**对比文件名称**：JP2002319750A_Description_20260619_2338
**目标专利名称**：1568指纹识别模块和包括该指纹识别模块的电子装置CN111512447B
**模型名称**：GPT-4o（本评估由资深专利代理师结合模型进行分析）
以下是根据目标专利权利要求的技术特征与对比文件进行的逐项比对表格。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：其中 / 未公开 | 无对应内容 | 该特征仅为连接词，无实质技术限定，对比文件未单独公开此表述。 |
| 特征B：所述导电图案部包括：上导电图案部 / **直接公开** | [0023] “第１の配線パターン１０”（第一配线图案）[0025]折叠后该图案位于上层外表面。 | 对比文件明确公开了第一配线图案，该图案形成于基板一侧且折叠后位于上部，相当于目标专利中的上导电图案部，因此特征B被直接公开。 |
| 特征C：所述上导电图案部设置在所述基板的上表面上 / **直接公开** | [0023] 第一配线图案形成在柔性基板的一个表面（表面）上；[0025]折叠后该表面成为上层外表面。 | 对比文件中第一配线图案形成在基板的同一表面，折叠后该表面转变为上层基板的上表面，即直接设置在上表面上，特征C被直接公开。 |
| 特征D：下导电图案部 / **直接公开** | [0023] “第２の配線パターン１１”（第二配线图案） | 对比文件明确公开了第二配线图案，该图案折叠后位于下层，相当于目标专利中的下导电图案部，特征D被直接公开。 |
| 特征E：所述下导电图案部设置在所述基板的下表面上 / **直接公开** | [0023] 第二配线图案形成在基板同一表面；[0025]折叠后该图案位于下层外表面。 | 折叠后第二配线图案位于下层基板的下表面，即直接设置在下表面上，特征E被直接公开。 |
| 特征F：通孔 / **直接公开** | [0028] “層間接続部材２１を配設する。ここで層間接続部材２１とは、既知のスルーホールや導電性ビア…（层间连接部件，已知的通孔或导电性通孔等）” | 对比文件直接描述了层间连接部件包括通孔（スルーホール），该通孔用于穿过绝缘基板，特征F被直接公开。 |
| 特征G：所述通孔穿过所述基板并连接在所述上导电图案部与所述下导电图案部之间 / **隐含公开** | [0028]-[0029] 层间连接部件（通孔）穿过基板连接上下表面的配线图案（如第一配线图案与第三配线图案）；背景技术[0002]亦提及通孔用于层间连接。 | 对比文件虽未明确直接连接第一和第二配线图案，但其公开了通孔穿过基板并连接上下表面配线图案的普遍原理，本领域技术人员可合理推断通孔能够用于连接上导电图案部和下导电图案部，故特征G隐含公开。 |
| 特征H：其中 / 未公开 | 无 | 无实质技术内容，未公开。 |
| 特征I：所述上导电图案部和所述下导电图案部中的每一者包括：设置在所述基板上的布线图案层 / **直接公开** | [0023] “所定の配線パターンを形成する”（形成预定配线图案），且直接形成在基板上。 | 对比文件中第一、第二配线图案均直接设置在基板上，即包含布线图案层，特征I被直接公开。 |
| 特征J：设置在所述布线图案层上并包含锡的第一镀层 / 未公开 | [0040] “銅層を形成し”（形成铜层）；全文未提及锡镀层。 | 对比文件仅公开了铜层，未公开任何包含锡的镀层，本领域技术人员不能毫无疑义地得出该特征，也无法合理推断出锡镀层，特征J未公开。 |
| 特征K：设置在所述第一镀层上并包含锡的第二镀层 / 未公开 | 同上，无相关记载。 | 对比文件未公开第二镀层，特征K未公开。 |
| 特征L：还包括：第一连接部 / **隐含公开** | [0033] “半導体素子５０を実装する”（安装半导体元件）。 | 对比文件虽未明确描述连接部结构，但为了实现半导体元件与配线图案的电连接，必然采用连接部（如焊料、凸块等），本领域技术人员可合理推断存在第一连接部，特征L隐含公开。 |
| 特征M：所述第一连接部设置在通过所述保护层的所述第一开口区域暴露的所述导电图案部上 / 未公开 | 对比文件无“保护层”、“开口区域”任何记载。 | 对比文件未公开保护层及其开口区域，故第一连接部不可能设置于通过保护层开口暴露的导电图案部上，特征M未公开。 |
| 特征N：第二连接部 / 未公开 | 对比文件仅提及一个半导体元件（[0033]），未明确第二连接部。 | 对比文件未公开对应第二芯片的连接部，特征N未公开。 |
| 特征O：所述第二连接部设置在通过所述保护层的所述第二开口区域暴露的所述导电图案部上；并且中 / 未公开 | 同M，无保护层开口。 | 缺乏保护层开口，特征O未公开。 |
| 特征P：所述第一连接部的横截面形状不同于所述第二连接部的横截面形状 / 未公开 | 对比文件未描述连接部的横截面形状。 | 对比文件未涉及连接部形状差异，特征P未公开。 |
| 特征Q：其中 / 未公开 | 无 | 无实质，未公开。 |
| 特征R：通过所述第一开口区域暴露的所述导电图案部具有7μm至10μm的范围内的厚度 / 未公开 | [0040] “電極厚さ５μｍ”（电极厚度5μm）；未涉及开口区域。 | 对比文件未公开暴露的导电图案部厚度范围，且其实施例厚度为5μm，不在7-10μm内，特征R未公开。 |
| 特征S：其中 / 未公开 | 无 | 无实质，未公开。 |
| 特征T：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形；并且中 / 未公开 | 对比文件未记载连接部形状。 | 特征T未公开。 |
| 特征U：所述第二连接部的所述横截面形状包括弯曲表面 / 未公开 | 对比文件未记载。 | 特征U未公开。 |
| 特征V：还包括：第三连接部 / 未公开 | 对比文件未提及第三连接部。 | 特征V未公开。 |
| 特征W：所述第三连接部设置在通过所述保护层的所述第三开口区域暴露的所述导电图案部上 / 未公开 | 无保护层开口。 | 特征W未公开。 |
| 特征X：具有与所述第一连接部的所述横截面形状不同的横截面形状；并且中 / 未公开 | 对比文件未记载。 | 特征X未公开。 |
| 特征Y：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形；并且中 / 未公开 | 未记载。 | 特征Y未公开。 |
| 特征Z：所述第三连接部的所述横截面形状包括弯曲表面 / 未公开 | 未记载。 | 特征Z未公开。 |
**结论**：对比文件JP2002319750A直接公开了技术特征B、C、D、E、F、I；隐含公开了技术特征G、L。其余技术特征未公开。
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