一个液晶层，未明确涉及第一和第二光调制层每一者（对比文件未公开第二光调制层）。因此技术特征X整体未公开。 |
| 技术特征Y：第二基底和第三基底通过粘合剂附接（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开双单元结构，也没有公开第二基底和第三基底通过粘合剂附接，因此技术特征Y未公开。 |
| 技术特征Z：第二基底和第三基底通过压敏粘合剂附接（未公开） | 无相关记载。 | 同特征Y，未公开。因此技术特征Z未公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A，但未直接公开或隐含公开其他技术特征。
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