对比文件名称：2015-09-02_CN104885262A_发明公开_CN104885262A 装置和形成装置的方法
目标专利名称：1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括负极集电器（直接公开） | 段落[0004]：“导电层101，诸如金属层”；段落[0104]：“导电阳极集电体层201，诸如金属层” | 对比文件明确公开了用于负极的集电体（导电层），其功能与目标专利的负极集电器相同，均为收集电流和承载活性材料层。 |
| 技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层（直接公开） | 段落[0104]：“第一复合阳极层203a”；段落[0066]：“第一复合电极层形成在导电层上” | 对比文件公开了第一复合阳极层直接形成在导电集电体上，对应目标专利的第一负极活性材料层，结构位置相同。 |
| 技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层（直接公开） | 段落[0104]：“第二复合阳极层203b”；段落[0067]：“第二复合电极层形成在第一复合电极层上” | 对比文件公开了第二复合阳极层叠置于第一复合阳极层之上，对应目标专利的第二负极活性材料层，层间顺序一致。 |
| 技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂（直接公开） | 段落[0105]：“阳极层103可以包括电活性材料的粒子以及粘合剂材料...还可以包括一种或多种非活性导电材料的粒子，例如，碳黑”；段落[0230]：“每个复合阳极层可以单独地包括一种或多种粒子化的非活性导电添加剂，例如，碳纤维、碳纳米管、科琴黑、灯黑、乙炔黑、沥青黑和石墨烯”；实施例[0250]第一层包含VGCF（导电剂），第二层包含Cmix（碳纳米管、VGCF、炭黑混合物） | 对比文件明确揭示了每个复合阳极层均包含活性材料（电活性粒子）和至少一种导电剂，第一层用VGCF、第二层用碳基导电混合物，与目标专利的每层含活性材料和导电剂完全对应，功能相同。 |
| 技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料（直接公开） | 段落[0113]：“第二复合层包括作为主要活性组分的硅”；段落[0043]：“第二复合电极层的主要活性组分选自由硅、锡、铝、铅和锑构成的组” | 对比文件明确第二复合阳极层的主要活性组分为硅，属于硅基活性材料，用于提高电池容量，与目标专利作用一致。 |
| 技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)（未公开） | 对比文件全文未提及SiOx或氧化硅，仅涉及单质硅及其复合物。 | 对比文件未公开任何形式的氧化硅（SiOx），本领域技术人员无法从纯硅的公开直接或隐含得出SiOx的特征。 |
| 技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构（未公开） | 对比文件仅笼统提及“碳纳米管”（段落[0230]），但未说明是单壁或多壁，更未描述其微观结构为若干单元并排结合。 | 对比文件未公开碳纳米管的结合状态和数量范围，本领域技术人员不能唯一确定这种特定结构。 |
| 技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中（未公开） | 对比文件未给出任何碳纳米管结构在层中的含量范围，实施例虽有导电剂比例（如Cmix占比4%），但非特指此结构且范围不同。 | 对比文件未公开该具体含量范围，无法直接得出。 |
| 技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种（未公开） | 对比文件第一层实施例使用VGCF（气相生长碳纤维），不属于碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元。对比文件虽然提到可添加碳纳米管，但未限定第一层必须选用此类。 | 对比文件未将第一导电剂限定为碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元，也未给出相应启示。 |
| 技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构（未公开） | 对比文件未描述碳纳米管在层内的分布形态，更未提及互连成网络。 | 对比文件没有公开碳纳米管形成网络结构的技术内容。 |
| 技术特征K-L：在碳纳米管结构中，单壁碳纳米管单元在长轴彼此平行布置的状态下结合（未公开） | 对比文件未涉及碳纳米管的排列方式。 | 对比文件未公开单壁碳纳米管单元的平行结合状态。 |
| 技术特征M-N：碳纳米管结构的平均长度（M：1μm至500μm；N：2μm至50μm）（未公开） | 对比文件未给出碳纳米管结构（或一般碳纳米管）的长度范围。 | 对比文件没有提供任何长度尺寸信息。 |
| 技术特征O-P：碳纳米管结构的平均直径（O：2nm至500nm；P：5nm至200nm）（未公开） | 对比文件未公开碳纳米管结构（或一般碳纳米管）的直径范围。 | 对比文件没有提供直径尺寸信息。 |
| 技术特征Q-R：单壁碳纳米管单元的平均直径（0.5nm至10nm）（未公开） | 对比文件未涉及单壁碳纳米管单元。 | 对比文件未公开单壁碳纳米管单元及其直径。 |
| 技术特征S：碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构（未公开） | 对比文件未公开碳纳米管结构中单壁单元的结合数量。 | 对比文件未对碳纳米管结构的单元数量做任何限定。 |
| 技术特征T：所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm（直接公开） | 段落[0160]：“第一复合电极层203a的厚度在大约20-40微米的范围内” | 20-40μm完全落在1-100μm范围内，且功能相同，均为活性材料层的厚度要求。 |
| 技术特征U：所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm（直接公开） | 段落[0160]：“第二复合电极层203b的厚度在5-20微米的范围内” | 5-20μm完全落在1-100μm范围内，功能相同。 |
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