对比文件名称：US2003071293A1_Description_20260309_2235
目标专利名称：用于晶片翘曲减小的应力缓解结构CN106165094B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 包括：支撑第一沉积层间电介质的基板**《隐含公开》 | “FIG. 2...reference numeral 1 denotes a semiconductor substrate; 2, an interlayer insulation film;” (参见[0046]段) “On the interlayer insulation film 2 at the upper part of the semiconductor substrate 1, on which transistors (not shown) have been fabricated, a capacitor is formed...” (参见[0047]段) | 目标专利中，基板102用于支撑第一沉积层间电介质110等结构（见图1-3B）。对比文件中，半导体衬底1用于支撑其上的层间绝缘膜2（interlayer insulation film 2），并进一步支撑电容器等结构。虽然目标专利的基板可能特指玻璃等低损耗材料，而对比文件的衬底1为半导体衬底，但两者在器件中均起到支撑和承载后续沉积的层间电介质及导电层的基础作用。根据宽松的隐含公开判断标准，本领域技术人员可以从对比文件中推理出其公开了“支撑第一沉积层间电介质的基板”这一基本结构特征。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **B. 包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处**《隐含公开》 | “a capacitor is formed which consists of the lower electrode 3, the capacitive insulation film (ferroelectric layer) 4 and the upper electrode 5.” (参见[0047]段) “Thereafter, openings are formed in these insulation films 6 and 7, and the top wiring layer 8 is formed.” (参见[0047]段) | 目标专利中，“第一导电栈”是一个包含BEOL导电层的垂直堆叠结构（例如，图3B中的导电栈I”包含第一导电层104和第三导电层114），其整体相对于基板具有一个“第一标高”。对比文件中，由下电极3、电容绝缘膜4和上电极5构成电容器，以及上方的上布线层8（top wiring layer 8），这些导电层（3, 5, 8）在衬底1上方依次堆叠，共同构成了一个导电结构体。虽然对比文件未明确使用“导电栈”或“标高”的术语，也未明确区分FEOL/BEOL，但其描述的导电层堆叠（如下电极3和上电极5，以及与它们电连接的上布线层8）在衬底上的垂直位置关系，实质上构成了一个处于特定高度（即相对于衬底的标高）的导电结构。本领域技术人员可以合理推断出对比文件公开了“处于相对于基板（衬底）的第一标高处、包括导电层的结构”。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **C. 其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层**《未公开》 | 无对应引用。对比文件未描述如此具体且具有精确空间位置和连接关系的多层堆叠结构。其电容器的下电极3和上电极5之间是电容绝缘膜4，而非“第二沉积电介质层”和“第二导电层”的堆叠。其布线层8通过开口连接至下层，但未描述为“第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并通过第一通孔耦合到第一导电层”这种特定连接方式。 | 目标专利的特征C限定了第一导电栈非常具体且精细的层状结构，包括各层（第一导电层、第一沉积层间电介质、第二沉积电介质层、第二导电层、第三导电层）之间精确的“直接在...上”、“仅在...上”、“在...上”等位置关系，以及通过“第一通孔”的特定耦合关系。这种结构旨在通过减少不必要的层间电介质来缓解晶片翘曲。对比文件（如图2、[0047]段）公开的结构完全不同：在衬底1和层间绝缘膜2之上是电容器（下电极3/绝缘膜4/上电极5），然后是由有机膜6和硬掩模材料7构成的多层绝缘膜覆盖电容器，最后是上布线层8。其中，没有与“第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上”对应的MIM电容器以外的第二套导电/介质堆叠；也没有“第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并通过第一通孔耦合到第一导电层”这种连接方式。对比文件的结构目的（防止氢/水渗透和应力）和具体实现方式均与目标专利不同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出特征C所定义的具体技术方案。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **D. 以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。**《隐含公开》 | “the top wiring layer 8 is formed.” (参见[0047]段) “Next, a top wiring layer 8 comprised of Al is formed...” (参见[0063]段) 在附图2中，上布线层8位于多层绝缘膜（6,7）之上。 | 目标专利中，“第二导电栈”是另一个独立的导电结构（例如，图3B中的导电栈II”包括第四导电层118），其标高与第一导电栈不同，并且包含了“直接在基板表面上的第三导电层”（例如，图3B中第二导电栈II”内的第三导电层114直接接触基板102）。对比文件中，上布线层8（top wiring layer 8）是形成在多层绝缘膜（6,7）之上的另一个导电层。虽然图2显示上布线层8并未“直接”接触衬底1的表面，而是位于绝缘膜之上，但其作为一个独立的布线结构，与本征的电容电极堆叠（3,4,5）处于不同的垂直高度（即不同的标高）。此外，在对比文件的制造过程中（例如[0063]段），上布线层8是经过图案化形成的独立结构。本领域技术人员可以理解，在集成电路中，可以存在多个处于不同标高、彼此独立的导电结构（或“栈”）。虽然对比文件未明确描述一个导电层“直接在基板表面上”，但基于隐含公开的宽松标准，可以认为对比文件公开了“存在另一个包括导电层（如上布线层8）的结构，其处于不同于第一导电结构（电容器电极堆叠）的标高”这一概念。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **E. 其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。**《未公开》 | 无对应引用。对比文件的附图2、4、5等均显示绝缘膜（如2,6,7,9,10）连续覆盖衬底表面，未显示出在第一导电结构（如电容器）与第二导电结构（如上布线层8）之间的区域有意识地暴露衬底表面。 | 目标专利的特征E是应力缓解结构的核心之一，通过在第一导电栈与第二导电栈之间的区域暴露基板表面，移除不必要的层间电介质材料，从而减少应力与翘曲（见图3B，基板102表面在栈I”和栈II”之间暴露）。对比文件所解决的技术问题是防止氢、水渗透和减小应力对铁电膜的劣化，其采用的手段是在器件上方形成连续的多层有机膜和硬掩模材料作为保护层（见[0047], [0057]段），而非有选择地暴露衬底以移除材料。对比文件的所有附图均显示衬底或层间绝缘膜被后续膜层连续覆盖，没有公开任何旨在缓解翘曲而故意暴露衬底表面的技术特征。本领域技术人员无法从对比文件的内容中推理出该特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F. 其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。**《未公开》 | 无对应引用。对比文件全文均围绕半导体存储器件的电容器（capacitor）展开，涉及铁电膜、高介电常数材料等，未提及任何关于电感器（inductor）的结构或制造。 | 目标专利的特征F限定了器件中包括由特定导电层（第一导电层和第三导电层）形成的电感器。这是目标专利说明书中提及的集成无源器件（IPD）的一种具体类型（见[0023], [0030]段）。对比文件（US2003071293A1）的主题是“半导体存储器件”，其说明书中描述的所有实施例均关于电容器（capacitor），特别是使用铁电材料或高介电常数材料的电容，用于非易失性存储器或大容量DRAM（见[0002], [0016]段）。全文未提及电感器或其形成。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出存在电感器，更不用说由特定命名的导电层形成的电感器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **G. 其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。**《直接公开》 | “a capacitor is formed which consists of the lower electrode 3, the capacitive insulation film (ferroelectric layer) 4 and the upper electrode 5.” (参见[0047]段) | 目标专利的特征G限定了第一导电栈中包含一个由第一导电层、第二沉积电介质层、第二导电层构成的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。这对应目标专利说明书中的MIM电容器（见[0030]段）。对比文件明确公开了由下电极3、电容绝缘膜4（capacitive insulation film）和上电极5构成的电容器（见[0047]段）。电容绝缘膜4由高介电常数材料或铁电材料制成（见[0014], [0017]段），这正是一种“绝缘体”层。该结构“下电极-绝缘体-上电极”是标准的MIM电容器结构。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出“包括由下电极（第一导电层）、电容绝缘膜（第二沉积电介质层）和上电极（第二导电层）形成的MIM电容器”这一技术方案。虽然材料（如铁电材料）和目标（用于存储器）可能有所不同，但MIM电容器的基本三层结构特征已被直接公开。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **H. 其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。**《隐含公开》 | “The non-volatile ferroelectric memory device as described above is packaged... and is used in the field of consumer machinery.” (参见[0057]段) | 目标专利的特征H限定了包含该集成电路器件的最终应用产品，属于用途特征。对比文件在[0057]段明确指出，所述非易失性铁电存储器器件经过封装后，“用于消费机械领域（used in the field of consumer machinery）”。“消费机械领域”是一个宽泛的上位概念，其内涵涵盖了目标专利所列举的音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、PDA、计算机等具体的消费类电子设备。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全可以从对比文件“用于消费机械领域”的公开内容中，合理推断出该器件可以被纳入到其所列举的各类具体消费电子产品中。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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