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对比文件列表
2001-09-21_JP2001257380A_发明专利_JP2001257380A Light-emitting diode array and manufacturing method therefor_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2007-12-13_US2007284598A_发明申请_US20070284598A1 Semiconductor Light Emitting Device_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e_t_u+++.docx
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2008-07-31_US2008179602A_发明申请_US20080179602A1 FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS_+++A_B_C_W_X_Y_Z_t_u+++.docx
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2008-09-18_WO2008111693A_发明申请_WO2008111693A1 AC LIGHT EMITTING DIODE_+++A_B_C_W_X_Y_Z_l_m_n_p_t_u+++.docx
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2008-09-25_US2008230789A_发明申请_US20080230789A1 Light emitting device, method of manufacturing the same and monolithic light emitting diode array_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2010-05-20_JP2010517273A_发明专利_JP2010517273A Method of making fault-tolerant luminous body, the system and fault-tolerant light emitter including a fault-tolerant light emitter_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
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2010-06-24_JP2010521807A_发明专利_JP2010521807A AC drive type light-emitting diode_+++A_B_C_W_X_Y_Z_t_u+++.docx
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2011-03-17_US2011062459A_发明申请_US20110062459A1 AC LIGHT EMITTING DIODE HAVING FULL-WAVE LIGHT EMITTING CELL AND HALF-WAVE LIGHT EMITTING CELL_+++A_B_C_W_X_Y_Z_g_n_p+++.docx
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2011-04-21_US2011089442A_发明申请_US20110089442A1 OPTOELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
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2011-08-31_EP2362420A_发明公开_EP2362420A1 Semiconductor Light Emitting Device Having Multi-Cell Array, Light Emitting Module, and Illumination Apparatus_+++A_B_C_N_O_W_X_Y_Z_e+++.docx
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2011-09-01_US2011211348A_发明申请_US20110211348A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM_+++A_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
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2011-09-15_JP2011181925A_发明专利_JP2011181925A Semiconductor light emitting device including multi-cell array, light emitting module, and lighting system_+++A_B_C_N_P_T_U_W_X_Y_Z_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_r_s_v+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-07-26_US2012187424A_发明申请_US20120187424A1 LIGHT EMITTING DIODE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
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2013-03-04_JP2013046170A_发明专利_JP2013046170A Indication light detector and detection method_+++a_w_x_y_z+++.docx
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2013-03-07_US2013056785A_发明申请_US20130056785A1 LIGHT EMITTING DEVICE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
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2013-03-04_JP2013046170A_发明专利_JP2013046170A Indication light detector and detection method_+++a_w_x_y_z+++.docx

对比文件名称:2013-03-04_JP2013046170A_发明专利_JP2013046170A Indication light detector and detection method

目标专利名称:1661发光器件CN104752451B

模型名称:本次分析基于专利对比逻辑

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
特征A:衬底(隐含公开)说明书第1实施方式记载:“远距离指示器10具备红外光LED20”。红外光LED是发光二极管,本领域技术人员公知其具有用于外延生长的衬底(如蓝宝石、GaAs等),该衬底在目标专利中起到支撑和生长发光结构的基础作用,二者实质相同,因此可合理推断对比文件隐含公开了衬底。
特征B:在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元(未公开)对比文件仅公开了单个红外光LED,未记载多个发光单元或在衬底上间隔排列。对比文件仅有一个光源,未公开任何关于在公共衬底上设置多个间隔开的发光单元的方案,本领域技术人员无法由此直接或隐含得出该特征。
特征C:构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线(未公开)对比文件中提到红外光LED通过线路连接至发光控制部,但仅为单个LED的供电线路。对比文件不存在多个发光单元,因此不存在电连接相邻发光单元的连接线,作用完全不同,未公开。
特征D:未通过连接线的第一相邻发光单元在第一方向上的长度之和大于通过连接线的第二相邻发光单元在第一方向上的长度之和(未公开)对比文件未涉及任何发光单元的长度比较或布局参数。对比文件完全未提及发光单元的几何尺寸、连接线分类及长度之和的概念,因此未公开。
特征E:第一相邻发光单元和第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度相同(未公开)对比文件无任何宽度相同或不同的记载。对比文件无关于发光单元宽度设置的内容,未公开。
特征F:第二方向不同于第一方向;且第一相邻发光单元面积大于第二相邻发光单元面积(未公开)对比文件无方向定义或面积比较。对比文件无有关方向、面积的任何教导,未公开。
特征G:未通过连接线的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离小于通过连接线的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离(未公开)对比文件无间隔距离的概念。对比文件仅涉及单个LED,无法得出任何关于相邻发光单元间隔距离的比较,未公开。
特征H:第一间隔距离小于第二相邻发光单元在第一方向上的2‑1间隔距离(未公开)对比文件没有关于方向性间隔距离的分类。对比文件无2‑1间隔距离的定义及相关数值关系,未公开。
特征I:第一间隔距离小于第二相邻发光单元在第二方向上的2‑2间隔距离(未公开)同上。同上,未公开。
特征J:与H完全相同(未公开)同上。同上,未公开。
特征K:第一间隔距离小于第二相邻发光单元在第二方向上的2‑2间隔距离(未公开)同上。同上,未公开。
特征L:2‑1间隔距离和2‑2间隔距离相同(未公开)对比文件无2‑1、2‑2间隔距离的概念。对比文件未公开任何间隔距离的关系,未公开。
特征M:2‑1间隔距离和2‑2间隔距离不同(未公开)同上。同上,未公开。
特征N:第二相邻发光单元在第一方向上彼此间隔开2‑1间隔距离(未公开)对比文件无任何间隔距离定义。对比文件未提及第二相邻发光单元的具体间隔,未公开。
特征O:第一间隔距离与2‑1间隔距离相同(未公开)同上。同上,未公开。
特征P:第二相邻发光单元在第二方向上彼此间隔开2‑2间隔距离(未公开)同上。同上,未公开。
特征Q:第一间隔距离与2‑2间隔距离相同(未公开)同上。同上,未公开。
特征R:第一间隔距离是第二间隔距离的0.2倍或更大(未公开)对比文件无任何倍数关系。对比文件未公开间隔距离之间的数值比例,未公开。
特征S:比第二间隔距离小(未公开)对比文件无间隔距离的比较。对比文件不能给出间隔距离大小的任何教导,未公开。
特征T:第一方向是垂直方向(未公开)对比文件不涉及方向定义。对比文件没有定义任何方向与垂直方向的关系,未公开。
特征U:第二方向是水平方向(未公开)对比文件不涉及方向定义。对比文件没有定义水平方向,未公开。
特征V:第一相邻发光单元的数目比第二相邻发光单元的数目大(未公开)对比文件没有发光单元数量的比较。对比文件仅描述单个LED,不可能存在相邻发光单元数量比较,未公开。
特征W:其中所述发光单元中的每个发光单元包括(隐含公开)说明书第1实施方式:“远距离指示器10具备红外光LED20”作为发光单元。红外光LED本身即是一种发光单元,本领域技术人员公知每个发光单元必然包含多个组成部分(如衬底、半导体层、电极等),因此该开放性引导特征被对比文件隐含公开。
特征X:包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构(隐含公开)对比文件公开了红外光LED(赤外光LED20)作为光源(参见第1实施方式)。红外光LED是典型的半导体发光二极管,其核心结构就是在衬底上依次形成n型半导体层(第一导电型)、多量子阱有源层和p型半导体层(第二导电型)。本领域技术人员由对比文件公开的“红外光LED”可合理推知其必然具有该常规发光结构,作用均为电致发光,因此隐含公开。
特征Y:设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极(隐含公开)对比文件公开了红外光LED(赤外光LED20)(参见第1实施方式)。发光二极管必须具有电极才能实现注入电流,通常包括与n型层接触的第一电极。本领域技术人员可合理推断红外光LED具备该电极,作用相同,故隐含公开。
特征Z:设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极(隐含公开)对比文件公开了红外光LED(赤外光LED20)(参见第1实施方式)。同理,红外光LED必然具有与p型层接触的第二电极,本领域技术人员可合理推断,故隐含公开。

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