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对比文件列表
2011-09-29_WO2011118801A_发明申请_WO2011118801A1 硫化物固体電解質材料、電池および硫化物固体電解質材料の製造方法_+++C_E_G_H_I_J+++.docx
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2012-06-12_KR101155734B_发明授权_KR101155734B1 황화물 고체 전해질 재료_+++E+++.docx
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2012-10-25_AU2011230239A_发明专利_AU2011230239A1 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material_+++C_E_G_H_I_J+++.docx
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2012-12-12_CN102823049A_发明公开_CN102823049A 硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法_+++C_E_G_H_I_J+++.docx
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2012-12-18_KR1020120136372A_发明公开_KR1020120136372A 황화물 고체 전해질 재료, 전지 및 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법_+++C_E_G_H_I_J_a_b_f+++.docx
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2012-12-27_US2012328958A_发明申请_US20120328958A1 SOLID ELECTROLYTE, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND LITHIUM BATTERY CONTAINING THE SOLID ELECTROLYTE_+++E+++.docx
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2013-02-06_EP2555307A_发明公开_EP2555307A1 SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL, BATTERY, AND METHOD FOR PRODUCING SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL_+++C_E_G_H_I_J+++.docx
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2013-02-14_US2013040208A_发明申请_US20130040208A1 SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL, BATTERY, AND METHOD FOR PRODUCING SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL_+++C_E_G_H_I_J_a_b_f+++.docx
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2013-08-15_WO2013118722A_发明申请_WO2013118722A1 硫化物固体電解質材料、電池および硫化物固体電解質材料の製造方法_+++B_D_E_G_H_I_J+++.docx
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2014-01-16_AU2011230239B_发明专利_AU2011230239B2 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material_+++C_E_F_G_H_I_J_a_b_d+++.docx
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2014-03-20_WO2014041823A_发明申请_WO2014041823A1 硫化物固体電解質_+++C_E_G_H_I_J+++.docx
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2014-03-27_JP2014056661A_发明专利_JP2014056661A Sulfide solid electrolyte_+++E_G_H_I_J_a_b_c_f+++.docx
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2014-04-15_US8697292B_发明授权_US08697292B2 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material_+++C_E_G_H_I_J+++.docx
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2014-04-16_CN103730630A_发明公开_CN103730630A 一种电池用复合电极及其制备方法_+++E+++.docx
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2014-05-07_KR101392689B_发明授权_KR101392689B1 황화물 고체 전해질 재료, 전지 및 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법_+++C_E_G_H_I_J+++.docx
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2014-05-15_WO2014073197A_发明申请_WO2014073197A1 固体電解質_+++G_e_i_j+++.docx
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2014-05-19_JP2014093261A_发明专利_JP2014093261A Solid electrolyte_+++E_G_H_I_J+++.docx
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2014-06-18_JP5527673B_发明专利_JP5527673B2 Sulfide solid electrolyte material, manufacturing method of a battery and the sulfide solid electrolyte material_+++C_E_G_H_I_J+++.docx
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2014-10-01_CN104081577A_发明公开_CN104081577A 硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法_+++C_E_F_G_H_I_J_d+++.docx
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2014-10-01_KR1020140116158A_发明公开_KR1020140116158A 황화물 고체 전해질 재료, 전지 및 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법_+++E_i_j+++.docx
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2015-01-15_US2015017548A_发明申请_US20150017548A1 SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL, BATTERY, AND PRODUCING METHOD FOR SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL_+++B_E_d_i_j+++.docx
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2015-04-01_CN102823049B_发明授权_CN102823049B 硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法_+++C_E_G_H_I_J_f+++.docx
2026-07-03 01:11
2015-04-15_KR1020150041079A_发明公开_KR1020150041079A 황화물 고체 전해질_+++E_G_H_J+++.docx
2026-07-03 01:11
2015-05-06_CN104604013A_发明公开_CN104604013A 硫化物固体电解质_+++E_G_H_I_J+++.docx
2026-07-03 01:11
2015-06-18_US2015171463A_发明申请_US20150171463A1 HIGH CONDUCTING OXIDE - SULFIDE COMPOSITE LITHIUM SUPERIONIC CONDUCTOR_+++E+++.docx
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2015-07-01_CN104752759A_发明公开_CN104752759A 结晶态Li-Sn-S系无机锂离子固体电解质的制备方法_+++E_H+++.docx
2026-07-03 01:11
2015-09-09_CN104904039A_发明公开_CN104904039A 制造多层结构的全固态电池的方法_+++a_b_c_d_e_h_i_j+++.docx
2026-07-03 01:11
2015-09-16_EP2919313A_发明公开_EP2919313A1 SOLID ELECTROLYTE_+++E_G_H_J+++.docx
2026-07-03 01:11
2015-11-19_US2015333376A_发明申请_US20150333376A1 METHOD FOR MANUFACTURING ALL-SOLID-STATE BATTERIES IN A MULTILAYER STRUCTURE_+++E+++.docx
2026-07-03 01:11
2012-10-25_AU2011230239A_发明专利_AU2011230239A1 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material_+++C_E_G_H_I_J+++.docx

**对比文件名称**:2012-10-25_AU2011230239A_发明专利_AU2011230239A1 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material

**目标专利名称**:硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池(CN108352567B)

**本次调用的模型名称**:gpt-4-turbo(基于提示内容运行的模型)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物<br>**未公开**对比文件[0008]公开了硫化物固体电解质材料包含M1元素、M2元素和S元素,M2选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb。但对比文件未公开含有Sn且不含P的LTMS型化合物,所有实施例均使用P和Ge。对比文件涉及Li-M2-S体系,M2包含Sn,但未教导或暗示不含P、以Sn为主体的LTS型化合物,且目标专利的LTMS必须包含Sn,对比文件无任何含Sn的具体化合物或制备,因此该特征未被直接或隐含公开。
**技术特征B**:[通式1] LiaSnbMcSd<br>**未公开**对比文件[0013]公开了Li(4-x)Ge(1-x)PxS4的通式,未公开LiaSnbMcSd通式。目标专利通式明确包含Sn,对比文件通式不含Sn,且未给出类似通式,无法毫无疑义得出,也未合理推断出包含Sn的通式。
**技术特征C**:其中M是锆(Zr)<br>**直接公开**对比文件[0008]:“M2 is at least one kind selected from the group consisting of P, Sb, Si, Ge, Sn, B, Al, Ga, In, Ti, Zr, V and Nb”。<br>对比文件[0043]:“the M2 is preferably at least one kind selected from the group consisting of P, Ge, Al, Zr, Sn and B”。<br>对比文件实施例10使用ZrS2作为原料,获得含Zr的硫化物固体电解质。对比文件明确列出Zr作为M2的可选元素,且实施例10真实使用了ZrS2,本领域技术人员可直接确定M可以是Zr,该特征被直接公开。
**技术特征D**:0<a≤13, 0<b≤2, 0<c≤2, 0<d≤13<br>**未公开**对比文件[0013]公开Li(4-x)Ge(1-x)PxS4中x满足0<x<1,对应a≈3~4,b对应Ge为1-x,c对应P为x,d=4;实施例中a=3.25~3.5,b(Ge)=0.25~0.5,c(P)=0.5~0.75,d=4。但均不涉及Sn,且数值范围不同。对比文件未公开任何包含Sn的组成范围,也未公开a、b、c、d的宽范围数值,本领域技术人员无法从中直接或推理得到0<a≤13、0<b≤2、0<c≤2、0<d≤13的完整范围,该特征未被公开。
**技术特征E**:其特征在于包括如下步骤<br>**直接公开**对比文件[0022]:“a method for producing a sulfide solid electrolyte material, comprising the steps of: an ion conductive material synthesizing step…; a crystallinity decreasing step…; and a heating step…”。对比文件明确记载了制备方法包括多个步骤,与目标专利方法步骤的前序对应,该特征被直接公开。
**技术特征F**:i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr)<br>**未公开**对比文件[0024]使用Li2S、P2S5、GeS2作为原料;实施例10使用Li2S、P2S5、ZrS2、GeS2;未提及锡硫化物(SnS、SnS2)。对比文件[0029]提到“raw material composition preferably contains Li2S, P2S5 and GeS2”,无锡硫化物。对比文件所有原料组合均不含锡硫化物,且未教导使用SnS2或SnS,本领域技术人员无法从中直接或隐含得到混合锡硫化物的步骤,该特征未被公开。
**技术特征G**:和ii)对所述混合物进行热处理<br>**直接公开**对比文件[0022]的加热步骤,及[0082]:“heating the ion conductive material with the crystallinity decreased”。实施例1中在550℃热处理。对比文件明确包含对混合物(或前驱体)进行加热的步骤,与特征G一致,被直接公开。
**技术特征H**:其特征在于所述热处理<br>**直接公开**对比文件[0022]的“a heating step”,以及[0083]对加热条件的描述。对比文件的方法步骤中明确包括热处理步骤,特征H是对步骤ii的重复限定,已被直接公开。
**技术特征I**:在400℃至850℃下<br>**直接公开**对比文件[0083]:“the heating temperature is preferably 300°C or more, more preferably 350°C or more, far more preferably 400°C or more, and particularly preferably 450°C or more. On the other hand, the heating temperature is preferably 1000°C or less, more preferably 700°C or less, far more preferably 650°C or less, and particularly preferably 600°C or less”。实施例1加热至550℃。对比文件公开了优选400℃以上、700℃以下的温度范围,且实施例使用550℃,完全落入400℃至850℃区间,该特征被直接公开。
**技术特征J**:进行一次或多次<br>**直接公开**对比文件[0022]的方法包括:合成结晶离子导体(涉及加热)、降低结晶度、加热步骤,本质上包含至少两次热处理。[0023]指出在离子导电材料合成步骤之外还进行降低结晶度步骤和加热步骤。实施例1先在700℃合成离子导体,再在550℃进行最终加热。对比文件方法实施例明确实施了多次加热(第一次合成加热,第二次最终加热),且在说明书中未限定仅一次,本领域技术人员可直接得出热处理可进行一次或多次,该特征被直接公开。

### 公开性判断代码

基于上述比对,对比文件直接公开了技术特征C、E、G、H、I、J,未直接或隐含公开技术特征A、B、D、F。

根据输出格式要求,在回答结尾插入对应大写代码。

<<<C>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>>

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