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JP2004356144A_Description_20260619_2334_+++B_C_L_M_a_h_q_s+++.docx

2026-07-03 01:05

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对比文件名称：JP2004356144A_Description_20260619_2334

目标专利名称：1568指纹识别模块和包括该指纹识别模块的电子装置CN111512447B

本次调用的模型名称：AI资深专利代理师模拟模型

以下为特征比对表格：

技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用（翻译）	公开性论述
技术特征A：其中《隐含公开》	对比文件全文使用日文语法结构，例如「において」、「そして」等功能词未单独列出，但整体行文存在类似上下文连接关系。	该特征为纯语言连接词，无实质技术内容。对比文件作为专利文献，必然具有类似“其中”、“所述”等连接结构的表述（例如“該”、“において”），本领域技术人员阅读时可自然理解其为上下文承接关系，因此隐含公开。
技术特征B：所述导电图案部包括：上导电图案部《直接公开》	【0009】「基材２の表面に形成された導電性回路３」（基材2的表面上形成的导电性回路3）。	对比文件中“導電性回路３”即为导电图案部，其形成于基材的上表面，相当于目标专利中的上导电图案部。本领域技术人员可直接确定对比文件公开了导电图案部包含设置在基板上表面的导电图案，即上导电图案部。作用相同：提供导电布线。
技术特征C：所述上导电图案部设置在所述基板的上表面上《直接公开》	【0009】「基材２の表面に形成された導電性回路３」（基材2的表面上形成的导电性回路3）。	对比文件明确记载了导电性回路形成在基材的表面上，该表面即为上表面，与目标专利中上导电图案部设置于基板上表面完全一致，因此直接公开。
技术特征D：下导电图案部未公开	对比文件全文未记载任何形成于基板下表面的导电图案或类似概念。	对比文件仅公开了单层导电回路，未涉及任何下导电图案部，本领域技术人员不能从对比文件中直接且毫无疑义地得出或合理推断出存在下导电图案部，因此未公开。
技术特征E：所述下导电图案部设置在所述基板的下表面上未公开	对比文件全文未记载基板下表面设置任何导电图案。	同特征D，对比文件无下表面导电图案的相关公开，因此未公开。
技术特征F：通孔未公开	对比文件全文未记载任何穿过基板的通孔结构。	对比文件描述的是单面电路板，没有提及通孔、过孔或任何连接上下表面的结构，本领域技术人员无法从对比文件中得到通孔的技术方案，因此未公开。
技术特征G：所述通孔穿过所述基板并连接在所述上导电图案部与所述下导电图案部之间未公开	对比文件无通孔和上下导电图案部的记载。	对比文件既无通孔，也无上下导电图案部的区分，因此该特征完全未公开。
技术特征H：其中《隐含公开》	对比文件全文使用「該」、「その」等连接用语，在描述结构时自然具备上下文连接关系。	同特征A，该特征为语言连接词，无实质技术内容，对比文件行文中必然隐含此类连接关系，因此隐含公开。
技术特征I：所述上导电图案部和所述下导电图案部中的每一者包括：设置在所述基板上的布线图案层未公开	对比文件【0009】仅公开了单层导电性回路3，未区分上、下导电图案部，更未公开每一者均包括布线图案层。	对比文件仅有上表面的一层导电回路，无法满足“每一者包括”的要求，缺少下导电图案部及其布线图案层，因此未公开。
技术特征J：设置在所述布线图案层上并包含锡的第一镀层未公开	对比文件【0011】记载导电性回路3由银浆、碳浆等形成，未提及任何镀层。	对比文件的导电回路是通过印刷导电浆料形成，无电镀或化学镀工艺，也没有锡镀层的任何描述，因此未公开。
技术特征K：设置在所述第一镀层上并包含锡的第二镀层未公开	对比文件全文未记载任何镀层结构。	同特征J，对比文件无镀层，更无第一镀层和第二镀层的区分，因此未公开。
技术特征L：还包括：第一连接部《直接公开》	【0009】「導電性接着剤６」（导电性粘合剂6）；【0013】「導電性接着剤６は…チップ部品を導電性回路に電気接続する」（导电性粘合剂6将芯片部件电连接到导电性回路）。	对比文件明确包含导电性粘合剂6，该粘合剂用于连接芯片与导电性回路，本质上构成连接部，与目标专利的第一连接部功能相同（电连接芯片与导电图案），因此直接公开。
技术特征M：所述第一连接部设置在通过所述保护层的所述第一开口区域暴露的所述导电图案部上《直接公开》	【0009】「該レジスト層５の切り欠き穴４内に露出した部品実装部の導電性回路３に塗布された導電性接着剤６」（该レジスト层5的缺口4内露出的部件安装部的导电性回路3上涂布的导电性粘合剂6）。	对比文件中レジスト层5相当于保护层，切り欠き穴4相当于第一开口区域，导电性粘合剂6涂布在缺口内露出的导电性回路3上，这与目标专利第一连接部设置在通过保护层第一开口暴露的导电图案部上完全一致，因此直接公开。
技术特征N：第二连接部未公开	对比文件仅描述了一个芯片部件及其对应的一个导电性粘合剂连接部，未提及第二连接部。	对比文件只存在一个连接部（导电性粘合剂6），没有设置第二连接部的任何公开或暗示，因此未公开。
技术特征O：所述第二连接部设置在通过所述保护层的所述第二开口区域暴露的所述导电图案部上未公开	对比文件仅有一个开口（切り欠き穴4），未记载第二开口区域。	对比文件没有第二开口区域，更没有设置于其上的第二连接部，因此未公开。
技术特征P：所述第一连接部的横截面形状不同于所述第二连接部的横截面形状未公开	对比文件无第二连接部，也未描述第一连接部的横截面形状。	对比文件未公开任何关于连接部横截面形状的信息，更未涉及不同形状的对比，因此未公开。
技术特征Q：其中《隐含公开》	同特征A，对比文件含有类似上下文连接结构的表达。	纯语言连接词，无实质技术内容，对比文件隐含包含此类连接关系，因此隐含公开。
技术特征R：通过所述第一开口区域暴露的所述导电图案部具有7μm至10μm的范围内的厚度未公开	对比文件【0010】公开了基材厚度50-100μm及レジスト层厚度约20μm，但未记载导电性回路3的厚度数值范围。	对比文件未限定导电图案部的厚度，更没有7μm至10μm的具体范围，本领域技术人员无法从对比文件中得到该特征，因此未公开。
技术特征S：其中《隐含公开》	同特征A，对比文件含有类似上下文连接结构的表达。	纯语言连接词，无实质技术内容，对比文件隐含包含此类连接关系，因此隐含公开。
技术特征T：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形未公开	对比文件未描述导电性粘合剂6的横截面形状。	对比文件没有对连接部的形状进行任何描述，本领域技术人员不能合理推断其横截面形状为矩形，因此未公开。
技术特征U：所述第二连接部的所述横截面形状包括弯曲表面未公开	对比文件无第二连接部。	对比文件未公开第二连接部，更无其横截面形状，因此未公开。
技术特征V：还包括：第三连接部未公开	对比文件只公开了一个芯片部件及其连接部，未提及第三连接部。	对比文件没有第三连接部的任何公开或暗示，因此未公开。
技术特征W：所述第三连接部设置在通过所述保护层的所述第三开口区域暴露的所述导电图案部上未公开	对比文件仅有一个开口，未记载第三开口区域。	对比文件无第三开口区域，也无第三连接部，因此未公开。
技术特征X：具有与所述第一连接部的所述横截面形状不同的横截面形状未公开	对比文件无第三连接部，也未比较形状。	对比文件未公开第三连接部，更未涉及形状比较，因此未公开。
技术特征Y：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形未公开	同特征T。	对比文件未描述任何连接部的横截面形状，因此未公开。
技术特征Z：所述第三连接部的所述横截面形状包括弯曲表面未公开	对比文件无第三连接部。	对比文件未公开第三连接部，因此未公开。