对比文件名称：2013-12-10_KR1020130134241A_发明公开_KR1020130134241A ＳｉＯｘ―탄소나노튜브 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이의 제조방법
目标专利名称：负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B
调用模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文，标注段落） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括负极集电器** 《直接公开》 | [0036]“负极集电器可以使用铜、金、镍或铜合金等制造的箔等。”；[0051]“将制备的浆料涂覆在铜箔上”。 | 对比文件明确公开了负极集电器的种类（如铜箔），并在实施例中实际使用铜箔作为集电器，本领域技术人员可直接、毫无疑义地得出该特征。 |
| **技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层** 《直接公开》 | [0051]“将制备的浆料涂覆在铜箔上……干燥后得到负极。” | 对比文件公开了在铜箔（集电器）上形成负极活性材料层，该层直接位于集电器上，位置和作用与目标专利的第一负极活性材料层一致，因此直接公开。 |
| **技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层** 《未公开》 | 对比文件所有实施例和对比例均只形成单层负极活性材料层，没有第二层的任何记载。 | 对比文件未教导或暗示在已有活性材料层上再设置第二层，本领域技术人员无法由此直接或合理推断出双层结构，故未公开。 |
| **技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂** 《未公开》 | 对比文件[0051]单层包括负极活性材料（SiO-CNT复合物+石墨）和导电剂（DB）等；无第二层的组成。 | 对比文件仅公开单层活性材料层包含活性材料和导电剂，未涉及第二层的任何内容，特征D要求同时限定两层组成，整体未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料** 《未公开》 | [0007]公开SiOx(0<x≤1)作为硅基活性材料，但用于单层负极活性材料层，未指定为“第二负极活性材料”。 | 虽然对比文件公开了硅基活性材料，但并未将其与第二层关联，特征E明确针对“第二负极活性材料”，故未公开。 |
| **技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)** 《直接公开》 | [0007]“提供一种负极活性材料，包括由SiOx(0<x≤1)和碳纳米管以99-95:1-5重量%组成的SiOx-碳纳米管复合物。” | 对比文件公开的SiOx(0<x≤1)完全落入目标专利的SiOx(0≤x<2)范围内，因此本领域技术人员可直接得到该特征。 |
| **技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构** 《未公开》 | [0016]“碳纳米管可以是单壁碳纳米管、多壁碳纳米管或碳纳米纤维。”未描述并排结合的束状结构及单元数量。 | 对比文件未限定单壁碳纳米管需并排结合成特定的碳纳米管结构，也未提及单元数量范围，故未公开。 |
| **技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中** 《未公开》 | 对比文件表1显示实施例2-4中CNT含量分别为0.194%、0.097%、0.484%，但该CNT并非目标专利定义的碳纳米管结构，且不存在第二层。 | 对比文件中的CNT与目标专利的碳纳米管结构形态不同，且未在任何“第二层”中限定含量，因此未公开。 |
| **技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种** 《直接公开》 | 对比文件[0016]“碳纳米管可以是单壁碳纳米管、多壁碳纳米管或碳纳米纤维”；表1比较例2（[0061]）显示导电剂为CNT:DB=0.2:1。 | 对比文件公开了使用多壁碳纳米管单元作为导电剂（比较例2直接添加CNT），属于特征I所列举的导电剂之一，故直接公开。 |
| **技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构** 《未公开》 | 对比文件未记载碳纳米管结构，更未涉及任何互连形成网络的内容。 | 对比文件无相关教导，无法得到该特征。 |
| **技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中** 《未公开》 | 对比文件未公开碳纳米管结构。 | 同G，未公开。 |
| **技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合** 《未公开》 | 对比文件未描述单壁碳纳米管单元的排列方式。 | 对比文件无任何关于单壁碳纳米管单元平行结合的内容。 |
| **技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm** 《未公开》 | 对比文件未公开碳纳米管结构的长度。 | 对比文件未给出相关数值或限定。 |
| **技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm** 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm** 《未公开》 | 对比文件未公开碳纳米管结构的直径。 | 对比文件未给出相关数值。 |
| **技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm** 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中** 《未公开》 | 对比文件未公开碳纳米管结构。 | 同K。 |
| **技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm** 《未公开》 | [0016]仅提及可使用单壁碳纳米管，未给出其直径范围。 | 对比文件未限定单壁碳纳米管的直径，且未涉及碳纳米管结构中的单元。 |
| **技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构** 《未公开》 | 对比文件未公开碳纳米管结构单元的结合数量。 | 对比文件无任何关于束中单元数量的教导。 |
| **技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm** 《未公开》 | 对比文件未公开第一负极活性材料层的厚度。 | 对比文件未记载厚度数值或范围。 |
| **技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm** 《未公开》 | 对比文件未公开第二负极活性材料层的厚度。 | 对比文件未记载第二层及其厚度。 |
<<<A>>><<<B>>><<<F>>><<<I>>>