**对比文件名称：** 2014-10-01_KR1020140116158A_发明公开_KR1020140116158A 황화물 고체 전해질 재료, 전지 및 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법
**目标专利名称：** 1514硫化物型固体电解质、其制备方法和包含其的全固态电池CN113937350B
**模型名称：** 本次调用的模型为进行专利创造性评估的资深专利代理师模型。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 其特征在于，所述硫化物型固体电解质包含由Li₁₃Sn₂InS₁₂表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物。<br><br>**公开性：未公开** | 对比文件未公开任何具体分子式为Li₁₃Sn₂InS₁₂的化合物。对比文件涉及的是Li‑Sn‑P‑S体系（必须同时含有P和Sn），其M2元素列表虽包含In（[0009]），但所有实施例均使用P和Sn的组合（如Li₃.₂₇₅Sn₀.₂₇₅P₀.₇₂₅S₄、Li₃.₃(Si₀.₂Sn₀.₈)₀.₃P₀.₇S₄等），且明确指出M2至少含有P和Sn（[0009]、[0044]）。目标专利的Li₁₃Sn₂InS₁₂不含P，且以In替代Sn位点，对比文件没有给出不含P的Li‑Sn‑In‑S化合物的任何技术启示。 | 目标专利的LTMS型化合物通过用In完全替代P，实现高离子电导率同时避免产生H₂S。对比文件要求M2必须含有P，其所有技术方案均基于Li‑P‑S体系，且无任何实施例教导或暗示可以制备不含P的Li‑Sn‑In‑S化合物。本领域技术人员从对比文件无法毫无疑义地得出Li₁₃Sn₂InS₁₂这一具体化合物，且对比文件公开的内容不能合理推断出该化合物，故未直接或隐含公开。 |
| **技术特征B：** 所述硫化物型固体电解质用于形成全固态电池的固体电解质层。<br><br>**公开性：直接公开** | [0063] “本发明的电池是包含正极活性物质层、负极活性物质层和形成于正极活性物质层和负极活性物质层之间的电解质层的电池，其中所述正极活性物质层、所述负极活性物质层和所述电解质层中的至少一个包含上述硫化物固体电解质材料。”<br>[0073] “在本发明中，优选所述固体电解质层包含上述硫化物固体电解质材料。” | 对比文件明确记载其硫化物固体电解质材料可用于形成电池的电解质层（即固体电解质层），且该材料在电池中起到离子传导的作用，与目标专利中固体电解质用于形成全固态电池固体电解质层的作用完全相同。因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C：** 其特征在于，所述方法包括如下步骤：i)将锂硫化物、锡硫化物和含M的硫化物混合，其中M是In。<br><br>**公开性：未公开** | 对比文件公开了使用锂硫化物（如Li₂S）、锡硫化物（如SnS₂）和其他硫化物（如P₂S₅、GeS₂、SiS₂等）作为原料进行混合（[0084]、[0107]-[0113]）。但所有实施例中的“含M的硫化物”均不含有M为In的硫化物（In₂S₃）。对比文件仅在宽泛的M2元素列表中提及In（[0009]、[0044]），但从未在制备方法的具体步骤中公开使用含In的硫化物作为原料。 | 目标专利的方法步骤专门限定M是In，且该步骤是合成Li₁₃Sn₂InS₁₂的关键。对比文件虽然理论上将In列为可选的M2元素之一，但从未给出任何使用In硫化物作为原料的具体实施方案，更重要的是对比文件要求M2必须同时含有P和Sn，因此本领域技术人员从对比文件不能毫无疑义地得出“M是In”的技术方案，也无法合理推断出该特征（因为若使用In则必须同时使用P，这与本特征M仅限In不符）。 |
| **技术特征D：** （空缺） | – | 技术特征描述为空，不作评价。 |
| **技术特征E：** ii)对混合物进行热处理。<br><br>**公开性：直接公开** | [0082] “...通过机械研磨合成非晶化的离子导电性材料的离子导电性材料合成工序，和将所述非晶化的离子导电性材料加热而得到所述硫化物固体电解质材料的加热工序。”<br>[0096] “加热工序是将所述非晶化的离子导电性材料加热而得到所述硫化物固体电解质材料的工序。”<br>[0107]-[0113] 各实施例均在机械研磨后进行了加热处理（例如550℃保持8小时）。 | 对比文件明确公开了制备过程中对混合原料（先机械研磨获得非晶化物）进行加热（热处理）的步骤，该步骤的作用是使非晶化物结晶获得目标固体电解质。与目标专利中“对混合物进行热处理”以制备硫化物型固体电解质的作用完全相同。因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征F：** 其特征在于，所述热处理在400℃至850℃下进行一次或多次。<br><br>**公开性：直接公开** | [0098] “所述加热温度优选为300℃以上，更优选350℃以上，进一步优选400℃以上，特别优选450℃以上；另一方面，所述加热温度优选为1000℃以下，更优选700℃以下，进一步优选650℃以下，特别优选600℃以下。”<br>[0108] 实施例1：“在550℃保持8小时。”<br>对比文件在[0098]还指出加热可在惰性气体或真空中进行，且虽未明确“一次或多次”，但实施例中均采用单次加热，该单次加热落入了“一次或多次”的范畴。 | 对比文件明确公开了热处理的温度范围（400-600℃为优选，完全落入目标专利的400-850℃内），且通过实施例公开了在550℃进行一次热处理。本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定对比文件的热处理温度和时间满足目标专利的温度范围，“一次”也属于“一次或多次”的下位概念。该热处理步骤在对比文件中起到使非晶化物结晶以提高离子电导率的作用，与目标专利相同。因此本技术特征被直接公开。 |
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