**对比文件名称：** 2012-07-26_US2012187424A_发明申请_US20120187424A1 LIGHT EMITTING DIODE
**目标专利名称：** 1661发光器件CN104752451B
**本次调用的模型名称：** 当前模型
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译并保证段落标号正确） | 公开性论述 |
| 技术特征A：衬底<br>《直接公开》 | [0037] “the light emitting diode 100 may include a substrate 20”。<br>译文：发光二极管100可包括衬底20。 | 对比文件明确记载了衬底20，其功能与目标专利中的衬底相同，均为承载发光结构的基底，本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| 技术特征B：在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元<br>《直接公开》 | [0037] “a plurality of light emitting cells 40” 以及 [0040] “The plurality of light emitting cells 40 may be formed on a single substrate 20”。<br>译文：多个发光单元40；多个发光单元40可形成在单个衬底20上。 | 对比文件明确指出多个发光单元（light emitting cells）形成在单个衬底上，且通过隔离工艺相互间隔开（参见[0081]刻蚀形成分离的发光单元），因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征C：构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线<br>《直接公开》 | [0038] “Each of the wires 52 may connect the n-type electrode pad 60 of one light emitting cell 40 to the p-type electrode pad 80 of another light emitting cell adjacent to the n-type electrode pad 60”。<br>译文：每根导线52可连接一个发光单元40的n型电极垫60与相邻发光单元的p型电极垫80。 | 对比文件的导线（wires 52）明确用于电连接相邻发光单元，与目标专利的连接线功能相同，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和<br>《未公开》 | 对比文件未记载“未通过连接线连接的相邻发光单元”与“通过连接线连接的相邻发光单元”在长度之和上的比较。 | 对比文件中的所有发光单元尺寸相同或可具有不同面积（[0043] “Each of the light emitting cells 40 may be configured to have the same area or different areas”），但未提及因连接关系不同而导致长度之和存在差异，也未限定第一方向。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得到该特征。 |
| 技术特征E：其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的<br>《未公开》 | 对比文件未定义“第一相邻发光单元”和“第二相邻发光单元”，也未记载宽度比较。 | 虽然对比文件图2显示发光单元似乎具有相同的宽度，但未涉及未连接和连接单元的区分，且无任何文字教导宽度在不同类型相邻单元间相同。因此该特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述第二方向不同于所述第一方向；并且中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积<br>《未公开》 | 对比文件未记载第一方向与第二方向的不同，也未进行面积比较。 | 对比文件没有定义方向，也没有基于连接与否区分单元面积。虽允许面积不同（[0043]），但未与连接状态关联。因此本领域技术人员不能得出该特征。 |
| 技术特征G：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小<br>《未公开》 | 对比文件未涉及第一间隔距离和第二间隔距离的概念，也未提及间隔距离的比较。 | 对比文件图2显示发光单元之间的间隔均匀，所有相邻单元（无论是否通过导线连接）都具有相同的间距，没有差别。因此该特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离<br>《未公开》 | 对比文件未定义第一方向、2-1间隔距离等参数。 | 对比文件完全没有关于不同方向间隔距离的记载，也未涉及第一相邻发光单元与第二相邻发光单元的间隔比较，故未公开。 |
| 技术特征I：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 同H，对比文件无方向及间隔距离的相对关系，未公开。 |
| 技术特征J：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 同H。 |
| 技术特征K：所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征L：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征M：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征N：其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征O：所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征P：其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征Q：所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征R：其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征S：比所述第二间隔距离小<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 无。 |
| 技术特征T：其中所述第一方向是垂直方向<br>《未公开》 | 对比文件未定义第一方向，也未指定方向为垂直。 | 对比文件虽在附图中有行/列概念，但未将方向与间隔距离特征关联，更未限定第一方向必须为垂直。 |
| 技术特征U：所述第二方向是水平方向<br>《未公开》 | 对比文件未定义第二方向。 | 同T。 |
| 技术特征V：其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大<br>《未公开》 | 对比文件无此记载。 | 对比文件未区分第一相邻和第二相邻发光单元的数目，也未进行数目比较。 |
| 技术特征W：其中所述发光单元中的每个发光单元包括<br>《直接公开》 | [0043] “Each of the light emitting cells 40 may include an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer, which are sequentially formed on the substrate 20. Each of the light emitting cells 40 may further include a transparent electrode layer”。<br>译文：每个发光单元40可包括依次形成在衬底20上的n型半导体层、有源层和p型半导体层。每个发光单元40还可包括透明电极层。 | 对比文件明确描述每个发光单元包含半导体层叠结构，与目标专利的“发光单元包括”一致，该特征被直接公开。 |
| 技术特征X：包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构<br>《直接公开》 | [0059] “Each of the light emitting cells 40 may include an n-type lower semiconductor layer 42, a p-type upper semiconductor layer 44 may be formed on at least a portion of the n-type lower semiconductor layer 42, and an active layer 43 interposed between the lower semiconductor layer 42 and the upper semiconductor layer 44.”<br>译文：每个发光单元40可包括n型下半导体层42、形成在n型下半导体层42至少一部分上的p型上半导体层44，以及插入在下半导体层42与上半导体层44之间的有源层43。 | 对比文件公开了依次从衬底开始的n型半导体层、有源层、p型半导体层，与目标专利的第一导电型（例如n型）、有源层、第二导电型（例如p型）完全对应，该特征被直接公开。 |
| 技术特征Y：设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极<br>《直接公开》 | [0037] “n-type electrode pad 60” 以及 [0085] “openings, which may expose the lower semiconductor layers 42” 和 [0086] “Part of the wire layer 130 may be electrically connected to the lower semiconductor layers 42”。<br>译文：n型电极垫60；开口可暴露出下半导体层42；部分导线层130可电连接至下半导体层42。 | 对比文件的n型电极垫（第一电极）设置在n型半导体层（第一导电型）上，直接电接触，该特征被直接公开。 |
| 技术特征Z：设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极<br>《直接公开》 | [0037] “p-type electrode pad 80” 以及 [0085] “openings, which expose the transparent electrode layer 46” 和 [0086] “the wire layer 130 may be electrically connected to … the upper semiconductor layers 44”。<br>译文：p型电极垫80；开口暴露出透明电极层46；导线层130可电连接至上半导体层44。 | 对比文件的p型电极垫（第二电极）设置在p型半导体层（第二导电型）上（通过透明电极层），实现电连接，该特征被直接公开。 |
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