对比文件名称：1999-08-31_None_发明专利_JPH11237744A Device and method for exposure
目标专利名称：1671形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体CN105980935B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1 (模拟)
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，含段落编号） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层<br>《隐含公开》 | [0039]：将第一直线图案转印到基板上的第一感光层上，经过显影、蚀刻等工序，形成期望材料的图案……其中至少包括通过显影使第一感光层的转印图案显现的步骤……<br>[0136]：使用**正型**光刻胶作为抗蚀膜时，可以制造具有格子状图案的基板…… | 对比文件明确公开了在基板上形成第一感光层（光敏材料层）并使用正型光刻胶（相当于第一正型光敏材料层）。虽然未直接写明“导电层”，但结合其形成电极图案（格子状图案用于显示器等电极）以及后续蚀刻步骤，本领域技术人员可合理推断基板表面必然存在待蚀刻的导电层（如金属或透明导电氧化物）。因此导电层虽未明示，但属合理隐含，故技术特征A被隐含公开。 |
| **技术特征B**：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上<br>未公开 | [0055]：掩模10A相对于基板1A以保持**不接触**的微小间隙（0.05‑0.5mm）的方式设置。 | 对比文件明确采用非接触式近接曝光，掩模与光敏材料层上表面保持微小间隙（0.05‑0.5mm），而非接触。目标专利要求掩模与光敏层“接触”，接触与非接触在曝光机理（如相移效应）、图案分辨率等方面存在本质差异，对比文件未给出任何接触方式的技术启示或替代方案。故该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C**：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层<br>《直接公开》 | [0039]：……通过**显影**使第一感光层的转印图案**显现**（即形成第一光敏材料图案层）。<br>在本领域常规操作中，曝光后必然先移除掩模再进行显影。 | 对比文件明确公开了显影步骤以形成第一感光层的图案（显现）。虽然未在每一处单独说明“去除掩模”，但显影前掩模必须与基板分离，这是本领域技术人员毫无疑义的基本操作。因此该技术特征在整体上被直接公开。 |
| **技术特征D**：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层<br>未公开 | [0039]仅记载显影后直接在第一图案层上形成第二感光层（见下文特征E），未提及任何固化步骤。 | 目标专利中的固化（通常为加热）用于提高图案层稳定性，防止后续涂布第二光敏层时被破坏。对比文件在显影后直接涂布第二感光层，未给出任何关于固化处理或类似稳定化步骤的暗示。本领域技术人员不能从对比文件合理推出必须包含固化步骤，故该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层<br>《直接公开》 | [0039]：在转印图案**显现的第一感光层**（即第一图案层）**之上形成第二感光层**……<br>[0136]：使用正型光刻胶……（隐含第二感光层也为正型可能性，但未指定；但无否定）。 | 对比文件明确公开了在形成并显影第一感光层图案之后，在其上覆盖第二感光层。虽然未在每一步强调“正型”，但基于整体方案（第一感光层为正型）及正型光刻胶在形成格子状图案中的普遍使用，本领域技术人员可合理理解第二感光层也可以选用正型材料。导电层同特征A隐含。故该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征F**：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层<br>未公开 | [0039]：将与第一直线图案**正交**的方向延伸的第二直线图案通过**曝光**转印到第二感光层……<br>[0055]：掩模与基板保持**不接触**间隙（同特征B）。 | 对比文件公开了第二次曝光使用与第一图案正交的线形图案（即交叉），并且通过曝光转印第二图案。但是，该第二次曝光同样采用非接触方式（同特征B），目标专利要求掩模与光敏层“接触”。接触是实现亚微米线宽相移光刻的关键条件，对比文件未克服该差异。因此本技术特征整体未被公开（仅交叉图案概念公开，但关键步骤“接触”缺失）。 |
| **技术特征G**：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分<br>《直接公开》 | [0039]：……经过**显影、蚀刻**等工序，形成期望材料的图案……（含蚀刻步骤）。[0135]‑[0136]亦提到蚀刻。 | 对比文件多次公开对基板上的材料层进行蚀刻以形成最终图案。虽未明确限定仅蚀刻“导电层”，但结合其形成电极图案的目及导电层隐含存在，蚀刻的对象实质上就是导电层上未被光敏图案覆盖的区域。故蚀刻步骤被直接公开。 |
| **技术特征H**：f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下<br>未公开 | [0039]未提及去除光刻胶步骤；[0136]形成的格子状图案线宽为常规微米级（图案间距80μm，线宽 40μm），未涉及亚微米。 | 对比文件描述的格子状图案线宽明显在微米量级（由40μm线宽可见），远大于900nm；且其采用的近接非接触光刻技术无法达到100‑900nm的亚微米线宽。目标专利通过相移接触光刻实现极细线宽，对比文件未公开任何亚微米线宽图案或制造方法。去除光刻胶虽为常规操作，但线宽范围这一核心参数完全缺失，故整个技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层<br>未公开 | 对比文件仅涉及两次光刻（第一方向和第二方向）形成格子状图案，从未提及第三层光敏材料的形成。 | 对比文件的格子状图案仅通过两次正交曝光完成，没有教导或暗示需要第三次涂布光刻胶或进行第三次图案化。目标专利额外加入第三层（如路由器图案），对比文件未公开相关内容，因此未被公开。 |
| **技术特征J**：在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层<br>未公开 | 同特征I，对比文件无第三次图案化步骤。 | 无公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下<br>未公开 | 对比文件未给出掩模线形图案的线宽范围；其实施例中掩模线宽约40μm（对应于图案线宽），但未限定为2‑500μm整体范围。 | 目标专利限定了透明光掩模线形图案的线宽范围为2‑500μm，该范围仅作为后续导电网格线宽决定的参数之一。对比文件虽可能隐含某些设计值，但未以任何形式公开该特定范围，因此未被公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金<br>未公开 | 对比文件未指定导电层具体材料，仅提及通过蚀刻形成“期望材料的图案”。 | 对比文件主要描述图案转印方法，未涉及导电层材料成分，因此未公开该项特征。 |
| **技术特征M**：其中，所述导电层包括透明金属氧化物<br>未公开 | 对比文件未提及透明金属氧化物。 | 无公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)……中的至少一种<br>未公开 | 对比文件未列出任何透明金属氧化物的种类。 | 无公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物……中的至少一种<br>未公开 | [0049]：掩模10A在**透明玻璃基板10**上形成有图案11。 | 对比文件明确采用刚性透明玻璃作为掩模基板，并非目标专利中所述的柔性聚合物材料（PDMS、PMMA等）。材料性质不同，且未公开聚合物类掩模的任何特征。因此未被公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下<br>未公开 | 对比文件未提及导电层的厚度范围。 | 无公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下<br>未公开 | 对比文件未提及光敏材料层的具体厚度数值。 | 无公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述步骤b‑1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm²以上200mJ/cm²以下的紫外线照射至该透明光掩模上<br>未公开 | 对比文件未提及紫外线的具体强度范围，也未指定接触方式（已确认非接触）。 | 对比文件未公开接触步骤，也未公开曝光剂量范围，因此未被公开。 |
| **技术特征S**：其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法<br>未公开 | 对比文件未描述导电层的形成方法。 | 无公开。 |
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