**对比文件名称**: 2014-07-31_None_发明专利_JPWO2012157697A1 回折格子製造方法、分光光度計、および半導体装置の製造方法
**目标专利名称**: 1561全息光学元件及其制造方法CN113728516B
**模型名称**: 未指定（用户未提供）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述制造方法包括<br>《直接公开》 | [0029]“光源から放出された光を、光軸に対して非対称な照明形状にして、所定の周期パターンを備えたマスクを透過させ、このマスクを透過させることにより生じる０次光と１次光とを基板の表面で干渉させて、基板の表面の感光材料を露光し、基板上にブレーズド状の断面形状を有する回折格子を形成することを特徴とする。”<br>翻译：一种衍射光栅的制造方法，其特征在于，使从光源射出的光成为相对于光轴非对称的照明形状，透过具有预定周期图案的掩模，使透过该掩模而产生的0次光和1次光在基板表面干涉，对基板表面的感光材料进行曝光，在基板上形成具有闪耀状截面形状的衍射光栅。 | 对比文件全文公开了一种用于制造衍射光栅的方法，该方法包括曝光、显影等步骤。目标专利权利要求前序部分仅限定“制造方法包括”，对比文件给出了完整的制造方法，因此本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了“制造方法包括”这一开放式限定。故该特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)<br>《直接公开》 | [0041]“テスト露光用のＳｉウェーハにフォトレジストをスピンコータで塗布した後、プリベークを施す。”<br>翻译：在测试曝光用Si晶圆上通过旋涂机涂布光刻胶后，进行预烘烤。<br>[0093]“基板の表面の感光材料（フォトレジスト７０）を露光”<br>翻译：对基板表面的感光材料（光刻胶70）进行曝光。 | 对比文件明确记载了在基板（Si晶圆）的一个表面上涂布光敏树脂（フォトレジスト）以形成感光层，这与目标专利的步骤(a)实质相同。所用术语“光敏树脂”与“光刻胶”均属于感光材料，作用都是作为后续曝光图案化的介质。因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)<br>《未公开》 | [0029]“光源から放出された光を…マスクを透過させ…０次光と１次光とを基板の表面で干渉させて、基板の表面の感光材料を露光し”<br>翻译：使从光源射出的光…透过掩模…使0次光和1次光在基板表面干涉，对基板表面的感光材料进行曝光。<br>[0098]“照明光源１０、アパーチャー２０、集光レンズ３０、マスク４０、投影レンズ５０などから構成される。この露光装置は…Ｓｉウエハ６０の表面に塗布されたフォトレジスト７０を露光する装置である。”<br>翻译：由照明光源10、光阑20、聚光透镜30、掩模40、投影透镜50等构成。该曝光装置…是用于对涂布在Si晶圆60表面的光刻胶70进行曝光的装置。 | 对比文件所有曝光步骤均采用单侧照明（光从一侧通过掩模照射光敏层），从未教导或暗示需要从光敏基底的两个表面（一个表面和另一个表面）分别照射激光。其干涉是通过掩模衍射的0次光和1次光在光敏层表面同一侧实现，而非通过双面照射产生干涉。目标专利的步骤(b)强调“用激光照射光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者”以获得贯穿整个厚度的全息光栅，这在对比文件中既没有文字记载，也无法合理推断。故该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化<br>《未公开》 | [0041]“テスト露光用のＳｉウェーハにフォトレジストをスピンコータで塗布した後”<br>翻译：在测试曝光用Si晶圆上通过旋涂机涂布光刻胶后。<br>[0111]“テスト露光用のＳｉウエハにフォトレジストをスピンコーターで塗布した後、プリベークを施す。”<br>翻译：在测试曝光用Si晶圆上通过旋涂机涂布光刻胶后，进行预烘烤。 | 对比文件始终采用旋涂法（スピンコータ）涂布光刻胶，该方法形成的涂层厚度在整个基板表面是均匀的（通常偏差在纳米级）。没有任何记载表明光刻胶涂层的高度沿某一方向（如从一侧到另一侧）主动变化。目标专利的发明点之一在于通过改变涂层厚度来调节全息光栅高度，对比文件的均匀涂覆与之完全不同。因此本领域技术人员从对比文件中无法得出涂层高度变化的技术方案。该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上<br>《未公开》 | [0106]“レジスト形状は、ブレーズド状の断面形状で形成でき、＋デフォーカスの位置と−デフォーカスの位置とでは形状が反転することが分かった。”<br>翻译：可以形成闪耀状截面形状的光刻胶图形，且发现在+散焦位置与-散焦位置图形反转。<br>[0118]“等間隔なブレーズド状の断面形状を有するフォトレジスト７０がＳｉウエハ６０上に形成された構造となる。”<br>翻译：在Si晶圆60上形成具有等间隔闪耀状截面形状的光刻胶70的结构。 | 对比文件中的光栅图形是表面浮雕结构，通过曝光、显影使光刻胶形成凹凸起伏，光栅图形仅存在于光刻胶层的表面部分（深度取决于显影条件），而非整个厚度。目标专利的全息光栅是通过激光干涉在光敏树脂层中记录的体光栅，渗透整个涂层厚度。对比文件未涉及、也未暗示任何“记录在整个高度上”的概念。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且中所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>《未公开》 | [0129]“一つの回折格子（同一ピッチ）の中で角度が同じ場合や角度が異なる場合などに用いる。さらに、一つの回折格子（同一ピッチ）の中で角度が同じ場合でも、…角度が大きい（深さが深い）もの、…角度が小さい（深さが浅い）ものなどがある。”<br>翻译：用于一个衍射光栅（同一间距）中角度相同或角度不同的情况。此外，即使一个衍射光栅（同一间距）中角度相同，也有角度大（深度深）的、角度小（深度浅）的等。 | 对比文件虽公开了光栅深度（高度）可以沿方向变化（如通过不同曝光量），但始终强调光刻胶涂层是均匀涂布的，从未提及“光敏树脂涂层高度沿预定方向逐渐增加”。目标专利的特征F包含两个必须同时满足的要素：涂层高度变化和全息光栅高度变化，且涂层高度变化是光栅高度变化的原因。对比文件不具备“涂层高度变化”这一要素，且其光栅高度变化源于曝光量或掩模设计，与涂层厚度无关。故该特征整体未被公开。 |
| **技术特征G**：所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>《隐含公开》 | [0129]（如前）<br>[0132]“ラインアンドスペース４４の長さＸを１００ｎｍ→１５０ｎｍ→２００ｎｍにするに従って、ブレーズド状の角度を大きく（深さを深く）することができる。”<br>翻译：随着线条-空间44的长度X从100nm→150nm→200nm，可以使闪耀状角度增大（深度加深）。<br>[0061]“グレーマスク１０の断面形状の修正にあたっては、形成された三次元フォトレジストパターンの断面形状と、製造したい回折格子の断面形状との差を補正項として加える代わりに、前記回折格子の溝の繰返し周期の高調波となるＳｉｎ波形に適当な係数を乗じたものを加えても良い。”<br>翻译：在修正灰阶掩模10的截面形状时，也可以代替将形成的三维光刻胶图形的截面形状与要制造的衍射光栅的截面形状的差作为校正项加入，而是加入将成为衍射光栅的沟的重复周期的高次谐波的Sin波形乘以适当系数得到的量。 | 对比文件明确公开了光栅的深度（相当于光栅高度）可以通过多种方式（灰阶掩模、辅助图案尺寸、离焦量等）在空间上变化。例如，[0129]指出可在同一光栅内设置不同深度（角度），[0132]通过改变线条长度使深度逐渐改变。虽然对比文件针对的是表面浮雕光栅而非全息光栅，但就“光栅高度沿某方向逐渐增加”这一物理特征而言，对比文件给出了明确的思路和实现手段。本领域技术人员完全有可能从对比文件中合理推断出，在制造光栅时可以使高度沿预定方向逐渐增加，这与目标专利特征G的概念一致。故该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：所述全息光栅具有相同的宽度<br>《隐含公开》 | [0106]“等間隔なブレーズド状の断面形状”<br>翻译：等间隔的闪耀状截面形状。<br>[0118]“等間隔なブレーズド状の断面形状を有するフォトレジスト７０”<br>翻译：具有等间隔闪耀状截面形状的光刻胶70。 | 对比文件在多个实施例中强调制造等间隔的闪耀光栅，例如[0106]、[0118]等。“等间隔”必然意味着光栅的周期相同，在周期固定的前提下，闪耀光栅的凸起宽度（沟的宽度）也相同。目标专利中全息光栅的“宽度”指光栅图案的横向尺寸，对比文件中间隔均匀的光栅自然具有相同的宽度。虽然目标专利的全息光栅与对比文件的表面浮雕光栅类型不同，但“宽度相同”这一几何特征在对比文件的等间隔光栅中得以体现。本领域技术人员可以合理推断，采用相同周期掩模或相同干涉条件时，形成的光栅具有相同宽度。故该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处<br>《未公开》 | [0041]“フォトレジストをスピンコータで塗布”<br>翻译：通过旋涂机涂布光刻胶。<br>[0111]同样为旋涂。 | 对比文件公开的涂覆方式始终是旋涂（スピンコート），并未涉及喷涂方法。旋涂与喷涂是截然不同的两种涂覆工艺。因此对比文件没有公开或暗示喷涂步骤。该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化<br>《未公开》 | 对比文件无喷涂相关记载 | 同特征I，对比文件无喷涂步骤，更无喷涂量位置变化的内容。该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)<br>《未公开》 | 对比文件无浸涂相关记载 | 对比文件未公开将基底浸入光敏树脂容器的步骤。该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)<br>《未公开》 | 对比文件无浸涂及分离步骤 | 同特征K，对比文件未公开浸涂及提拉分离步骤。该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容 | 对比文件未公开浸涂及变速提拉分离。该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)<br>《未公开》 | 对比文件无辅助基底相关内容 | 对比文件未公开在基底和辅助基底之间提供光敏树脂的步骤。该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容 | 同特征N，对比文件未公开涉及辅助基底移动的步骤。该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容 | 对比文件未公开相对移动速度变化的相关内容。该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂<br>《未公开》 | 对比文件无倾斜涂覆相关记载 | 对比文件所有涂覆操作均在基板水平状态下进行（旋涂、静置等），未涉及基底倾斜提供光敏树脂。该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：将所述光敏树脂干燥<br>《直接公开》 | [0041]“プリベークを施す”<br>翻译：进行预烘烤。<br>[0111]“プリベークを施す”<br>翻译：进行预烘烤。 | 对比文件在涂覆光刻胶后均设置有“预烘烤”（プリベーク）步骤，其目的是去除溶剂并使光刻胶干燥，这与目标专利中“将所述光敏树脂干燥”的步骤在作用和实现方式上等效。本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了干燥步骤。因此该特征被直接公开。 |
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根据上述分析，对比文件公开了技术特征A、B、R（直接公开），以及技术特征G、H（隐含公开）。其他技术特征（C、D、E、F、I、J、K、L、M、N、O、P、Q）未被公开，因此不产生对应代码。
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