对比文件名称：2010-05-20_JP2010517273A_发明专利_JP2010517273A Method of making fault-tolerant luminous body, the system and fault-tolerant light emitter including a fault-tolerant light emitter
目标专利名称：1661发光器件CN104752451B
本次调用的模型名称：资深专利代理师（GPT-4）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：衬底《直接公开》 | 对比文件“発明の詳細な説明”部分记载：“共通基板２００上に複数の発光デバイスが設けられる。”以及“基板２００は任意の適当な材料又は材料の組合せを含む。”（对应于图5A及相应描述） | 对比文件明确公开了用于支撑发光器件的衬底（基板），其作用与目标专利中的衬底相同，均为提供机械支撑和生长基础，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元《直接公开》 | 对比文件“発明の詳細な説明”部分记载：“発光デバイス１１０は、個別発光デバイス１１０の周囲を画定する分離領域１１２によって画定される。”以及“共通基板２００上に複数の発光デバイス１１０を含む。”（对应于图4及相应描述） | 对比文件公开了多个发光器件（发光单元）在共同基板上通过分离区域间隔开，形成彼此间隔的多个发光单元，与目标专利特征相同，直接公开。 |
| 技术特征C：构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线《直接公开》 | 对比文件“発明の詳細な説明”部分记载：“相互接続パターン１１８によって先の行中のデバイス１１０のカソード１１４に接続されている。”（对应于图4及相应描述） | 对比文件公开了用于电连接相邻发光器件的互连图案（连接线），其作用与目标专利中的连接线相同，均为电连接相邻发光单元，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未涉及任何关于发光单元长度之和的比较，未公开不同方向上的长度之和关系，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| 技术特征E：其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及发光单元宽度是否相同，未公开任何宽度关系，本领域技术人员无法合理推断。 |
| 技术特征F：所述第二方向不同于所述第一方向；并且其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何关于发光单元面积比较的内容，也未定义方向关系，本领域技术人员无法得出该特征。 |
| 技术特征G：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何间隔距离的比较，所有发光单元之间的间隔（分离区域）描述为均匀形成，未区分不同连接状态的间隔距离，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未定义第一方向，未公开2-1间隔距离的概念，也未比较不同间隔距离，本领域技术人员无法推断。 |
| 技术特征I：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第二方向及2-2间隔距离，无任何间隔距离比较，未公开。 |
| 技术特征J：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离《未公开》 | 无相关公开内容 | 同特征H，对比文件无相关公开。 |
| 技术特征K：所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离《未公开》 | 无相关公开内容 | 同特征I，对比文件无相关公开。 |
| 技术特征L：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及2-1和2-2间隔距离，更未提及它们是否相同，未公开。 |
| 技术特征M：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何间隔距离的不同关系，未公开。 |
| 技术特征N：其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未定义第一方向，未公开2-1间隔距离，未公开。 |
| 技术特征O：所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第一间隔距离和2-1间隔距离，更未比较，未公开。 |
| 技术特征P：其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第二方向及2-2间隔距离，未公开。 |
| 技术特征Q：所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第一间隔距离和2-2间隔距离，未公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何间隔距离的数值比例关系，未公开。 |
| 技术特征S：比所述第二间隔距离小《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第一间隔距离与第二间隔距离的大小关系，未公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一方向是垂直方向《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未定义方向，未公开垂直方向的具体含义，本领域技术人员无法合理推断。 |
| 技术特征U：所述第二方向是水平方向《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未定义方向，未公开水平方向，未公开。 |
| 技术特征V：其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何关于相邻发光单元数目比较的内容，未公开。 |
| 技术特征W：其中所述发光单元中的每个发光单元包括《直接公开》 | 对比文件“発明の詳細な説明”部分记载：“各発光デバイス１００は、コンタクト層としても働くｎ形半導体層２０４、１又は複数の量子井戸層２０６およびこれもコンタクト層として働くｐ形半導体層２０８を含む。”（对应于图5A及相应描述） | 对比文件明确公开每个发光单元（发光器件）包括多个半导体层，与目标专利中每个发光单元包括发光结构一致，直接公开。 |
| 技术特征X：包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构《直接公开》 | 对比文件“発明の詳細な説明”部分记载：“ｎ形半導体層２０４、１又は複数の量子井戸層２０６およびｐ形半導体層２０８を含む。”以及“バッファ層２０２を介して基板２００上に形成される。”（对应于图5A及相应描述） | 对比文件公开了依次设置在衬底上的n型半导体层（第一导电型）、量子阱有源层和p型半导体层（第二导电型），构成发光结构，直接公开。 |
| 技术特征Y：设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极《直接公开》 | 对比文件“発明の詳細な説明”部分记载：“ｎ形コンタクト１１４は各デバイスのカソード・コンタクトを提供し。”以及“ｎ＋コンタクト領域２１０へのオーミック・コンタクト１１４”（对应于图5A及相应描述） | 对比文件公开了设置在n型半导体层（第一导电型）上的n型接触（第一电极），直接公开。 |
| 技术特征Z：设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极《直接公开》 | 对比文件“発明の詳細な説明”部分记载：“ｐ形コンタクト１１６は各デバイスのアノード・コンタクトを提供する。”以及“ｐ形層２０８へのオーミック・コンタクト１１６”（对应于图5A及相应描述） | 对比文件公开了设置在p型半导体层（第二导电型）上的p型接触（第二电极），直接公开。 |
### 公开性代码
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、W、X、Y、Z，因此插入对应大写代码；其余技术特征未直接或隐含公开，不插入任何代码。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<W>>><<<X>>><<<Y>>><<<Z>>>