对比文件的名称：2012-07-05_JP2012128168A_发明专利_JP2012128168A Antireflection film
目标专利的名称：1668减反射膜和显示装置CN108027456B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：硬涂层 **《直接公开》** | 段落[0014]-[0015]：“上記発明においては、上記易接着層および上記反射防止層の間に、機能層が形成されていることが好ましい。 上記発明においては、上記機能層が、ハードコート層、プライマー層または帯電防止層であることが好ましい。”<br>（翻译：在上述发明中，优选在上述易接着层和上述反射防止层之间形成功能层。在上述发明中，上述功能层优选为硬涂层、底漆层或抗静电层。） | 对比文件明确公开了减反射膜可以包括硬涂层作为功能层，本领域技术人员由此可以直接且毫无疑义地得到技术方案包含硬涂层，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述硬涂层上形成的低折射率层 **《未公开》** | 对比文件未公开“低折射率层”。其反射防止层为具有微细凹凸的层，通过蛾眼结构实现防反射，并非单独的低折射率层。 | 对比文件公开的是在硬涂层（如果存在）上形成反射防止层，该反射防止层不具有低折射率层（通常为涂层）的结构和功能，因此技术特征B未被公开。 |
| 技术特征C：所述减反射膜的表面的凹凸形状的粗糙度偏度(Rsk)大于0.5且小于5 **《未公开》** | 对比文件全文未提及粗糙度偏度(Rsk)及其数值。 | 对比文件未涉及Rsk参数，也不存在任何可必然推导Rsk落在所述范围的教导，因此技术特征C未被公开。 |
| 技术特征D：所述表面的凹凸形状的倾斜角大于0.01度且小于0.2度 **《未公开》** | 对比文件公开了本体部的锥角（テーパー角度）为50°～87°（段落[0016]等），未公开0.01°～0.2°的微小倾斜角。 | 目标专利的倾斜角定义与对比文件的锥角在物理含义和数值上均完全不同，对比文件未公开该特征，因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：所述硬涂层包含含有可光聚合的化合物的(共)聚合物的粘合剂树脂和分散在所述粘合剂树脂中的有机或无机微粒 **《未公开》** | 段落[0071]：“このようなハードコート層、プライマー層または帯電防止層を構成する材料は、上述した反射防止層と同じ樹脂および適宜用いられる添加剤からなるものである。”<br>（翻译：构成这种硬涂层、底漆层或抗静电层的材料由与上述反射防止层相同的树脂和适当使用的添加剂组成。） | 对比文件仅指出硬涂层材料与反射防止层相同（可光固化树脂），但未明确硬涂层中含有有机或无机微粒。反射防止层本身也不含微粒，因此技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述有机或无机微粒的粒径为1μm至5μm **《未公开》** | 对比文件未提及硬涂层中微粒的粒径。 | 对比文件既未公开硬涂层含微粒，更未公开其粒径范围，因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述硬涂层的厚度大于5μm且小于10μm **《直接公开》** | 段落[0072]：“上記ハードコート層、プライマー層または帯電防止層の厚みは、０．０５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、０．１μｍ〜３０μｍの範囲内であることがより好ましく、１μｍ〜２０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。”<br>（翻译：上述硬涂层、底漆层或抗静电层的厚度优选在0.05μm至50μm范围内，更优选在0.1μm至30μm范围内，进一步优选在1μm至20μm范围内。） | 对比文件给出了硬涂层厚度的优选范围（1‑20μm），该范围完整落入5‑10μm的子区间，本领域技术人员可毫无疑义地确定该厚度包含大于5μm且小于10μm的情况。因此技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：所述减反射膜的表面的凹凸形状的粗糙度偏度(Rsk)和倾斜角是通过非接触式表面形状测量仪(3D光学轮廓仪)测量的结果 **《未公开》** | 对比文件采用扫描电子显微镜（SEM）观察截面（段落[評価1][評価2]），未使用非接触式3D光学轮廓仪。 | 对比文件的测量手段与3D光学轮廓仪完全不同，且未公开任何与Rsk和倾斜角相关的测量，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述减反射膜在380nm至780nm的波长范围内的平均反射率小于4％ **《直接公开》** | 实施例1‑1：“５°正反射率は０．６％であった。”实施例1‑2：“０．８％”，实施例1‑3：“０．６％”，实施例2‑1：“１．０％”。（在[評価2]部分） | 对比文件实施例中测得的5°正反射率均远低于4%（0.6%‑1.0%），且测量涵盖可见光区域，本领域技术人员可以直接确定该膜在380‑780nm的反射率小于4%。因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：所述减反射膜的内部雾度大于0且小于10％ **《未公开》** | 对比文件未提及内部雾度。 | 对比文件既无内部雾度的概念，也未公开任何相关数值，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：所述减反射膜的外部雾度大于0且小于0.5％ **《未公开》** | 对比文件未提及外部雾度。 | 对比文件既无外部雾度的概念，也未公开任何相关数值，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：基于100重量份的所述可光聚合的化合物的(共)聚合物，所述硬涂层包含1重量份至20重量份的所述有机或无机微粒 **《未公开》** | 对比文件未公开硬涂层中微粒的含量。 | 对比文件未公开微粒的存在，更未公开其相对含量，因此技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：基于所述有机或无机微粒以及无机纳米粒子的总重量，所述硬涂层还包含3重量％至10重量％的直径为1nm至50nm的无机纳米粒子 **《未公开》** | 对比文件未公开硬涂层中的无机纳米粒子及其含量。 | 对比文件未提及硬涂层含有1‑50nm的无机纳米粒子，也未公开任何含量比例，因此技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：所述硬涂层还包含直径大于50nm且为120nm以下的无机纳米粒子 **《未公开》** | 对比文件未公开硬涂层中的无机纳米粒子。 | 对比文件未公开硬涂层含有该尺寸的无机纳米粒子，因此技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：所述低折射率层包含：粘合剂树脂 **《未公开》** | 对比文件未公开低折射率层的概念，其反射防止层由可光固化树脂整体构成，不称为粘合剂树脂。 | 对比文件没有低折射率层，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：该粘合剂树脂包含可光聚合的化合物、含有光反应性官能团的氟系化合物和被至少一个反应性官能团取代的聚倍半硅氧烷之间的交联聚合物 **《未公开》** | 对比文件未公开该特定的交联聚合物组合。 | 对比文件未涉及氟系化合物和聚倍半硅氧烷，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：分散在所述粘合剂树脂中的无机微粒 **《未公开》** | 对比文件未公开低折射率层中的无机微粒。 | 对比文件未公开低折射率层含有无机微粒，因此技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：在所述聚倍半硅氧烷上取代的反应性官能团包括选自醇、胺、羧酸、环氧化物、酰亚胺、(甲基)丙烯酸酯、腈、降冰片烯、烯烃、聚乙二醇、硫醇和乙烯基中的至少一种官能团 **《未公开》** | 对比文件未公开任何聚倍半硅氧烷及其官能团。 | 对比文件全文未出现聚倍半硅氧烷，因此技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：所述被至少一个反应性官能团取代的聚倍半硅氧烷还被选自具有1至30个碳原子的直链或支链烷基、具有6至30个碳原子的环烷基和具有6至30个碳原子的芳基中的至少一个非反应性官能团取代 **《未公开》** | 对比文件未公开聚倍半硅氧烷的非反应性官能团。 | 同特征R，对比文件未涉及，因此技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：所述被至少一个反应性官能团取代的聚倍半硅氧烷包括被至少一个反应性官能团取代的具有笼形结构的多面体低聚倍半硅氧烷 **《未公开》** | 对比文件未公开笼形多面体低聚倍半硅氧烷。 | 对比文件未涉及，因此技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：所述具有笼形结构的多面体低聚倍半硅氧烷的至少一个硅原子被反应性官能团取代 **《未公开》** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：未被反应性官能团取代的其余硅原子被非反应性官能团取代 **《未公开》** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及，因此技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：在所述聚倍半硅氧烷上取代的反应性官能团与非反应性官能团的摩尔比为0.20以上 **《未公开》** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及，因此技术特征W未被公开。 |
| 技术特征X：所述可光聚合的化合物包含含有(甲基)丙烯酸酯基或乙烯基的单体或低聚物 **《未公开》** | 对比文件反射防止层材料包含多官能(甲基)丙烯酸酯（段落[0057]等）。 | 对比文件公开的(甲基)丙烯酸酯类单体用于反射防止层，而非低折射率层。在目标专利的权利要求上下文中，特征X属于低折射率层的组分限定，因此技术特征X未被公开。 |
| 技术特征Y：所述氟系化合物中含有的光反应性官能团是选自(甲基)丙烯酸酯基、环氧基、乙烯基和硫醇基中的至少一种 **《未公开》** | 对比文件未公开低折射率层中的氟系化合物。 | 对比文件未涉及该特定化合物，因此技术特征Y未被公开。 |
| 技术特征Z：所述无机微粒是数均粒径为10nm至100nm的中空二氧化硅粒子 **《未公开》** | 对比文件易接着层提及可包含具有空隙的微粒子（如中空二氧化硅，段落[0043]），但非低折射率层。 | 目标专利的特征Z限定的是低折射率层中的特定无机微粒，对比文件未公开低折射率层及其中空二氧化硅，因此技术特征Z未被公开。 |
根据上述比对结果，对比文件直接公开了技术特征A、G、I，未直接公开或隐含公开其余技术特征。
<<<A>>><<<G>>><<<I>>>