**对比文件名称**：US2008233731A1_Description_20260309_2235
**目标专利名称**：用于晶片翘曲减小的应力缓解结构CN106165094B
**模型名称**：GPT-4
### **特征比对表格**
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落或附图) | 公开性论述 |
| **A: 包括：支撑第一沉积层间电介质的基板**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件图3及相应描述：[0037] “Device 100 includes a substrate 102, over which a first conductive layer 104 is disposed... A first passivation layer 112 is disposed above the dielectric layer.” | **未公开**：目标专利的特征A明确限定基板支撑“第一沉积层间电介质”（即第一层间电介质110）。该层间电介质直接沉积在基板之上，用于支撑其上方的导电层结构。对比文件中的第一钝化层（first passivation layer 112）虽然也是电介质层，但其位置和作用不同：它沉积在介电层（dielectric layer 110）之上，用于作为图案化的硬掩模并保护下方结构（见[0039]）。对比文件中，直接位于基板102之上的导电层（第一导电层104）和电阻层（108）并未被“第一沉积层间电介质”所覆盖或支撑。因此，对比文件未公开基板直接支撑如目标专利所定义的第一沉积层间电介质这一技术特征。 |
| **B: 包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，**<br>**公开性判断：《直接公开》** | 对比文件图3及相应描述：[0037] “Device 100 includes a substrate 102, over which a first conductive layer 104 is disposed. A high resistivity layer 108 is disposed above the first conductive layer 104... A dielectric layer 110 is formed above the high resistivity layer 108... a thin, second conductive layer 114 is deposited and patterned after the passivation layer 112 has been formed. Layer 114 serves as a top electrode of a capacitor device.” | **直接公开**：对比文件公开的半导体器件100包含一个堆叠结构，该结构由基板102上的第一导电层104、高电阻层108、介电层110以及位于介电层110和钝化层112上的第二导电层（顶部电极）114构成。该堆叠结构形成了一个电容器堆栈（capacitor stack），如[0037]和[0043]所述。第一导电层104和第二导电层114均为在基板（前端工艺完成）之后形成的后端制程（BEOL）导电层。该电容器堆栈相对于基板102处于一个确定的高度（第一标高）。因此，对比文件直接公开了一个包含BEOL导电层、处于相对于基板的第一标高处，并构成功能器件（电容器）的“第一导电栈”。 |
| **C: 其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件图3、4A-4I及相应描述：[0037] “A first conductive layer 104 is disposed” on substrate 102 (图4A). “A dielectric layer 110 is deposited over the high resistivity layer 108, conductive layer 104, and substrate 102” (图4C). “A second conductive layer 114... deposited over the capacitor stack” (图4E). “A third and fourth conductive layer 118, 120 are formed over the electrode 114.” (图4G) | **未公开**：目标专利的特征C限定了第一导电栈的详细分层结构。对比文件虽公开了在基板上的第一导电层（104），但未公开“第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上”。对比文件中的介电层110覆盖了第一导电层104、高电阻层108和部分基板102（图4C），并非“仅”在第一导电层表面。其次，对比文件公开了在介电层110上的第二导电层（114），但该层是电容器的顶部电极，其下方的介电层110是电容器的绝缘介质，这与目标专利中“第二沉积电介质层”和“第二导电层”形成MIM电容器的上下文（见特征G）不同，且目标专利的“第二导电层”在MIM中作为电极。再者，对比文件的第三导电层（118）形成在第二导电层（114）和第一钝化层（112）之上，并通过开口116与下方连接，但该连接并非通过一个明确的“第一通孔”耦合至“第一导电层”（104）。第三导电层（118）更多是互连作用，其结构关系与目标专利中定义的“第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层”的结构不同。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **D: 以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件图3、4A：[0037] “A WB pad 106 is also optionally disposed over the substrate 102 as shown.” | **未公开**：目标专利的特征D限定了与第一导电栈并排、处于不同标高的第二导电栈，且该栈包含直接位于基板表面的第三导电层。对比文件公开了焊盘（WB pad 106）直接形成在基板102表面上（图4A）。焊盘是一个导电结构，可视为一个简单的“导电栈”。然而，目标专利说明书和权利要求中定义的“导电栈”通常包含多层BEOL导电层结构（例如图3B中的第一导电栈I”包含第一导电层104和第三导电层114），而对比文件的焊盘106是单层结构，并未描述为包含BEOL导电层的“栈”。更重要的是，目标专利强调两个导电栈处于“不同的标高”，其目的是通过高度的差异来调整层间电介质的分布以缓解应力。对比文件并未描述焊盘106与电容器堆栈（第一导电栈）处于不同的“标高”，也未揭示这种高度差异用于应力缓解的目的。因此，对比文件未公开该特征。 |
| **E: 其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件图3、4I：[0048] “Dielectric layer 110 over the WB pad 106 can be etched after completing the second passivation layer 122 to expose a surface of the WB pad 106 via opening 124...” | **未公开**：目标专利的特征E是核心发明点之一，即在两个导电栈之间的区域暴露基板表面，从而移除不必要的层间电介质，减少材料应力和晶片翘曲（见说明书[0032]-[0035]）。对比文件虽然公开了通过刻蚀介电层110以暴露焊盘106表面（形成开口124），但这目的是为了进行电连接（如引线键合），而非在两个功能性的导电栈（如一个电容器栈和一个电感器栈或另一个导电栈）之间刻意暴露基板表面以缓解应力。对比文件并未教导或暗示在器件的有源区域（如两个堆叠结构之间）移除电介质以暴露基板来达到减小翘曲的效果。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **F: 其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件图5B及描述：[0057] “The depicted passive spiral inductor device 132 includes a portion of metal layer 120 which has been patterned in a spiral shape.” | **未公开**：目标专利的特征F限定电感器由“第一导电层和第三导电层”形成。对比文件确实公开了电感器（132），但其由金属层120（即第四导电层）图案化形成（见[0057]），并非由权利要求中定义的“第一导电层”（对应对比文件的104）和“第三导电层”（对应目标专利中定义的在第一沉积层间电介质上的层，对比文件中无对应结构）形成。虽然本领域技术人员知晓可以用不同金属层形成电感器，但对比文件文本和附图均未公开使用特定层“第一导电层和第三导电层”来形成电感器的技术方案。 |
| **G: 其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。**<br>**公开性判断：《直接公开》** | 对比文件[0043] “The dielectric layer 110, high resistivity layer 108, and conductive layer 104 form various subcomponents of a capacitor stack.” <br>图4E及描述：[0045] “Layer 114 becomes the top electrode of a capacitor device integrated into device 110.” | **直接公开**：目标专利的特征G限定了第一导电栈中包含由第一导电层、第二电介质层、第二导电层构成的MIM电容器。对比文件明确公开了由第一导电层（104）、介电层（110）和第二导电层（顶部电极114）形成的电容器堆栈（capacitor stack）。其中，介电层110位于第一导电层104与第二导电层114之间，构成了“金属-绝缘体-金属”结构。尽管对比文件描述中在高电阻层108，但其位于第一导电层104与介电层110之间，并不影响由第一导电层104、介电层110和第二导电层114构成的核心MIM电容器结构。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **H: 其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。**<br>**公开性判断：《直接公开》** | 对比文件背景部分：[0002] “Chips are used not only in very sophisticated industrial and commercial electronic equipment, but also in many household and consumer items such as televisions, clothes washers and dryers, radios, and telephones.” <br>[0003] “For example, most of the devices in today's portable wireless products are passive components...” | **直接公开**：目标专利的特征H限定了包含该集成电路器件的终端应用。对比文件在背景技术中明确指出了其半导体器件（芯片）应用于广泛的消费电子和工业设备中，包括电视、收音机、电话等，并特别提到了便携式无线产品。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，这些公开的应用示例（如电话、便携无线产品）涵盖了权利要求中列举的“音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机”中的至少一种（例如，通信设备、娱乐单元）。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
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