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对比文件列表
2003-10-28_US6638781B_发明授权_US06638781B1 Semiconductor device and method of fabricating the same_+++A_B_D_N_O_Q_c_f_g_l_m_p_r_s+++.docx
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2004-04-20_US6724457B_发明授权_US06724457B1 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same_+++A_B_C_D_F_G_L_M_N_O_Q_R_S+++.docx
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2007-09-20_JP2007240599A_发明专利_JP2007240599A Liquid crystal display and method of manufacturing the liquid crystal display_+++A_B_D_F_c_n_o+++.docx
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2008-09-04_JP2008203854A_发明专利_JP2008203854A Liquid crystal display device and method for manufacturing the same_+++A_B_c_d_f_o+++.docx
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2008-10-15_CN101285971A_发明公开_CN101285971A 液晶显示装置_+++A_B_C_D_F_m_o+++.docx
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2008-10-15_KR1020080092307A_发明公开_KR1020080092307A 액정 표시 장치_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
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2008-10-16_US2008252841A_发明申请_US20080252841A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY_+++A_B_C_D_F+++.docx
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2008-10-30_JP2008261989A_发明专利_JP2008261989A Liquid crystal display apparatus_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
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2009-03-01_TW200909954A_发明专利_TW200909954A 液晶顯示裝置 LIQUID CRYSTAL DISPLAY_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
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2010-05-13_US2010118254A_发明申请_US20100118254A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE_+++A_B_c_d_f_m_o_r_s_t_u_v_w+++.docx
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2010-07-08_US2010171106A_发明申请_US20100171106A1 ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY_+++A_B_C_D_f+++.docx
2026-07-03 01:07
2010-08-06_KR100974692B_发明授权_KR100974692B1 액정 표시 장치_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
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2011-02-02_JP4623043B_发明专利_JP4623043B2 Liquid crystal display device_+++A_B_C_D_F_o+++.docx
2026-07-03 01:07
2014-07-30_CN103959154A_发明公开_CN103959154A 液晶显示装置_+++A_B_C_D_F_L_M_e+++.docx
2026-07-03 01:07
2014-12-04_US2014354930A_发明申请_US20140354930A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE_+++A_B_C_D_L_M_f_o+++.docx
2026-07-03 01:07
2015-07-21_KR1020150083956A_发明公开_KR1020150083956A 표시장치 및 이의 제조방법_+++A_B_c_d_f_l_m+++.docx
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2015-11-25_CN105093709A_发明公开_CN105093709A 一种显示面板及其制作方法_+++A_B_c_d_f_n+++.docx
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2010-07-08_US2010171106A_发明申请_US20100171106A1 ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY_+++A_B_C_D_f+++.docx

对比文件名称:US20100171106A1 ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY

目标专利名称:1585基板CN110770646B

本次调用的模型名称:通义千问大语言模型

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
A: 基础层<br>《直接公开》[0054] "第一基板111由绝缘基板形成,该绝缘基板由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成";[0049] "密封构件210包括第二基板211"对比文件公开了第一基板(显示基板)和第二基板(密封构件),两者均为基板层,相当于目标专利的基础层。因此技术特征A被直接公开。
B: 设置在所述基础层上的复数个间隔物<br>《直接公开》[0040] "每个间隔物192形成在像素定义层190上";[0031] "像素定义层190形成在第一基板111上";[0042] "间隔物可以均匀或非均匀地分布在像素定义层上"对比文件公开了多个间隔物(间隔物192)形成在基础层上(通过像素定义层间接位于基板上),并且明确为复数。因此技术特征B被直接公开。
C: 每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物<br>《直接公开》[0018] "间隔物可以具有至少一个部分成形为截头锥体、棱柱、截头圆锥体、圆柱体、半球体或半扁球体"对比文件明确列举半球体(hemisphere)作为间隔物的可选形状。半球体自然具有半球形部分且位于顶部,因此间隔物可以为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物。技术特征C被直接公开。
D: 所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分<br>《直接公开》[0018] 同上(半球体形状)半球体是由弯曲表面构成的几何体,其包含的弯曲形状是固有属性。对比文件公开半球形间隔物,自然公开了半球形部分包含弯曲形状。技术特征D被直接公开。
E: 所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹<br>《未公开》无相关公开内容对比文件未涉及任何关于间隔物曲率数值或范围的描述,本领域技术人员不能从中获得最大曲率≤150mm⁻¹的信息,也不可能隐含得出。因此未公开。
F: 每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物<br>《隐含公开》[0018] "间隔物可以具有至少一个部分成形为……半球体……圆柱体"对比文件指出间隔物可具有至少一个部分为半球体,同时圆柱体也是可选形状。本领域技术人员可以合理推断:间隔物可以由半球形部分(顶部)和圆柱形部分(下部)组合而成,圆柱部分的高度使总高度高于半球形部分的高度。这种组合在对比文件的“至少一个部分”的表述下是可能的,按照宽松的隐含标准,技术特征F被隐含公开。
G: 所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内;被所述间隔物占据的面积比率为20%或更小<br>《未公开》无相关公开内容对比文件未给出半球形部分的高度数值范围,也未提及间隔物占基础层总面积的比例。本领域技术人员无法从对比文件获得这些具体参数。因此未公开。
H: 复数个间隔物的标准间距为P,当在基础层表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时,存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小<br>《未公开》[0042] "间隔物可以均匀或非均匀地分布在像素定义层上"对比文件仅笼统提及均匀或非均匀分布,未定义标准间距P,未涉及任何关于正方形区域划分和标准偏差的数值或概念。本领域技术人员不能推导出特征H的数学关系。因此未公开。
I: 复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示<br>《未公开》[0042] 同上对比文件没有提及间距的分布形式为正态分布,也没有分布图的概念。因此未公开。
J: 在间隔正态分布图中,相邻间隔物之间的间距表示在X轴上,具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在Y轴上<br>《未公开》无相关公开内容对比文件未公开任何分布图及其坐标定义。因此未公开。
K: 具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1;间隔物设置成使得间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1000μm以及最大高度小于1<br>《未公开》无相关公开内容对比文件未涉及正态分布图的任何参数数值(半高宽、最大高度等)。因此未公开。
L: 所述轨迹包括曲率为0mm的轨迹<br>《未公开》[0018] 形状包括半扁球体(semi‑oblate sphere)半扁球体的顶部可能近似平坦,但其截面曲线通常为椭圆,曲率并非0(除非是平面)。对比文件未明确提及任何曲率为0的直线轨迹,本领域技术人员不能确定无疑地得到该特征。因此未公开。
M: 所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内<br>《未公开》无相关公开内容对比文件未给出间隔物宽度的具体数值范围。因此未公开。
N: 在间隔物的底部形成截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分<br>《未公开》[0018] 形状包括截头锥体、截头圆锥体对比文件公开的截头圆锥体渐缩部分为直线斜面,其截面轨迹是直线,曲率中心在无穷远,并非目标专利所述的曲率中心在截面外部的弯曲形状(向内凹陷或向外凸出的曲线)。本领域技术人员不能从直线渐缩隐含得出弯曲渐缩。因此未公开。
O: 配向膜形成在基础层和间隔物上;形成在间隔物上的配向膜的顶部具有半球形<br>《未公开》无相关公开内容对比文件涉及OLED显示器,未描述配向膜结构。因此未公开。
P: 配向膜的顶部的半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小<br>《未公开》无无配向膜公开,故未公开。
Q: 配向膜的顶部的半球形的截面轨迹包括曲率为0mm的轨迹<br>《未公开》无无。
R: 形成在间隔物上的配向膜的高度在1μm至50μm的范围内<br>《未公开》无无。
S: 形成在间隔物上的配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内<br>《未公开》无无。
T: 当任选地选择复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时<br>《未公开》[0042] 间隔物可非均匀分布对比文件未提及选择特定数量的间隔物形成闭合图形。因此未公开。
U: 条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时<br>《未公开》无对比文件未涉及闭合图形的概念。未公开。
V: 在闭合图形中不存在其他间隔物<br>《未公开》无无。
W: 间隔物设置成使得三角形、四边形或六边形中的边的长度中的至少一者不同<br>《未公开》[0042] "间隔物可以非均匀分布"对比文件虽提及非均匀分布,但未教导通过选择间隔物形成闭合图形并使边长不同,也未满足前序的闭合图形条件。本领域技术人员不能从非均匀分布直接推出特征W的具体排列。因此未公开。

根据上述比对,本对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D,隐含公开了技术特征F。其余技术特征(E、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W)均未公开。

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