尊敬的资深专利代理师，以下是本次评估的详细分析和特征比对表格。
**对比文件的名称**：2015-07-27_KR1020150086288A_发明公开_KR1020150086288A 장치 및 장치의 형성 방법
**目标专利的名称**：1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-Chat
---
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用（翻译成中文） | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：包括负极集电器<br>《直接公开》 | [0080]：“所述电池(200)包括导电阳极集流体层(201)，例如金属层；第一复合阳极层(203a)；第二复合阳极层(203b)；...” | 对比文件明确公开了导电阳极集流体层（即负极集电器），其作用与目标专利中的负极集电器相同，均为承载电极活性材料层的导电基底。本领域技术人员可毫无疑义地确定该特征已被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层<br>《直接公开》 | [0080]：“所述电池(200)包括导电阳极集流体层(201)，例如金属层；第一复合阳极层(203a)；...” | 对比文件明确公开了第一复合阳极层（即第一负极活性材料层）直接设置在集流体层上，结构层次与目标专利相同。直接公开。 |
| 技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层<br>《直接公开》 | [0080]：“...第一复合阳极层(203a)；第二复合阳极层(203b)；...” | 对比文件明确公开了第二复合阳极层（即第二负极活性材料层）设置在第一复合阳极层之上，层次关系与目标专利完全一致。直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂<br>《直接公开》 | [0081]：“复合阳极层(203a)和(203b)分别至少包含粘合剂和一种或多种电活性物质颗粒……它们还可包含一种或多种附加组分，例如一种或多种非活性导电材料，如炭黑颗粒。”<br>[0227]（实施例）：第一层由石墨（活性材料）、VGCF（导电剂）和PVDF粘合剂以94:3:3的重量比形成。<br>[0228]（实施例）：第二层由活性硅（活性材料）、NaPAA粘合剂、SFG6石墨和Cmix（导电剂混合物，包含碳纳米管、VGCF、EC600）以70:14:12:4的重量比形成。 | 对比文件明确记载第一层和第二层均包含活性材料和导电剂。第一层中活性材料为石墨，导电剂为VGCF；第二层中活性材料为硅，导电剂为碳纳米管、VGCF、EC600的混合物。这与特征D的第一层和第二层均包含活性材料和导电剂完全对应。直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料<br>《直接公开》 | [0088]：“优选地，所述第一复合阳极层的活性主要成分是石墨，所述第二复合阳极层的活性主要成分是硅。”<br>[0228]（实施例）：第二层使用“active silicon”（活性硅）作为活性材料。 | 对比文件明确公开第二负极活性材料层的主要活性成分为硅（硅基活性材料），与目标专利特征E一致。直接公开。 |
| 技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)<br>（未公开） | 对比文件中未找到任何关于SiOx作为活性材料或作为第二层主要活性成分的记载。全文提及“氧化硅”（[0009]背景技术）仅作为单独层，并非活性材料。 | 对比文件未公开SiOx(0≤x<2)作为硅基活性材料。目标专利中SiOx是区别于单质硅的特定硅氧化物，具有不同的充放电行为。对比文件未给出任何关于SiOx的教导或暗示，本领域技术人员不能直接或合理推断出第二层活性材料包含SiOx。因此不满足公开要求。 |
| 技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构<br>（未公开） | [0069]：“所述导电颗粒可包括碳纤维、碳纳米管、科琴黑、灯黑、乙炔黑、石墨烯、沥青黑。”<br>[0228]（实施例）：第二层的Cmix包含碳纳米管（탄소 나노튜브），但未指明碳纳米管的具体类型（单壁/多壁）或几何结构（如多个单壁单元并排结合）。 | 对比文件仅笼统提及碳纳米管，未明确其是单壁还是多壁，更未公开特定“2至5000个单壁碳纳米管单元并排结合”的碳纳米管结构。目标专利强调的这种绳状结构具有特定作用和制备方法，在对比文件中没有记载或暗示。本领域技术人员不能从对比文件中获得该结构特征。 |
| 技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中<br>（未公开） | 基于[0228]实施例计算：第二层Cmix占4重量份（总份100），Cmix中碳纳米管比例为5/(5+5+2)=5/12，故碳纳米管占第二层的质量百分数为4×(5/12)=1.667重量％，超出0.01~1.0%的范围。且对比文件未明确碳纳米管含量。 | 即使将对比文件中的碳纳米管视为与特征G的碳纳米管结构等同（已有理由否定），其含量也远高于目标专利限定的上限（1.0wt%）。且对比文件未公开单一导电剂（碳纳米管）在整个层中的具体质量百分比，仅给出了含碳纳米管的混合物总比例。因此该特征未被公开。 |
| 技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种<br>（未公开） | [0227]（实施例）：第一层导电剂为VGCF（蒸汽生长碳纤维），属于碳纤维而非碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元。<br>[0068]：对比文件提及导电接触层可含碳纳米管，但未涉及第一负极活性材料层的导电剂选择。 | 对比文件的第一层具体实施例中仅使用VGCF（碳纤维），未使用碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元。虽然在总体描述中导电剂列表包含碳纳米管，但并未明确限定第一层必须或可选自这些具体类型的碳纳米管。本领域技术人员不能唯一地或合理推断出第一导电剂必然包括所述碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元。 |
| 技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构<br>（未公开） | 对比文件未描述碳纳米管（或导电剂）在第二层中互连形成网络结构的具体形态。仅一般性说明导电添加剂用于提高导电性。 | 对比文件没有公开特定碳纳米管结构的存在，更未公开其互连形成网络。目标专利中该网络结构是提升导电性和寿命的关键，对比文件中无相关记载或暗示。 |
| 技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中<br>（未公开，与L结合考虑） | 无相关记载。 | 该特征是后续限定的引子，但对比文件未公开任何形式的特定碳纳米管结构，因此无从谈起该结构中的任何进一步特征。 |
| 技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合<br>（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开单壁碳纳米管单元的具体排列方式，更未提及“长轴彼此平行布置结合”的束状结构。 |
| 技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm<br>（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未明确碳纳米管（无论类型）的长度范围，更未限定特定结构下1~500μm的长度。 |
| 技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm<br>（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开碳纳米管结构的长度范围，更未提及2~50μm的优选范围。 |
| 技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm<br>（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开碳纳米管结构的直径范围，更未提及2~500nm的范围。 |
| 技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm<br>（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开碳纳米管结构的直径范围，更未提及5~200nm的范围。 |
| 技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中<br>（未公开，与R结合考虑） | 无相关记载。 | 同技术特征K，缺乏基础结构公开。 |
| 技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm<br>（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开单壁碳纳米管单元的平均直径，也未隐含任何具体直径范围。 |
| 技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构<br>（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何形式的碳纳米管结构，更未限定其中单壁单元的数量为2~50个。 |
| 技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm<br>《直接公开》 | [0137]：“所述第一复合阳极层(203a)的厚度优选约20至40微米的范围。” | 20~40μm完全落入1~100μm的范围内。对比文件公开了该范围，本领域技术人员可直接得出第一层厚度满足1~100μm。直接公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm<br>《直接公开》 | [0137]：“所述第二复合阳极层(203b)的厚度优选5至20微米的范围。” | 5~20μm完全落入1~100μm的范围内。对比文件公开了该范围，直接公开。 |
---
**结论**：对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、T、U。对于其他技术特征（F～S、I～R等），对比文件未直接或隐含公开。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<T>>><<<U>>>