对比文件名称：2012-06-01_TW201221262A_发明专利_TW201221262A 雷射切割裝置及具備該雷射切割裝置之切條機 LASER CUTTER AND SLITTER PROVIDED WITH THE LASER CUTTER
目标专利名称：1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板CN106687249B
本次调用的模型名称：chat
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中激光束的形状为椭圆形状【未公开】 | 对比文件未记载激光束的形状为椭圆形状，全文仅提及聚光透镜使激光聚光，聚光直徑為5μm以上、500μm以下（见说明书第[0025]段），但未对光束形状进行任何限定。 | 目标专利明确要求激光束为椭圆形状以减小热损伤和烟雾，而对比文件仅关注通过分光器稳定输出，未涉及光束形状的调整或选择。本领域技术人员从对比文件无法毫无疑义地得出椭圆形状，也无法合理推断出该特征。因此，既未直接公开亦未隐含公开。 |
| 技术特征B：所述椭圆形状的长轴与切割方向平行【未公开】 | 对比文件未提及椭圆形状，更未提及长轴与切割方向的关系。 | 目标专利强调椭圆长轴与切割方向平行以优化切割质量，对比文件完全未涉及此空间关系。无任何记载或暗示。因此，未公开。 |
| 技术特征C：其中，所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率【未公开】 | 对比文件未记载任何关于椭圆形状的比率。 | 对比文件未提及椭圆形状，故该比率特征无从谈起。未公开。 |
| 技术特征D：其中，所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度【未公开】 | 对比文件主要提及偏光薄膜的搬运速度，例如50m/s（即50000mm/s）（见说明书第[0031]段“搬運速度為1m/s以上、100m/s以下”），且实施例中加速至50m/s。但此为薄膜移动速度，相对切割速度等同于该速度，远远超出100-1000mm/s的范围。加速区域或减速区域速度会降低，但未给出具体数值，且未教导在100-1000mm/s范围内进行切割。 | 目标专利的切割速度范围是针对激光束相对偏光板的移动速度，对比文件的高速搬运（50m/s）与本范围相差甚远。对比文件未披露或暗示使用如此低速的切割条件。因此未直接公开，也不能合理推断出该较低速度范围。未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量【未公开】 | 对比文件公开了雷射光振盪機之輸出（30W以上、400W以下）及頻率（5kHz以上、100kHz以下）（见说明书第[0026]段及[0027]段），实施例中输出20W-280W，频率20kHz，可计算脉冲能量大致在1mJ-14mJ范围，但未明确规定5mJ至7mJ的优选范围。 | 对比文件未给出脉冲能量的具体范围，也未指向5-7mJ这一特定小区间。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得到该精确数值范围，且无任何暗示。因此未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜【直接公开】 | “作為偏光薄膜6，具體言之，係在偏光元件薄膜之兩面貼合TAC(三乙醯基纖維素)薄膜、COP(環烯烴聚合物)薄膜等作為保護薄膜”（见说明书第[0023]段）；实施例中明确使用COP薄膜（70μm）作为保护薄膜。 | 对比文件明确公开了偏光薄膜中包含COP（环烯烃聚合物）薄膜作为保护膜，与目标专利中“基于环烯烃的薄膜作为光学膜”实质相同。该特征在对比文件中起到保护偏光元件的作用，与目标专利中光学膜的作用一致。因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向【未公开】 | 对比文件未提及偏光薄膜的拉伸方向，也未涉及切割方向与拉伸方向的关系。其切割方向仅由搬运方向决定（见说明书及附图4），但未与拉伸方向关联。 | 对比文件完全未讨论拉伸方向与切割方向的相对关系。本领域技术人员无法从对比文件中获得该特征的任何教导或暗示。因此未公开。 |
| 技术特征H：在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸【未公开】 | 对比文件未记载锥度尺寸，仅在比较例中提到热膨胀产生的变形，但未测量或给出锥度数值。 | 目标专利的锥度尺寸是通过优化激光参数获得的特定范围，对比文件未涉及该测量指标。因此未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述激光为CO2激光或UV激光【直接公开】 | “可使用CO2雷射(二氧化碳雷射)、UV雷射、半導體雷射、YAG雷射、準分子雷射等。”（见说明书第[0025]段）；实施例中明确使用CO2雷射。 | 对比文件直接列举了CO2激光和UV激光作为可用的激光类型，与目标专利的技术方案相同。因此直接公开。 |
| 技术特征J：其中，所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长【未公开】 | 对比文件仅提到UV激光，但未给出其波长范围。 | 目标专利限定了UV激光的具体波长范围，但对比文件未提供任何关于UV激光波长的信息。本领域技术人员不能从对比文件直接或间接得出该范围。因此未公开。 |
| 技术特征K：其中，所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长【直接公开】 | 实施例中：“雷射波長：9.4μm”（见说明书实施方式部分），且CO2激光波长通常在此范围内。 | 对比文件实施例明确使用CO2激光且波长9.4μm，完全落入9.0-10.9μm范围。因此直接公开。 |
| 技术特征L：其中，使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行【隐含公开】 | 对比文件描述了切条机中偏光薄膜连续移动，雷射切割装置固定，照射一次形成缝隙（见附图4及说明）。其切割过程为单次通过切割，相当于单一切割系统。虽未明确使用“单一切割系统”术语，但所描述的工艺实质上即为单次扫描切割。 | 目标专利中单一切割系统指激光束移动一次完成切割，对比文件中的连续移动切割方式必然使激光束相对偏光薄膜一次通过完成切割。本领域技术人员可以合理推断该切割方式属于单一切割系统。且试误认为多重系统也可适用，但对比文件未排除多重，故可认为至少隐含公开了单一切割系统。因此隐含公开。 |
| 技术特征M：其中，所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度【直接公开】 | 实施例中：“COP(環烯烴聚合物)薄膜(70μm)”（见说明书实施方式部分）。70μm落在10-80μm范围内。 | 对比文件直接给出了COP薄膜的厚度为70μm，完全在目标专利的范围内。因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中，所述偏光板具有50微米至250微米的厚度【未公开】 | 对比文件公开偏光薄膜总厚度为100μm以上、500μm以下（见说明书第[0023]段），实施例总厚度约278μm，超出250μm。 | 目标专利限定的50-250μm范围与对比文件公开的100-500μm虽有重叠，但对比文件未明确公开50-250μm这一更窄的范围，也未提供任何教导或启示以选择该范围。本领域技术人员不能从对比文件得到该特征。因此未公开。 |
根据以上分析，直接公开的特征有：F、I、K、M；隐含公开的特征有：L。其余特征均未公开。
<<<F>>><<<I>>><<<K>>><<<M>>><<<l>>>