对比文件的名称：2007-05-23_CN1966198A_发明公开_CN1966198A 激光加工装置
目标专利的名称：1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板CN106687249B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中激光束的形状为椭圆形状《直接公开》 | 对比文件说明书具体实施方式部分记载：“如图13的(c)放大表示那样，形成断面为椭圆形的聚光点S2。”以及“可以形成断面为圆形的聚光点S1和断面为椭圆形的聚光点S2”。 | 对比文件明确公开了激光束可以形成为断面为椭圆形的聚光点，该技术特征与目标专利中要求保护的技术方案一致，因此直接公开。 |
| 技术特征B：所述椭圆形状的长轴与切割方向平行《直接公开》 | 对比文件说明书具体实施方式部分记载：“从聚光器7照射的激光光束的断面为椭圆形的聚光点S2的图13的(c)所示的长轴D1沿着切割道进行定位。”（切割道方向即后续加工进给方向）以及“使卡盘台36即半导体晶片W在图14的(a)中沿以箭头X1所示的方向、以规定的加工进给速度移动。” | 对比文件将椭圆形聚光点的长轴沿着切割道方向定位，该方向与被加工物移动方向（切割方向）平行，因此直接公开了长轴与切割方向平行。 |
| 技术特征C：其中，所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率《未公开》 | 对比文件实施例中给出的具体比例为“聚光点：椭圆形长轴(D1)200μm、短轴(D2)10μm”，即1:0.05；另记载“可以适当变更断面为椭圆形的聚光点S2的长轴D1和短轴D2之比”。 | 对比文件未公开1:0.6至1:0.4这一特定范围，其实施例比例远小于该范围，且仅提及可变更比例而未指向该数值区间，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得出该具体比例范围，因此未被公开。 |
| 技术特征D：其中，所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度《直接公开》 | 对比文件说明书具体实施方式部分激光加工槽形成工序的加工条件中记载：“加工进给速度：150mm/秒。” | 该加工进给速度150mm/s落入目标专利限定的100～1000 mm/s范围内，因此直接公开了该技术特征。 |
| 技术特征E：其中，所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量《未公开》 | 对比文件未提及脉冲能量，仅记载平均功率为4W。 | 对比文件未公开激光束的脉冲能量值及其范围，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征F：其中，所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜《未公开》 | 对比文件涉及半导体晶片加工，未涉及偏光板及其组成材料。 | 对比文件完全不涉及偏光板或环烯烃薄膜，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向《未公开》 | 对比文件未涉及偏光板及其拉伸方向。 | 对比文件未公开偏光板及其拉伸方向的概念，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸《未公开》 | 对比文件未提及偏光板切割后的锥度信息。 | 对比文件未公开任何关于偏光板切割锥度的内容，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中，所述激光为CO2激光或UV激光《直接公开》 | 对比文件说明书具体实施方式部分记载：“激光光束的光源：YVO4激光或YAG激光”，“波长：355nm”。 | 对比文件公开了使用YAG激光产生的355nm波长属于UV激光，因此直接公开了UV激光选项，从而公开了该技术特征（CO2激光未公开但选择性特征中一个选项被公开即视为公开）。 |
| 技术特征J：其中，所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长《直接公开》 | 对比文件记载：“波长：355nm”。 | 355nm落入300～400nm范围，因此直接公开了该技术特征。 |
| 技术特征K：其中，所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长《未公开》 | 对比文件未涉及CO2激光。 | 对比文件未公开CO2激光及其波长，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中，使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行《直接公开》 | 对比文件说明书具体实施方式部分描述激光加工槽形成工序：“从激光光束照射机构52的聚光器7，向半导体晶片W照射具有吸收性的波长的脉冲激光光束，并使卡盘台36即半导体晶片W在图14的(a)中沿以箭头X1所示的方向、以规定的加工进给速度移动。而且，如果切割道的另一端到达聚光器7的正下方位置，则停止脉冲激光光束的照射，同时停止卡盘台36即半导体晶片W的移动。结果，如图14的(b)中所示，在半导体晶片W上，沿着切割道形成激光加工槽G。” | 该过程为一次扫描完成激光加工，相当于单一切割系统，因此直接公开了单一切割系统这一选项。 |
| 技术特征M：其中，所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度《未公开》 | 对比文件未涉及环烯烃薄膜及其厚度。 | 对比文件未公开环烯烃薄膜的任何厚度信息，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述偏光板具有50微米至250微米的厚度《未公开》 | 对比文件未涉及偏光板厚度。 | 对比文件未公开偏光板的厚度信息，因此该技术特征未被公开。 |
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