**对比文件名称**：WO2017062506A1_Description_20260619_2332
**目标专利名称**：1568指纹识别模块和包括该指纹识别模块的电子装置CN111512447B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（已翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中<br>【直接公开】 | 对比文件[0007]：“本公开的实施例提供了一种光学生物统计传感器（例如光学指纹传感器）的制造方法。该方法通常包括……其中准直器过滤层中的多个光准直孔与图像传感器晶圆中的多个感光元件对准。” | 对比文件使用“wherein”作为连接词，本领域技术人员可以毫无疑义地确定其公开了与目标专利权利要求中“其中”相同的连接关系。 |
| 技术特征B：所述导电图案部包括：上导电图案部<br>【隐含公开】 | 对比文件[0073]：“另一种构造是背面照明（BSI）构造……再分布层（RDL）与前一样构建在正面上。” | 对比文件公开了在图像传感器正面构建再分布层（RDL），该层用于信号布线，相当于目标专利中的上导电图案部。虽然未明确使用“上导电图案部”一词，但本领域技术人员可合理推断其对应上导电图案部。 |
| 技术特征C：所述上导电图案部设置在所述基板的上表面上<br>【隐含公开】 | 对比文件[0074]：“在正面照明（FSI）构造中，准直器过滤器孔可以直接形成在构建于图像传感器前侧的再分布层（RDL）中。” | 对比文件明确指出RDL构建在图像传感器的前侧（即基板的上表面），本领域技术人员可明确理解该特征，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：下导电图案部<br>【隐含公开】 | 对比文件[0077]：“一种使用硅通孔（TSV）的BSI结构可用于将图像传感器ASIC连接到封装基板。” | 对比文件通过TSV将正面电路连接至背面，必然存在背面导电结构（如焊盘或重新布线层），本领域技术人员可合理推断存在下导电图案部。 |
| 技术特征E：所述下导电图案部设置在所述基板的下表面上<br>【隐含公开】 | 同上，TSV将信号传输至基板背面，背面设有焊盘或导电层，位于基板下表面。 | 基于TSV的背面连接，本领域技术人员可以合理推断下导电图案部设置于基板下表面。 |
| 技术特征F：通孔<br>【隐含公开】 | 对比文件[0077]：“硅通孔（TSV）可用于连接……” | 对比文件明确公开了硅通孔（TSV），其本质为穿过基板的通孔结构。 |
| 技术特征G：所述通孔穿过所述基板并连接在所述上导电图案部与所述下导电图案部之间<br>【隐含公开】 | 对比文件[0077]：“TSV可用于连接图像传感器ASIC到封装基板”；[0073]进一步说明TSV连接正面RDL与背面结构。 | TSV穿过硅基板，其功能即为连接正面RDL（上导电图案部）与背面焊盘/导电层（下导电图案部），本领域技术人员可合理推断该特征。 |
| 技术特征H：其中<br>【直接公开】 | 对比文件[0007]：“……其中准直器过滤层中的多个光准直孔……” | 同特征A，对比文件中的“wherein”直接公开了连接词“其中”。 |
| 技术特征I：所述上导电图案部和所述下导电图案部中的每一者包括：设置在所述基板上的布线图案层<br>【未公开】 | 对比文件仅描述了正面RDL（布线图案层），未描述背面包含布线图案层。 | 对比文件未公开下导电图案部包括布线图案层，且未明确每一者都同样包含布线图案层，因此未公开。 |
| 技术特征J：设置在所述布线图案层上并包含锡的第一镀层<br>【未公开】 | 对比文件全文未提及镀层材料、含锡镀层或类似结构。 | 对比文件未公开任何与锡镀层相关的技术内容。 |
| 技术特征K：设置在所述第一镀层上并包含锡的第二镀层<br>【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开第二镀层。 |
| 技术特征L：还包括：第一连接部<br>【未公开】 | 对比文件[0086]提到“焊盘（bond pads）”[0078]提到“TSV安装”，但未描述与保护层开口区域对应的连接部。 | 对比文件未公开设置于保护层开口区域的连接部。 |
| 技术特征M：所述第一连接部设置在通过所述保护层的所述第一开口区域暴露的所述导电图案部上<br>【未公开】 | 对比文件无保护层、第一开口区域的概念。 | 对比文件未公开保护层及其开口结构。 |
| 技术特征N：第二连接部<br>【未公开】 | 同L，未公开保护层开口区域的连接部。 | 未公开。 |
| 技术特征O：所述第二连接部设置在通过所述保护层的所述第二开口区域暴露的所述导电图案部上；并且中<br>【未公开】 | 对比文件无相应结构。 | 未公开。 |
| 技术特征P：所述第一连接部的横截面形状不同于所述第二连接部的横截面形状<br>【未公开】 | 对比文件未描述连接部形状差异。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中<br>【直接公开】 | 对比文件[0007]：“……其中……” | 直接公开。 |
| 技术特征R：通过所述第一开口区域暴露的所述导电图案部具有7μm至10μm的范围内的厚度<br>【未公开】 | 对比文件公开准直器孔深度30-300μm（[0083]），但未涉及导电图案部厚度。 | 对比文件未公开该厚度范围。 |
| 技术特征S：其中<br>【直接公开】 | 同A/H/Q。 | 直接公开。 |
| 技术特征T：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形；并且中<br>【未公开】 | 对比文件未公开连接部形状。 | 未公开。 |
| 技术特征U：所述第二连接部的所述横截面形状包括弯曲表面<br>【未公开】 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征V：还包括：第三连接部<br>【未公开】 | 对比文件未涉及第三连接部。 | 未公开。 |
| 技术特征W：所述第三连接部设置在通过所述保护层的所述第三开口区域暴露的所述导电图案部上<br>【未公开】 | 无对应结构。 | 未公开。 |
| 技术特征X：具有与所述第一连接部的所述横截面形状不同的横截面形状；并且中<br>【未公开】 | 无。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形；并且中<br>【未公开】 | 无。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：所述第三连接部的所述横截面形状包括弯曲表面<br>【未公开】 | 无。 | 未公开。 |
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### 结论代码
根据上述分析，对比文件直接公开的技术特征为：A、H、Q、S；隐含公开的技术特征为：B、C、D、E、F、G。
其余特征（I、J、K、L、M、N、O、P、R、T、U、V、W、X、Y、Z）未被公开。
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