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对比文件列表
1996-02-13_None_发明专利_JPH0840712A Production of dispersion liquid of carbon electric conductor powder_+++B_E_F_W_Z+++.docx
2026-07-03 01:13
2010-11-03_KR1020100117684A_发明公开_KR1020100117684A 흑연 나노판 및 조성물_+++I_N_O_Q_S_T_W_a_b_c_d_e_f_g_h_j_k_r_x_y_z+++.docx
2026-07-03 01:13
2012-05-07_KR101142525B_发明授权_KR101142525B1 그래핀을 이용한 플렉시블 디스플레이의 제조방법 그리고 이를 이용한 디스플레이_+++F_W_b_c_e+++.docx
2026-07-03 01:13
2013-01-14_KR1020130004638A_发明公开_KR1020130004638A 그래핀, 흑연 나노 플레이트의 혼합 분산액 및 그의 분말의 제조 방법_+++B_I_L_M_N_O_R_S_T_W_X_c+++.docx
2026-07-03 01:13
2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++B_E_F_W_c_x+++.docx
2026-07-03 01:13
2013-06-18_KR101274441B_发明授权_KR101274441B1 그래핀, 흑연 나노 플레이트의 혼합 분산액 및 그의 분말의 제조 방법_+++B_I_L_M_N_O_R_S_T_W_X_c+++.docx
2026-07-03 01:13
2014-01-20_JP2014009151A_发明专利_JP2014009151A Method for producing thin-layer graphite or thin-layer graphite compound_+++A_B_C_D_E_F_H_I_W_X_Y_Z_g+++.docx
2026-07-03 01:13
2014-04-10_WO2014053510A_发明申请_WO2014053510A1 GRAPHEN-HALTIGE SUSPENSION, VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG, GRAPHENPLÄTTCHEN UND VERWENDUNG_+++B_C_L_N_O_S_T_W_y_z+++.docx
2026-07-03 01:13
2013-06-18_KR101274441B_发明授权_KR101274441B1 그래핀, 흑연 나노 플레이트의 혼합 분산액 및 그의 분말의 제조 방법_+++B_I_L_M_N_O_R_S_T_W_X_c+++.docx

对比文件名称:2013-06-18_KR101274441B_发明授权_KR101274441B1 그래핀, 흑연 나노 플레이트의 혼합 분산액 및 그의 분말의 제조 방법

目标专利名称:1628利用高速均质化预处理和高压均质化制备石墨烯的方法CN107108226B

模型名称:GPT-4o

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:包括:步骤1,对含有膨胀石墨和分散剂的分散液进行高速均质化来制备进料溶液的步骤。**未公开**无。对比文件公开的步骤为:膨胀步骤([0023]-[0028])、研磨及热处理步骤([0029]-[0035])、均质化及切割步骤([0036]-[0040])、超声波处理步骤([0041]-[0047])。其中研磨步骤为干式研磨(15,000-30,000rpm,5分钟以内),并非对含有膨胀石墨和分散剂的分散液进行高速均质化;均质化及切割步骤使用高压均质器直接处理分散液,未先进行高速均质化预处理。目标专利的步骤1是通过高速均质化提高膨胀石墨在分散液中的分散度,为后续高压均质化做准备。对比文件既无高速均质化步骤,也未在高压均质化前对分散液进行类似预处理,其研磨步骤为干式且作用不同(减小尺寸、弱化层间结合)。本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出该技术特征,也不存在合理推断的可能性,因此未公开。
技术特征B:步骤2,使所述进料溶液通过高压均质器的步骤。**直接公开**[0037]:“将经研磨及热处理步骤获得的石墨蠕虫分散在溶剂中后,通过高压均质器进行均质化同时进行石墨蠕虫切割,得到石墨烯层结合体分散液。”对比文件明确记载了将石墨蠕虫分散液通过高压均质器的步骤,该步骤与本技术特征“使进料溶液通过高压均质器”实质相同。进料溶液均为含有膨胀石墨(石墨蠕虫)的分散液,作用均为通过高压均质器施加剪切力实现剥离。因此直接公开。
技术特征C:所述高压均质器包括入口、出口以及连接在所述入口和所述出口之间并且具有微米级直径的微通道。**隐含公开**[0037]提及“高压均质器”;本领域公知高压均质器通常包含入口、出口以及微米级直径的微通道结构。对比文件虽未明确描述高压均质器的内部结构,但本领域技术人员已知高压均质器必然具有供物料进入的入口、排出物料的出口以及连接其间且直径微米级的微通道(用于产生高压剪切力)。从对比文件使用高压均质器进行均质化切割可以合理推断其具备上述常规结构,因此隐含公开。
技术特征D:其中,所述高速均质化通过以3000至8000rpm搅拌所述分散液来进行。**未公开**无。对比文件研磨步骤转速为15,000-30,000rpm,且为干式研磨,并非对分散液搅拌。目标专利高速均质化转速为3000-8000rpm,对比文件研磨转速超出该范围且处理对象为干燥石墨蠕虫,不是分散液。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得到该转速范围下对分散液进行搅拌的技术方案,因此未公开。
技术特征E:其中,所述高速均质化进行0.5至3小时。**未公开**无。对比文件研磨步骤时间为5分钟以内。目标专利高速均质化时间为0.5-3小时,对比文件研磨步骤时间短且为干式,没有公开该时间范围。未公开。
技术特征F:并使用高速均质器进行搅拌。**未公开**无。对比文件研磨步骤使用研磨机(분쇄기),并非高速均质器;高压均质器用于后续均质化。对比文件未公开使用高速均质器对分散液进行搅拌,其使用的设备(研磨机)与高速均质器结构和作用均不同。未公开。
技术特征G:其中在高速均质器的转子和定子之间施加的剪切速率为>10^4 s^-1。**未公开**无。对比文件未提及任何剪切速率数值。对比文件没有任何关于高速均质器转子/定子剪切速率的记载,也未公开任何设备能达到该剪切速率。未公开。
技术特征H:其中,所述膨胀石墨与所述分散剂的重量比为2.5至20。**未公开**无。对比文件在均质化及切割步骤前未添加分散剂;超声波处理步骤中加入分散剂,其量为总重量的0.1-3重量%([0043]),未涉及与膨胀石墨的重量比。目标专利中分散剂在高速均质化步骤即加入,且与膨胀石墨有特定重量比。对比文件在高压均质化前不含分散剂,超声波步骤的分散剂比例不同且与膨胀石墨无直接限定比例。本领域技术人员无法从对比文件得出该重量比范围。未公开。
技术特征I:其中,所述膨胀石墨在所述分散液中的浓度为0.5重量%至5重量%。**直接公开**[0068]:“将经上述方法获得的石墨蠕虫30g分散在丁基溶纤剂溶剂970g中。”即浓度=30/(30+970)=3重量%,在0.5-5%范围内。对比文件实例中高压均质化前的分散液浓度明确为3重量%,落入目标专利的浓度范围。该浓度下的膨胀石墨(石墨蠕虫)分散液用于高压均质化,与本特征作用相同。因此直接公开。
技术特征J:其中,所述膨胀石墨的振实密度为0.01至0.5g/cm^3。**未公开**无。对比文件未记载任何振实密度数据。目标专利对膨胀石墨的振实密度有特定数值要求,对比文件既未给出振实密度值,也未暗示该范围。未公开。
技术特征K:BET表面积为5至50 m^2/g。**未公开**无。对比文件未记载比表面积数据。目标专利对膨胀石墨的BET表面积有特定数值,对比文件无任何相关记载。未公开。
技术特征L:其中,所述分散剂是芘类低分子量衍生物。**直接公开**[0047]分散剂列表中包括“파이렌계 유도체(pyrene derivatives)”(芘类衍生物)。对比文件明确列出了芘类衍生物作为分散剂,可用于分散石墨烯材料。本领域技术人员可直接获得该种类的分散剂。因此直接公开。
技术特征M:纤维素聚合物。**直接公开**[0047]分散剂列表中包括“에틸렌 셀룰로오스(ethylene cellulose)”(乙基纤维素),属于纤维素聚合物。乙基纤维素是典型的纤维素聚合物,对比文件明确列出,因此直接公开。
技术特征N:阳离子表面活性剂。**直接公开**[0047]分散剂列表中包括“세틸트리메틸암모늄클로라이드(CTAC)”、“세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB)”、“도데실-트리메틸 암모늄브로마이드(DTAB)”等阳离子表面活性剂。对比文件明确列举了多种阳离子表面活性剂,因此直接公开。
技术特征O:阴离子表面活性剂。**直接公开**[0047]分散剂列表中包括“도데실벤젠설페이트”、“도데실벤젠설폰산나트륨(NaDDBS)”、“도데실설폰산나트륨(SDS)”等阴离子表面活性剂。对比文件明确列举了多种阴离子表面活性剂,因此直接公开。
技术特征P:正十二烷基b‑D‑麦芽糖苷。**未公开**无。对比文件分散剂列表未提及该化合物。对比文件分散剂种类繁多,但未包含正十二烷基b‑D‑麦芽糖苷。未公开。
技术特征Q:两性表面活性剂。**未公开**无。对比文件分散剂列表未明确提及两性表面活性剂。对比文件所列分散剂多为阴离子、阳离子、非离子等类型,未公开两性表面活性剂。未公开。
技术特征R:聚乙烯吡咯烷酮类聚合物。**直接公开**[0047]分散剂列表中包括“PVP”(聚乙烯吡咯烷酮)。对比文件明确列出PVP,属于聚乙烯吡咯烷酮类聚合物,因此直接公开。
技术特征S:聚氧化乙烯类聚合物。**直接公开**[0047]分散剂列表中包括“폴리에틸렌옥사이드(Poly Ethylene Oxide)”(聚氧化乙烯)。对比文件明确列出聚氧化乙烯,属于聚氧化乙烯类聚合物,因此直接公开。
技术特征T:环氧乙烷‑环氧丙烷共聚物。**直接公开**[0047]分散剂列表中包括“폴리에틸렌옥사이드-폴리프로필렌옥사이드 공중합체”(聚氧化乙烯-聚氧化丙烯共聚物),即环氧乙烷-环氧丙烷共聚物。对比文件明确列出该共聚物,因此直接公开。
技术特征U:丹宁酸。**未公开**无。对比文件分散剂列表未提及丹宁酸。对比文件未公开丹宁酸作为分散剂。未公开。
技术特征V:多种多环芳烃氧化物的混合物,其是含有60重量%以上的量的分子量为300至1000的多环芳烃氧化物的混合物。**未公开**无。对比文件未记载此类混合物。目标专利限定了特定的多环芳烃氧化物混合物及其含量和分子量范围,对比文件无任何相关公开。未公开。
技术特征W:其中,所述分散液的溶剂是选自水、NMP、丙酮、DMF、DMSO、CHP、N12P、苯甲酸苄酯、N8P、DMEU、环己酮,DMA、NMF、溴苯、氯仿、氯苯、苄腈、喹啉、二苄醚、乙醇、异丙醇、甲醇、丁醇、2‑乙氧基乙醇、2‑丁氧基乙醇、2‑甲氧基丙醇、THF、乙二醇、吡啶、N‑乙烯基吡咯烷酮、甲基乙基酮、α‑萜品醇、甲酸、乙酸乙酯和丙烯腈中的一种或多种。**直接公开**[0040]溶剂列表(部分):“물(水), 부틸셀로솔브(丁基溶纤剂), 아세톤(丙酮), 메틸에틸케톤(甲基乙基酮), 메틸알콜(甲醇), 에틸알콜(乙醇), 이소프로필알콜(异丙醇), 부틸알콜(丁醇), 에틸렌글라이콜(乙二醇), 폴리에틸렌글라이콜(聚乙二醇), 테트라하이드로푸란(THF), 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아마이드(DMA), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 사이클로헥사논(环己酮), 클로로포름(氯仿), 증류수(蒸馏水), 디클로로벤젠(二氯苯), 피리딘(吡啶), 아크릴로니트릴(丙烯腈), 디메틸설폭사이드(DMSO), 에틸아세테이트(乙酸乙酯), α-테피놀(α-萜品醇), 포름산(甲酸), 2-에톡시 에탄올, 2-메톡시 에탄올, 2-부톡시 에탄올, 2-메톡시 프로판올, N-비닐-2-피롤리돈(NVP), N-도데실-2-피롤리디논(N12P), 1-옥틸-2-피롤리돈(N8P), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMEU), 벤질 벤조에이트(苯甲酸苄酯)等。”对比文件列出的大量溶剂中包含目标专利W中的大部分溶剂(水、NMP、丙酮、DMF、DMSO、环己酮、DMA、乙醇、异丙醇、甲醇、丁醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、2-甲氧基丙醇、THF、乙二醇、吡啶、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙基酮、α-萜品醇、甲酸、乙酸乙酯、丙烯腈、N12P、苯甲酸苄酯、N8P、DMEU等)。虽然未穷尽,但本领域技术人员可直接从对比文件获知使用这些溶剂作为分散介质。因此直接公开。
技术特征X:其中,所述进料溶液中的膨胀石墨在施加剪切力下通过微通道时被剥离,从而制备石墨烯。**直接公开**[0039]:“通过高压均质器的均质化及切割步骤,促进石墨蠕虫在溶剂中的稳定分散,并通过高压均质化过程切割石墨蠕虫,最大化石墨烯和石墨纳米片的生产率。”对比文件明确通过高压均质器对石墨蠕虫(膨胀石墨)施加剪切力进行切割,获得石墨烯和石墨纳米片。该过程与本特征一致:膨胀石墨在通过高压均质器微通道时被剪切力剥离,制备石墨烯。因此直接公开。
技术特征Y:其中,所述微通道的直径为50至300μm。**未公开**无。对比文件未提及任何微通道直径参数。目标专利对微通道直径有特定数值范围限定,对比文件既未公开高压均质器微通道的具体尺寸,也未暗示该范围。未公开。
技术特征Z:其中,所述进料溶液被引入到施加500至3000巴的压力下的所述高压均质器的入口并通过所述微通道。**未公开**无。对比文件未提及高压均质器的操作压力数值。对比文件未公开任何压力范围,本领域技术人员无法从中获知500-3000巴的具体压力条件。未公开。

## 公开性代码

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