**对比文件名称**：2011-09-08_JP2011176057A_发明专利_JP2011176057A Semiconductor device
**目标专利名称**：用于晶片翘曲减小的应力缓解结构CN106165094B
**模型名称**：DeepSeek最新版本模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：包括：支撑第一沉积层间电介质的基板**<br>《直接公开》 | [0024] サファイア基板１は、本発明における絶縁基板であり、サファイア基板１の主面側の全面には、図１に示すように、第１の絶縁膜７が形成されている。 この第１の絶縁膜７は、例えば、シリコン基板を熱酸化することにより形成された酸化膜ＳｉＯ 2であり、接着剤等を用いることなく、表面精度のよい面同士を密着させることで水素結合やファンデルワールス結合などを利用して貼り合わせる貼り合せ法により、絶縁基板としてのサファイア基板１に固着されたものである。<br>（翻译：蓝宝石基板1是本发明的绝缘基板，如图1所示，在蓝宝石基板1的主面侧整个面上形成有第一绝缘膜7。该第一绝缘膜7是通过例如将硅基板热氧化而形成的氧化膜SiO2，并且通过不使用粘合剂等、而是通过使表面精度良好的面彼此密着以利用氢键或范德华力等进行贴合的贴合法，牢固地固定在作为绝缘基板的蓝宝石基板1上。） | 对比文件公开了“蓝宝石基板1”（绝缘基板）以及在其主面上形成的“第一绝缘膜7”（氧化膜SiO2）。第一绝缘膜7通过热氧化硅基板然后贴合到蓝宝石基板上的方式形成，相当于“沉积”形成的层间电介质（绝缘膜）。该基板（蓝宝石基板1）支撑着第一绝缘膜7。该结构在对比文件中作为整个器件的基础支撑结构，与目标专利中“基板支撑第一沉积层间电介质”的结构和作用（提供器件支撑和电介质层）相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **特征B：包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，**<br>《隐含公开》 | [0032] また、容量Ｃ２は、第１の絶縁膜７上に貼り合わせ法により接合されたシリコン基板の一部を酸化して形成されたＳｉＯ 2からなる絶縁島領域１３ｂ上に、第１配線層１１、容量形成用絶縁膜１４及び第２配線層１０が順に形成されたいわゆるＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造である。<br>（翻译：另外，电容器C2是在第一绝缘膜7上通过贴合接合的硅基板的一部分被氧化而形成的、由SiO2构成的绝缘岛区域13b上，依次形成第一布线层11、电容器形成用绝缘膜14及第二布线层10的所谓的MIM（金属-绝缘体-金属）结构。）<br>[0030] また、第２配線層１０はトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２上に設けられた層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール１２を介して第１配線層１１に電気的に接続され、引き出し電極及び配線電極として用いられる。<br>（翻译：另外，第二布线层10通过形成于晶体管Tr1、Tr2上设置的层间绝缘膜15中的接触孔12，与第一布线层11电连接，用作引出电极及布线电极。） | 目标专利的“导电栈”是由多个导电层（BEOL层）通过通孔等互连构成的堆叠结构。对比文件明确公开了包含“第一布线层11”和“第二布线层10”并通过“接触孔12”互连的MIM电容器结构（C2），这构成了一个多层导电堆叠。该堆叠结构形成在“绝缘岛区域13b”上，而绝缘岛区域13b又位于“第一绝缘膜7”上，因此该堆叠结构相对于基板（蓝宝石基板1）具有一个确定的高度（第一标高）。虽然对比文件未明确使用“导电栈”或“BEOL”等术语，但本领域技术人员根据其描述的MIM结构（金属层/绝缘层/金属层）及其在器件后端互连中的作用，能够合理推断出该结构即是包含后端制程导电层的堆叠，且处于相对于基板的某个标高处。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **特征C：其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层**<br>《隐含公开》 | [0032] 容量Ｃ２は、第１の絶縁膜７上に...絶縁島領域１３ｂ上に、第１配線層１１、容量形成用絶縁膜１４及び第２配線層１０が順に形成されたいわゆるＭＩＭ構造である。<br>（翻译：电容器C2是在第一绝缘膜7上...绝缘岛区域13b上，依次形成第一布线层11、电容器形成用绝缘膜14及第二布线层10的所谓MIM结构。）<br>[0030] 第２配線層１０は...コンタクトホール１２を介して第１配線層１１に電気的に接続される。<br>（翻译：第二布线层10通过...接触孔12与第一布线层11电连接。）<br>[0024] サファイア基板１の主面側の全面には...第１の絶縁膜７が形成されている。<br>（翻译：在蓝宝石基板1的主面侧整个面上...形成有第一绝缘膜7。） | 对比文件公开的MIM电容器C2结构可映射为目标专利的第一导电栈：<br>1. **“第一导电层直接在所述基板的表面上”**：对比文件中的“第一布线层11”形成在“绝缘岛区域13b”上，而绝缘岛区域13b位于“第一绝缘膜7”上，第一绝缘膜7直接位于蓝宝石基板1上。因此，第一布线层11可被视为直接位于由基板和第一绝缘膜构成的复合“表面”上。<br>2. **“第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上”**：对比文件中的“绝缘岛区域13b”（由氧化硅构成）可被视为沉积形成的第一层间电介质，它位于第一绝缘膜7上，并局部支撑第一布线层11。<br>3. **“第二沉积电介质层在第一导电层上”**：对比文件中的“电容器形成用绝缘膜14”直接形成在第一布线层11上，对应于第二沉积电介质层。<br>4. **“第二导电层在第二沉积电介质层上”**：对比文件中的“第二布线层10”形成在电容器形成用绝缘膜14上。<br>5. **“第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层”**：对比文件中还有“第二布线层10”在其他区域（非MIM电容器区域）通过“接触孔12”（相当于第一通孔）与下方的“第一布线层11”连接。此处的第二布线层10在接触孔区域可被视为“第三导电层”，它直接位于层间绝缘膜15（可视为另一层间电介质）上，并通过通孔连接至第一导电层（第一布线层11）。虽然层间绝缘膜15与绝缘岛区域13b可能不同，但本领域技术人员能够理解，在多层互连结构中，上层金属通过通孔连接至下层金属是普遍技术，可以合理推断出存在“第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并通过通孔耦合到第一导电层”这样的子结构。因此，特征C的整体方案被对比文件隐含公开。 |
| **特征D：以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。**<br>《隐含公开》 | [0028] シリコン島領域１６ａ及び１６ｂは、...貼り合わせ法によりサファイア基板１に接合されたシリコン基板の所定の領域をエッチングせずに残した領域であり、...トランジスタＴｒ１及びＴｒ２が形成されている。<br>（翻译：硅岛区域16a及16b是...通过贴合接合到蓝宝石基板1的硅基板的预定区域未被蚀刻而残留的区域，...形成有晶体管Tr1及Tr2。）<br>[0030] 第２配線層１０は...コンタクトホール１２を介して第１配線層１１に電気的に接続され...<br>（翻译：第二布线层10通过...接触孔12与第一布线层11电连接...）<br>图3、图4显示了晶体管区域和MIM电容器区域的不同剖面结构。 | 对比文件公开了至少两种不同的器件结构区域，它们可以对应不同的“导电栈”：<br>1. **第一导电栈**：如前所述，可以是MIM电容器C2所在的堆叠结构（特征B、C）。<br>2. **第二导电栈**：对比文件还公开了晶体管（如Tr2）区域。晶体管区域包括“硅岛区域16b”（有源层）及其上的栅极、源/漏电极（如第一布线层11的一部分）以及互连层（第二布线层10）。这些导电层（如第一布线层11、第二布线层10在晶体管区域的互连部分）构成了另一个导电堆叠（第二导电栈）。特别地，晶体管的有源区（硅岛）是直接位于“第一绝缘膜7”上，而第一绝缘膜7直接位于基板（蓝宝石基板1）上。因此，构成该第二导电栈基础的有源层或与之直接连接的导电层，可以被理解为“直接在所述基板的表面上的第三导电层”。由于MIM电容器区域（绝缘岛区域13b上有额外厚度）和晶体管区域（直接在较薄的第一绝缘膜7上）的结构差异，这两个“导电栈”相对于基板的高度（标高）必然不同。本领域技术人员通过阅读对比文件附图（如图3、图4）和描述，能够合理推断出存在处于不同标高、且包含直接位于基板表面上的导电层的多个导电堆叠结构。因此，特征D被隐含公开。 |
| **特征E：其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。**<br>《隐含公开》 | [0029] また、第１の絶縁膜７のうちシリコン島領域１６ｂ直下の膜厚をｔ１、他の領域の膜厚をｔ２と示している。 そして、...シリコン島領域１６ｂ直下を除く他の領域、例えば、第２配線層１０の直下の第１の絶縁膜７の膜厚ｔ２を該直下の膜厚ｔ１よりも薄く、つまり、ｔ１＞ｔ２となるように形成する。 なお、シリコン島領域１６ｂ直下を除く他の領域では、第１の絶縁膜をエッチング等により完全に除去してｔ２＝０としてもよい。<br>（翻译：另外，将第一绝缘膜7中硅岛区域16b正下方的膜厚表示为t1，其他区域的膜厚表示为t2。并且，...将硅岛区域16b正下方以外的其他区域、例如第二布线层10正下方的第一绝缘膜7的膜厚t2形成得比该正下方的膜厚t1薄，即t1>t2。另外，在硅岛区域16b正下方以外的其他区域，也可以通过蚀刻等将第一绝缘膜完全去除，使t2=0。） | 目标专利中“基板的表面被暴露”是指为了应力缓解而移除不必要的层间电介质，使基板表面在某些区域露出。对比文件在其实施例的变型例（图5、对应段落[0029]）中明确指出，为了改善散热，可以在布线层（如第二布线层10）下方将第一绝缘膜7减薄（t2 < t1）甚至完全去除（t2=0）。完全去除第一绝缘膜7的区域，本质上就是“基板的表面被暴露”。虽然对比文件描述此技术是为了散热，而目标专利是为了减小翘曲，但两者在“移除基板上的部分绝缘膜以暴露基板表面”这一物理结构上是相同或等同的。本领域技术人员可以理解，在布线区域之间选择性地去除绝缘膜，必然会在不同的器件结构（可对应于第一、第二导电栈）之间形成暴露的基板区域。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **特征F：其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。**<br>《直接公开》 | [0033] また、インダクターＬは、絶縁島領域１３ｂ上に第２配線層１０が所定のパターンにパターン形成された構成である。<br>（翻译：另外，电感器L是在绝缘岛区域13b上，将第二布线层10图案化成预定图案而构成。）<br>[0002] 携帯電話などの通信機器...<br>（翻译：移动电话等通信设备...） | 对比文件明确公开了“电感器L”，并且其由“第二布线层10”图案化形成（参见[0033]）。在目标专利的语境中，“第一导电层和第三导电层”是构成导电栈的金属层，可用于形成电感器等无源器件。对比文件中的“第二布线层10”作为后端互连金属层，其作用与目标专利的导电层相同，用于形成电感器。因此，对比文件直接公开了“包括用电感器”这一特征。 |
| **特征G：其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。**<br>《直接公开》 | [0032] 容量Ｃ２は、第１の絶縁膜７上に貼り合わせ法により接合されたシリコン基板の一部を酸化して形成されたＳｉＯ 2からなる絶縁島領域１３ｂ上に、第１配線層１１、容量形成用絶縁膜１４及び第２配線層１０が順に形成されたいわゆるＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造である。<br>（翻译：电容器C2是在第一绝缘膜7上通过贴合接合的硅基板的一部分被氧化而形成的、由SiO2构成的绝缘岛区域13b上，依次形成第一布线层11、电容器形成用绝缘膜14及第二布线层10的所谓的MIM（金属-绝缘体-金属）结构。） | 对比文件明确且详细地描述了MIM电容器的结构：它由作为下极板的“第一布线层11”（对应第一导电层）、作为电容介质的“电容器形成用绝缘膜14”（对应第二沉积电介质层）、以及作为上极板的“第二布线层10”（对应第二导电层）依次堆叠而成。这完全对应于目标专利特征G所描述的“用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器”。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **特征H：其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。**<br>《直接公开》 | [0002] 携帯電話などの通信機器は、異なる通信方式と異なる周波数に対応する通信機能を同一機器内に小型に一体化することが求められ、しかも更なる高機能化や小型化への要望が著しく強い。<br>（翻译：对于移动电话等通信设备，强烈要求在同一个设备内小型化地集成对应于不同通信方式和不同频率的通信功能，而且对更高功能化和更小型化的期望非常强烈。）<br>[0049] 本発明の半導体装置は、携帯電話などの数ＧＨｚの高周波の信号を取り扱い、しかもアナログ信号とデジタル信号の信号処理を含む複雑な機能の高集積化を要望される半導体装置として有用である。<br>（翻译：本发明的半导体装置，作为用于处理数GHz的高频信号、并且要求对包含模拟信号和数字信号处理的复杂功能进行高集成化的半导体装置是有用的，例如用于移动电话等。） | 对比文件多次明确提及其所公开的半导体装置用于“移动电话等通信设备”（携帯電話などの通信機器）。而“移动电话”毫无疑问属于目标专利特征H中列举的“通信设备”范畴。因此，对比文件直接公开了“所述集成器件被纳入到...通信设备...中”这一特征。 |
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