对比文件名称：KR101807464B1_Description_20260619_2333
目标专利名称：1568指纹识别模块和包括该指纹识别模块的电子装置CN111512447B
本次调用的模型名称：自定义深度推理模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中<br>（无实质内容，无需公开） | 无对应内容 | 仅为连接词，不构成技术特征。 |
| 技术特征B：所述导电图案部包括：上导电图案部<br>《隐含公开》 | [0003] “the electrode terminal 21 of the semiconductor chip 20 is connected to the wiring 11 on the substrate 10 via the bump 22”<br>（半导体芯片20的电极端子21通过凸块22连接到基板10上的布线11）<br>[0027] “the semiconductor chip 62 and the upper and lower connecting electrodes 63 mounted on the substrate 61”<br>（安装在基板61上的半导体芯片62和上下连接电极63） | 对比文件明确公开了基板上存在“布线”和“上下连接电极”，这些均属于导电图案。本领域技术人员能够合理推断这些构成“上导电图案部”，因为其设置于基板用于安装芯片和连接的一侧，功能与目标专利的上导电图案部相同（传输电信号）。因此，技术特征B被隐含公开。 |
| 技术特征C：所述上导电图案部设置在所述基板的上表面上<br>《隐含公开》 | [0003] 同上“wiring 11 on the substrate 10”<br>（基板10上的布线11）<br>[0027] 同上“the semiconductor chip 62 and the upper and lower connecting electrodes 63 mounted on the substrate 61”<br>（安装在基板61上的半导体芯片62和上下连接电极63） | 对比文件中布线设于基板表面，且芯片及连接电极均位于基板同一侧（上表面）。本领域技术人员根据常规封装结构可合理推断该表面即为基板的上表面，该表面上的导电图案与目标专利的上导电图案部位置对应。因此，技术特征C被隐含公开。 |
| 技术特征D：下导电图案部<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及基板下表面设有导电图案部。 | 对比文件仅描述了基板上表面的布线及电极，未涉及任何下导电图案部。本领域技术人员无法从其内容中合理推断出基板下表面存在独立的导电图案部。因此，技术特征D未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征E：所述下导电图案部设置在所述基板的下表面上<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及基板下表面设有导电图案部。 | 基于与特征D相同的理由，对比文件无任何关于基板下表面设置导电图案的记载，技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：通孔<br>《未公开》 | [0005] “holes 31a reaching the upper and lower connecting electrodes 13a on the substrate 10a are formed in the lower package 1a”<br>（在下封装1a中形成到达基板10a上的上下连接电极13a的孔31a）<br>[0025] “via hole used in a PoP type chip lamination structure by the TMV method”<br>（通过TMV方法在PoP型芯片层叠结构中使用的通孔） | 对比文件中的“孔”或“通孔”是穿过密封树脂层形成的，用于上下封装之间的电连接，并非穿过基板本身的通孔。目标专利的通孔是穿透基板并连接上下导电图案部的结构。二者结构和功能不同，本领域技术人员无法从对比文件得到目标专利的通孔结构。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述通孔穿过所述基板并连接在所述上导电图案部与所述下导电图案部之间<br>《未公开》 | 同上，对比文件无基板通孔。 | 基于特征D、E、F均未被公开，且对比文件不存在穿过基板连接上下导电图案的结构，技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其中<br>（无实质内容，无需公开） | 无对应内容 | 仅为连接词。 |
| 技术特征I：所述上导电图案部和所述下导电图案部中的每一者包括：设置在所述基板上的布线图案层<br>《未公开》 | 对比文件仅公开了上表面的布线层，未公开下导电图案部。 | 由于下导电图案部未被公开，特征I要求“每一者”包括布线图案层的条件不成立。虽然上导电图案部的布线层隐含存在，但特征整体未被公开。 |
| 技术特征J：设置在所述布线图案层上并包含锡的第一镀层<br>《未公开》 | 对比文件全文未记载任何镀层结构。 | 对比文件的布线层直接通过凸块或焊球连接芯片，未涉及镀层。本领域技术人员无法从对比文件推断出布线图案层上设有包含锡的第一镀层。因此，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：设置在所述第一镀层上并包含锡的第二镀层<br>《未公开》 | 对比文件全文未记载任何镀层结构。 | 与特征J同理，技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：还包括：第一连接部<br>《隐含公开》 | [0003] “the electrode terminal 21 of the semiconductor chip 20 is connected to the wiring 11 on the substrate 10 via the bump 22”<br>（半导体芯片20的电极端子21通过凸块22连接到基板10上的布线11） | 对比文件中的“凸块（bump）”是用于电连接芯片电极与基板布线的部件，其功能与目标专利的第一连接部（连接第一芯片与导电图案）完全相同。本领域技术人员可以合理推断该凸块即为第一连接部。因此，技术特征L被隐含公开。 |
| 技术特征M：所述第一连接部设置在通过所述保护层的所述第一开口区域暴露的所述导电图案部上<br>《未公开》 | 对比文件未公开保护层及第一开口区域。 | 对比文件中使用树脂层密封芯片和布线，但树脂层并非用于暴露导电图案的“保护层”，也无“第一开口区域”的概念。凸块连接的位置在树脂密封内部，而非通过保护层开口暴露。因此，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：第二连接部<br>《未公开》 | 对比文件仅提及连接芯片的凸块，未区分第一和第二连接部。 | 对比文件没有公开第二芯片及对应的第二连接部。本领域技术人员无法从其单一芯片实施例中合理推断出第二连接部的存在。因此，技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：所述第二连接部设置在通过所述保护层的所述第二开口区域暴露的所述导电图案部上<br>《未公开》 | 对比文件未公开第二连接部、保护层及第二开口区域。 | 基于特征N未被公开，且对比文件无保护层开口结构，技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：所述第一连接部的横截面形状不同于所述第二连接部的横截面形状<br>《未公开》 | 对比文件未明确第一连接部和第二连接部的形状差异。 | 对比文件仅存在一种凸块（bump），未涉及多种不同截面形状的连接部。因此，技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中<br>（无实质内容，无需公开） | 无对应内容 | 仅为连接词。 |
| 技术特征R：通过所述第一开口区域暴露的所述导电图案部具有7μm至10μm的范围内的厚度<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及导电图案部的厚度范围。 | 对比文件未涉及第一开口区域及导电图案部厚度的任何限定，本领域技术人员无法得到该具体数值范围。因此，技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：其中<br>（无实质内容，无需公开） | 无对应内容 | 仅为连接词。 |
| 技术特征T：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形<br>《未公开》 | 对比文件未描述凸块的截面形状。 | 对比文件仅提及“bump”，未明确其截面形状为矩形，本领域技术人员无法确定其形状。因此，技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：所述第二连接部的所述横截面形状包括弯曲表面<br>《未公开》 | [0005] “solder balls 33 are mounted on the upper and lower connecting electrodes 13b”<br>（焊料球33安装在上下连接电极13b上） | 对比文件存在焊料球（solder ball），其截面包括弯曲表面，但该焊料球用于上下封装连接，并非用于安装第二芯片的“第二连接部”。由于特征N（第二连接部）未被公开，本技术特征因缺少主体而未被公开。 |
| 技术特征V：还包括：第三连接部<br>《未公开》 | 对比文件未公开第三连接部。 | 对比文件仅涉及一个半导体芯片或PoP结构，没有第三芯片或第三连接部的任何描述。因此，技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：所述第三连接部设置在通过所述保护层的所述第三开口区域暴露的所述导电图案部上<br>《未公开》 | 对比文件未公开第三连接部、保护层及第三开口区域。 | 基于特征V未被公开，技术特征W未被公开。 |
| 技术特征X：具有与所述第一连接部的所述横截面形状不同的横截面形状<br>《未公开》 | 对比文件未公开多个不同形状的连接部。 | 对比文件未涉及第一连接部与第三连接部的形状比较，技术特征X未被公开。 |
| 技术特征Y：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形<br>（与特征T重复，同未公开） | 同上 | 与特征T判断相同，未被公开。 |
| 技术特征Z：所述第三连接部的所述横截面形状包括弯曲表面<br>《未公开》 | 对比文件未公开第三连接部。 | 基于特征V未被公开，技术特征Z未被公开。 |
**公开性总结：**
对比文件KR101807464B1隐含公开了技术特征B、C、L，未直接或隐含公开其他技术特征。
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