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对比文件列表
1997-05-27_US5632083A_发明授权_US5632083A Lead frame fabricating method and lead frame fabricating apparatus_+++A_B_D_L+++.docx
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2000-02-29_JP2000061677A_发明专利_JP2000061677A Method and device for laser beam cutting_+++A_B_I_K+++.docx
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2000-06-20_JP2000167681A_发明专利_JP2000167681A Laser cutting substrate, liquid crystal display panel and manufacture of the panel_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2001-02-27_JP2001056455A_发明专利_JP2001056455A Liquid crystal display device panel_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2001-03-23_JP2001077506A_发明专利_JP2001077506A Board for laser cutting and liquid crystal display unit panel constituted of the board for laser cutting_+++A_B_I_K+++.docx
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2001-10-02_US6297869B_发明授权_US06297869B1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2003-06-17_US6580489B_发明授权_US06580489B2 Liquid crystal display panel and a substrate capable of being cut by a laser light_+++a_b_i_k+++.docx
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2003-11-13_US2003209528A_发明申请_US20030209528A1 Laser cutting apparatus and method_+++A_B_D_I_K_l+++.docx
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2004-04-06_US6717101B_发明授权_US06717101B2 Method and apparatus for laser ablation of a target material_+++A_B_E_I_J_L+++.docx
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2004-11-23_US6822725B_发明授权_US06822725B2 Liquid crystal display substrates integrated by sealant formed inside cutting lines_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2005-03-31_JP2005081715A_发明专利_JP2005081715A Laser beam machining apparatus and laser beam machining method_+++A_I_J+++.docx
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2005-04-28_US2005088610A_发明申请_US20050088610A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B+++.docx
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2006-02-15_CN1733415A_发明公开_CN1733415A 激光加工方法_+++A_B_I_J_L_d+++.docx
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2006-02-16_US2006035411A_发明申请_US20060035411A1 Laser processing method_+++A_B_D_I_J_L+++.docx
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2006-02-23_JP2006051517A_发明专利_JP2006051517A Laser beam machining method_+++A_B_C_D_I_J_L+++.docx
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2006-05-11_US2006098155A_发明申请_US20060098155A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2006-10-04_KR100576084B_发明授权_KR100576084B1 액정표시기 패널 및 이의 제조 방법_+++A_B+++.docx
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2006-10-26_JP2006289388A_发明专利_JP2006289388A Apparatus for laser beam machining_+++A_B_I_J+++.docx
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2007-05-23_CN1966198A_发明公开_CN1966198A 激光加工装置_+++A_B_D_I_J_L+++.docx
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2010-06-16_CN1966198B_发明授权_CN1966198B 激光加工装置_+++A_B_D_I_J_c+++.docx
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2012-01-05_US2012000894A_发明申请_US20120000894A1 PRECISION LASER SCORING_+++A_B_D_I_K_L+++.docx
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2012-04-19_WO2012050045A_发明申请_WO2012050045A1 レーザ切断装置及びレーザ切断方法_+++A_B+++.docx
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2012-05-10_JP2012086230A_发明专利_JP2012086230A Laser cutting device and laser cutting method_+++A_B+++.docx
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2012-09-13_JP2012521339A_发明专利_JP2012521339A Precision laser scoring_+++A_B_D_I_K_L_f+++.docx
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2012-09-19_CN102686354A_发明公开_CN102686354A 精密激光刻痕_+++A_B_I_K_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-06-26_CN103180085A_发明公开_CN103180085A 激光切割装置和激光切割方法_+++A_B_k+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-08-21_EP2628564A_发明公开_EP2628564A1 LASER CUTTING DEVICE AND LASER CUTTING METHOD_+++A_B+++.docx
2026-07-03 01:17
2003-11-13_US2003209528A_发明申请_US20030209528A1 Laser cutting apparatus and method_+++A_B_D_I_K_l+++.docx

对比文件:2003-11-13_US2003209528A_发明申请_US20030209528A1 Laser cutting apparatus and method

目标专利:1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板CN106687249B

本次调用的模型名称:AI语言模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:激光束的形状为椭圆形状**<br>《直接公开》[0148] “the focusing laser beam 228 is made ellipse.” 翻译:“聚焦激光束228被制成椭圆形。”对比文件明确记载聚焦激光束的形状为椭圆形,与目标专利技术特征A完全相同,且该椭圆形状用于切割基板,作用一致,因此直接公开。
**技术特征B:所述椭圆形状的长轴与切割方向平行**<br>《直接公开》[0148] “The focusing laser beam 228 has a longer axis Y1 parallel with the cutting line and a shorter axis X1 normal to the cutting line.” 翻译:“聚焦激光束228具有与切割线平行的长轴Y1和与切割线正交的短轴X1。”<br>[0149] “when the cutting is made along the X-axis direction, the focusing laser beam 228 has a longer axis X1 parallel with the cutting direction.” 翻译:“当沿着X轴方向切割时,聚焦激光束228具有与切割方向平行的长轴X1。”对比文件明确公开了椭圆激光束的长轴与切割方向平行,无论切割方向为Y轴还是X轴,长轴均平行于切割方向,与目标专利技术特征B一致,因此直接公开。
**技术特征C:所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率**<br>《不公开》[0153] “Preferably, ratio of the shorter axis diameter X to the longer axis diameter Y is set more than 1:50.” 翻译:“优选地,短轴直径X与长轴直径Y的比率设置为大于1:50。”<br>Table 1示例:Example 1: X1=10mm, Y1=30mm (长轴:短轴=3:1);Example 2: X1=~1mm, Y1=30mm (约30:1);Example 3: X1=10μm, Y1=70mm (约7000:1)。对比文件公开的椭圆长短轴比率远大于1:0.6~1:0.4的范围(即短轴远小于长轴),且未提及该具体比率范围,本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出1:0.6至1:0.4的比率,因此未公开。
**技术特征D:所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度**<br>《直接公开》Table 1: Example 3: X1=10μm, Y1=70mm, Cutting speed 400 mm/s. 翻译:“表1,示例3:短轴直径10μm,长轴直径70mm,切割速度400毫米/秒。”对比文件公开了400 mm/s的切割速度,该数值落入100 mm/s至1,000 mm/s的范围内,因此直接公开了该技术特征。
**技术特征E:所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量**<br>《不公开》对比文件全文未提及激光束的脉冲能量。对比文件未涉及脉冲能量参数,因此未公开。
**技术特征F:所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜**<br>《不公开》对比文件全文未涉及偏光板及其组成。对比文件仅涉及玻璃基板等脆性物体的切割,未提及偏光板或基于环烯烃的光学膜,因此未公开。
**技术特征G:所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向**<br>《不公开》对比文件全文未提及偏光板的拉伸方向。对比文件未涉及偏光板,也未涉及切割方向与拉伸方向的关系,因此未公开。
**技术特征H:在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸**<br>《不公开》对比文件全文未提及锥度尺寸。对比文件未涉及偏光板切割表面的锥度,更未公开其尺寸范围,因此未公开。
**技术特征I:其中,所述激光为CO2激光或UV激光**<br>《直接公开》[0095] “YAG laser, CO2 laser, diode laser and so on, can be used.” 翻译:“可以使用YAG激光器、CO2激光器、二极管激光器等。”对比文件明确公开了可以使用CO2激光器,而CO2激光是目标专利技术特征I的选项之一,因此直接公开(对于CO2激光部分)。
**技术特征J:其中,所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长**<br>《不公开》对比文件全文未提及UV激光。对比文件未涉及UV激光,更未公开其波长范围,因此未公开。
**技术特征K:其中,所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长**<br>《直接公开》[0095] “CO2 laser, each of which has an oscillation wavelength(λ) of 10.6 μm.” 翻译:“CO2激光器,其振荡波长(λ)为10.6微米。”对比文件公开了CO2激光的振荡波长为10.6μm,该数值落入9.0μm至10.9μm的范围内,因此直接公开。
**技术特征L:其中,使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行**<br>《隐含公开》[0135] “the interval between the focusing lens housing 226 and the outer surface of the substrate 100 is adjusted for the glass substrate not to be cut completely. … about 60% of the overall thickness of the glass of the substrate 100 is cut first. Afterwards, … cut the remaining 40% thickness …” 翻译:“调整聚焦透镜壳体226与基板100外表面之间的间隔,使得玻璃基板不被完全切割……首先切割玻璃总厚度的约60%,然后……切割剩余40%的厚度。” 该描述为两步切割,即对同一路径进行两次扫描。对比文件描述了两步切割方法(多次扫描),等同于多重切割系统;同时,其常规的一次性扫描即为单一切割系统。本领域技术人员可以合理推断出切割可通过单一切割系统或多重切割系统执行,因此隐含公开。
**技术特征M:其中,所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度**<br>《不公开》对比文件全文未涉及基于环烯烃的薄膜。对比文件未涉及基于环烯烃的薄膜,更未公开其厚度,因此未公开。
**技术特征N:其中,所述偏光板具有50微米至250微米的厚度**<br>《不公开》对比文件全文未涉及偏光板。对比文件未涉及偏光板,更未公开其厚度,因此未公开。

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