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对比文件列表
2001-09-21_JP2001257380A_发明专利_JP2001257380A Light-emitting diode array and manufacturing method therefor_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2007-12-13_US2007284598A_发明申请_US20070284598A1 Semiconductor Light Emitting Device_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e_t_u+++.docx
2026-07-03 01:17
2008-07-31_US2008179602A_发明申请_US20080179602A1 FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS_+++A_B_C_W_X_Y_Z_t_u+++.docx
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2008-09-18_WO2008111693A_发明申请_WO2008111693A1 AC LIGHT EMITTING DIODE_+++A_B_C_W_X_Y_Z_l_m_n_p_t_u+++.docx
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2008-09-25_US2008230789A_发明申请_US20080230789A1 Light emitting device, method of manufacturing the same and monolithic light emitting diode array_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2010-05-20_JP2010517273A_发明专利_JP2010517273A Method of making fault-tolerant luminous body, the system and fault-tolerant light emitter including a fault-tolerant light emitter_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
2026-07-03 01:17
2010-06-24_JP2010521807A_发明专利_JP2010521807A AC drive type light-emitting diode_+++A_B_C_W_X_Y_Z_t_u+++.docx
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2011-03-17_US2011062459A_发明申请_US20110062459A1 AC LIGHT EMITTING DIODE HAVING FULL-WAVE LIGHT EMITTING CELL AND HALF-WAVE LIGHT EMITTING CELL_+++A_B_C_W_X_Y_Z_g_n_p+++.docx
2026-07-03 01:17
2011-04-21_US2011089442A_发明申请_US20110089442A1 OPTOELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
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2011-08-31_EP2362420A_发明公开_EP2362420A1 Semiconductor Light Emitting Device Having Multi-Cell Array, Light Emitting Module, and Illumination Apparatus_+++A_B_C_N_O_W_X_Y_Z_e+++.docx
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2011-09-01_US2011211348A_发明申请_US20110211348A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM_+++A_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2011-09-15_JP2011181925A_发明专利_JP2011181925A Semiconductor light emitting device including multi-cell array, light emitting module, and lighting system_+++A_B_C_N_P_T_U_W_X_Y_Z_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_r_s_v+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-07-26_US2012187424A_发明申请_US20120187424A1 LIGHT EMITTING DIODE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-03-04_JP2013046170A_发明专利_JP2013046170A Indication light detector and detection method_+++a_w_x_y_z+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-03-07_US2013056785A_发明申请_US20130056785A1 LIGHT EMITTING DEVICE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
2026-07-03 01:17
2008-09-18_WO2008111693A_发明申请_WO2008111693A1 AC LIGHT EMITTING DIODE_+++A_B_C_W_X_Y_Z_l_m_n_p_t_u+++.docx

对比文件名称:2008-09-18_WO2008111693A_发明申请_WO2008111693A1 AC LIGHT EMITTING DIODE

目标专利名称:1661发光器件CN104752451B

调用的模型名称:DeepSeek-V2

### 特征比对表格

第一栏:技术特征描述及公开性判断结果第二栏:对比文件原文引用(翻译成中文,注明段落)第三栏:公开性论述
**技术特征A:衬底**<br>《直接公开》[0025] “将多个发光细胞30布置在衬底21上。”对比文件明确公开了衬底,作为发光单元的支撑基体,其作用与目标专利的衬底相同,均是承载发光结构。本领域技术人员能毫无疑义地确定衬底的存在。
**技术特征B:在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元**<br>《直接公开》[0025] “将多个发光细胞30布置在衬底21上。”<br>[0026] “发光细胞以在纵向和横向上的间距a和b彼此隔开,间距在10至30D的范围内。”对比文件直接公开了多个发光细胞在衬底上间隔设置,间距在特定范围内,完全对应目标专利的“彼此间隔开的多个发光单元”。
**技术特征C:构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线**<br>《直接公开》[0027] “通过导线37将发光细胞30彼此电连接。” “每条导线37将一个发光细胞的第一导电型半导体层25连接至另一个相邻发光细胞的第二导电型半导体层29。”对比文件明确公开了导线(连接线)用于电连接相邻的发光细胞,其功能与目标专利的连接线完全相同,都是实现单元间的电连接。
**技术特征D:其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和**<br>《未公开》对比文件未区分“未通过连接线连接的相邻单元”和“通过连接线连接的相邻单元”,也未提及任何长度之和的比较。对比文件仅给出统一的范围间距,未建立两种相邻单元的分类,更未涉及因分类导致长度不同的设计思路,本领域技术人员无法直接或合理推导出这一技术特征。
**技术特征E:其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的**<br>《未公开》对比文件未公开发光单元的宽度参数,更未提及不同类别单元宽度是否相同。对比文件未对宽度进行任何限定或比较,无法得出宽度相同的结论。
**技术特征F:所述第二方向不同于所述第一方向;并且所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积**<br>《未公开》对比文件未区分两类相邻单元,也未公开面积比较。对比文件未建立第一相邻与第二相邻的分类,面积的大小关系依赖于前一特征,因此未公开。方向不同虽可推断,但面积比较无依据。
**技术特征G:其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小**<br>《未公开》[0026] 仅公开所有发光细胞之间的间距在10-30D范围内,未区分是否有连接线;也未给出方向间距大小关系。对比文件未区分两类相邻单元的间隔,未提示未连接单元间隔应小于连接单元间隔,本领域技术人员无法直接或合理推断出这一大小关系。
**技术特征H:其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离**<br>《未公开》同特征G,无对应内容。缺乏对两类相邻单元的区分和间隔对比的教导。
**技术特征I:其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离**<br>《未公开》同特征G,无对应内容。缺乏对两类相邻单元的区分和间隔对比的教导。
**技术特征J:其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离**<br>《未公开》同特征G,无对应内容。与特征H实质相同,无公开。
**技术特征K:所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离**<br>《未公开》同特征G,无对应内容。缺乏对两类相邻单元的区分和间隔对比的教导。
**技术特征L:其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的**<br>《隐含公开》[0026] “横向间距a可以彼此相同,纵向间距b可以彼此相同。”对比文件指出横向间距之间可以相同,纵向间距之间可以相同。虽然未直接比较a和b,但本领域技术人员可合理推断:在设置对应第二相邻发光单元(有连接线)的间隔时,完全可以使得各个方向的间隔(即2-1和2-2)相等,因为对比文件并未限制不同方向的间隔必须不同,且给出了间隔可以相同的教导。因此隐含公开。
**技术特征M:其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的**<br>《隐含公开》[0026] “横向间距a可以不同,纵向间距b可以不同。”对比文件明确间距可以在范围内取不同值,且未限定方向间必须相同。本领域技术人员可合理推断,第二相邻发光单元在不同方向上的间隔可根据需要设置为不同数值,因此隐含公开。
**技术特征N:其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离**<br>《隐含公开》[0026] “发光细胞以纵向间距b彼此隔开。”对比文件公开了纵向间距b,虽未明确对应“第二相邻”,但本领域技术人员公知,在串联阵列中纵向相邻的单元通常通过连接线直接或间接连接。因此,本领域技术人员可合理认定纵向间距b即对应第二相邻发光单元在第一方向(纵向)的间隔(2-1间隔)。隐含公开。
**技术特征O:所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同**<br>《未公开》对比文件未定义第一间隔,更无比较。缺乏第一间隔的定义和对比,无法得出相等关系。
**技术特征P:其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离**<br>《隐含公开》[0026] “发光细胞以横向间距a彼此隔开。”类比特征N,横向间距a可合理对应第二相邻发光单元在第二方向(横向)的间隔(2-2间隔)。隐含公开。
**技术特征Q:所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同**<br>《未公开》同特征O,无公开。缺乏第一间隔的定义和对比。
**技术特征R:其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大**<br>《未公开》对比文件未公开任何比例关系。对比文件仅给出10-30D的范围,未涉及倍数比例,尤其未提及0.2倍的阈值。
**技术特征S:比所述第二间隔距离小**<br>《未公开》对比文件未区分第一和第二间隔,更无大小比较。与特征G实质相同,未公开。
**技术特征T:其中所述第一方向是垂直方向**<br>《隐含公开》[0026] “纵向”方向。对比文件使用“纵向”(longitudinal)这一术语,本领域技术人员通常将其理解为垂直方向。虽然未直接使用“垂直”字样,但可根据常规含义合理推定,因此隐含公开。
**技术特征U:所述第二方向是水平方向**<br>《隐含公开》[0026] “横向”方向。对比文件使用“横向”(transverse)这一术语,本领域技术人员通常将其理解为水平方向。合理推定,隐含公开。
**技术特征V:其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大**<br>《未公开》对比文件未公开两类单元数目比较。对比文件未建立两类相邻的分类,更未比较数量。
**技术特征W:其中所述发光单元中的每个发光单元包括**<br>《直接公开》[0026] “每个发光细胞30包括第一导电型半导体层25、位于第一导电型半导体层一个区域上的第二导电型半导体层29、以及介于其间的有源层27。”对比文件直接描述了每个发光细胞所包含的层结构,完全对应于目标专利中每个发光单元包括后续层结构的前序。
**技术特征X:包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构**<br>《直接公开》[0026] “每个发光细胞30包括第一导电型半导体层25、位于第一导电型半导体层一个区域上的第二导电型半导体层29、以及介于其间的有源层27。”对比文件公开的层次顺序(衬底上第一导电型、有源层、第二导电型)与目标专利的“依次设置”一致,且各层名称对应,构成发光结构。直接公开。
**技术特征Y:设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极**<br>《直接公开》[0027] “第一电极垫31形成在第一导电型半导体层25上。”对比文件明确在第一导电型半导体层上形成第一电极垫,即第一电极,作用相同。直接公开。
**技术特征Z:设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极**<br>《直接公开》[0027] “透明电极层33形成在第二导电型半导体层29上。”对比文件在第二导电型半导体层上形成透明电极层,该层用于电流扩展且透明,通常作为第二电极或接触层,实现电极功能。因此直接公开了第二电极。

### 公开性代码

根据上述判断,对比文件直接公开了技术特征A、B、C、W、X、Y、Z;隐含公开了技术特征L、M、N、P、T、U。其他技术特征未公开。

对应代码:

直接公开:<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<W>>><<<X>>><<<Y>>><<<Z>>>

隐含公开:<<<l>>><<<m>>><<<n>>><<<p>>><<<t>>><<<u>>>

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