对比文件的名称：2000-12-26_JP2000357736A_发明专利_JP2000357736A Semiconductor device and manufacture thereof
目标专利的名称：1671形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体CN105980935B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层 【不公开】 | 对比文件[0021]记载：在形成第一金属配线层30（例如WSi）后，在其上形成层间绝缘层31（SiO₂约500nm），然后在绝缘层上形成掩模层32（Si₃N₄约50nm），之后在掩模层上涂布光致抗蚀剂至约300nm厚度，通过具有线性图案的玻璃掩模进行光刻，形成线性光致抗蚀剂33-1。 | 对比文件的光致抗蚀剂形成在掩模层（Si₃N₄）上，掩模层之下还有层间绝缘层，并非直接形成在导电层上。目标专利要求直接在导电层上形成第一正型光敏材料层。对比文件没有公开或暗示在导电层上直接涂布光敏材料，整体工艺路径不同，因此特征A未被公开。 |
| 技术特征B：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至透明光掩模上 【不公开】 | 对比文件[0021]记载“直線状のパターンのガラスマスクを用いたリソグラフィ”（使用具有线性图案的玻璃掩模进行光刻）。未提及透明光掩模（如PDMS类软掩模），也未明确掩模与光刻胶表面接触。 | 目标专利使用刻有线形图案的透明光掩模（优选相移软掩模）并与光敏材料层接触，利用相移效应在接触界面形成近场图案，实现次微米线宽。对比文件使用传统的玻璃掩模（硬质、不透光区域有铬层），且未描述接触式曝光，技术原理不同。因此特征B未被公开。 |
| 技术特征C：b-2)去除透明光掩模，使用显影剂使第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层 【隐含公开】 | 对比文件[0021]记载“リソグラフィにより、直線状のフォトレジスト33-1をマスク層32の上に転写する”（通过光刻将线性光致抗蚀剂33-1转印到掩模层32上）；[0022]显示以该光致抗蚀剂为掩模进行蚀刻。光刻必然包括曝光后去除掩模、显影等步骤。 | 对比文件的光刻工艺隐含了去除掩模（玻璃掩模）和显影步骤，否则无法形成图案。光致抗蚀剂可以为正型。目标专利的b-2)步骤与标准光刻流程一致，本领域技术人员根据对比文件的公开可以合理推断出存在这些操作。因此特征C被隐含公开。 |
| 技术特征D：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层 【不公开】 | 对比文件[0021]-[0025]中，光致抗蚀剂图案形成后直接用于后续蚀刻，未记载任何固化（如热处理）步骤。 | 目标专利的固化步骤（150~250℃热处理）用于提高第一图案层的耐化学性，确保后续涂覆第二光敏材料层时不损坏。对比文件没有描述固化，也无任何暗示需要该步骤。本领域技术人员不能从对比文件的内容必然推出固化步骤。因此特征D未公开。 |
| 技术特征E：c)在具有第一正型光敏材料图案层的导电层上形成第二正型光敏材料层 【不公开】 | 对比文件[0022-0023]记载：在第一图案化掩模层（Si₃N₄）及暴露的层间绝缘层上涂布第二光致抗蚀剂，形成正交的第二图案；[0044]虽然提到可用光致抗蚀剂代替硬掩模，但第一光致抗蚀剂仍然形成在绝缘层或半导体基板上，而非导电层。 | 特征E要求第二光敏材料层形成在“具有第一正型光敏材料图案层的导电层”上。对比文件的第一图案层位于绝缘层或基板上，且第二层覆盖层包括硬掩模表面，基底不是导电层。因此特征E未被公开。 |
| 技术特征F：d)使刻有线形图案的透明光掩模与第二正型光敏材料层的上表面接触，使得第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在导电层上形成第二正型光敏材料图案层 【不公开】 | 对比文件[0023]记载使用与第一图案正交的线性图案玻璃掩模形成第二光致抗蚀剂图案。未使用透明光掩模，未提及接触，且基底不是导电层。 | 对比文件公开了正交交叉的图案形成，但掩模类型（玻璃掩模vs透明软掩模）、曝光方式（可能为接近式vs接触式）及基底（绝缘层/半导体基板vs导电层）均与特征F不同。目标专利的透明光掩模接触曝光是实现超细线宽的关键，对比文件无此教导。因此特征F未公开。 |
| 技术特征G：e)蚀刻导电层上未形成第一正型光敏材料图案层和第二正型光敏材料图案层的部分 【不公开】 | 对比文件[0024]等：以掩模层为掩模蚀刻层间绝缘层（SiO₂）或半导体基板（Si），形成接触孔或沟槽，蚀刻对象为非导电层。 | 目标专利蚀刻导电层以形成导电网格，对比文件蚀刻绝缘层或基板以形成孔/沟槽，蚀刻目的和对象完全不同。对比文件没有公开蚀刻导电层。因此特征G未公开。 |
| 技术特征H：f)去除第一正型光敏材料图案层和第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下 【不公开】 | 对比文件[0025]、[0033]、[0042]去除掩模层（光致抗蚀剂、Si₃N₄等）后显露的是接触孔或沟槽，并非导电网格图案；[0012]提到孔边长和间隔可做到0.2μm以下（约200nm以下），但未涉及导电网格线宽范围。 | 对比文件得到的是绝缘层中的孔或基板中的沟槽，不是导电网格。也没有公开导电网格的线宽范围（100-900nm）。因此特征H未公开。 |
| 技术特征I：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有第一正型光敏材料图案层和第二正型光敏材料图案层的导电层上形成第三正型光敏材料层 【不公开】 | 对比文件全文仅涉及两层掩模的叠加工艺，未提及形成第三光敏材料层的任何内容。 | 目标专利的第三层可用于形成路由器图案等。对比文件没有公开第三层的存在，因此特征I未公开。 |
| 技术特征J：在导电层上形成第三正型光敏材料图案层 【不公开】 | 对比文件无相关记载。 | 同特征I，无公开。 |
| 技术特征K：透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下 【不公开】 | 对比文件未定义透明光掩模线宽，玻璃掩模的线宽在实施例中对应于所期望的孔一边长度，但未说明具体数值范围。 | 特征K涉及透明光掩模的线宽范围，对比文件未使用该种掩模，也未公开其线宽范围。因此特征K未公开。 |
| 技术特征L：导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金 【不公开】 | 对比文件[0021]使用WSi（硅化钨）作为导电层。WSi中含有非金属Si，不属于特征L列举的金属或合金（两种以上金属的合金要求金属元素）。 | 特征L限定了导电层材料为特定的金属或金属合金。对比文件的WSi是金属硅化物，不在列举范围内。因此特征L未公开。 |
| 技术特征M：导电层包括透明金属氧化物 【不公开】 | 对比文件未使用透明金属氧化物，导电层为WSi（不透明）。 | 对比文件没有透明金属氧化物导电层。特征M未公开。 |
| 技术特征N：导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种 【不公开】 | 对比文件未使用上述任何透明氧化物导电层。 | 无公开。 |
| 技术特征O：透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种 【不公开】 | 对比文件使用玻璃掩模，非上述聚合物材料。 | 特征O限定透明光掩模材料为特定聚合物，对比文件未使用这类材料。因此特征O未公开。 |
| 技术特征P：导电层的厚度是5nm以上10μm以下 【不公开】 | 对比文件未给出导电层（第一金属配线层）的具体厚度范围。沉积厚度虽有常规值，但未公开。 | 特征P要求导电层厚度在特定范围，对比文件未公开该厚度范围，且未提供直接对应的厚度数值。因此特征P未公开。 |
| 技术特征Q：第一正型光敏材料层和第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下 【隐含公开】 | 对比文件[0021]记载“フォトレジストを300nm程度の膜厚に塗布”（涂布光致抗蚀剂至约300nm厚度）；[0023]“再度フォトレジストを300nm程度の膜厚に塗布”（再次涂布光致抗蚀剂至约300nm厚度）。300nm=0.3μm。 | 对比文件明确公开了第一和第二光致抗蚀剂层的厚度均为0.3μm，该数值落入0.01μm至10μm的范围内。虽然未明示该范围，但本领域技术人员可以认识到这两个层的厚度满足该范围条件。因此特征Q被隐含公开。 |
| 技术特征R：步骤b-1)和d)分别包括在使透明光掩模与第一正型光敏材料层或第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm²以上200mJ/cm²以下的紫外线照射至透明光掩模上 【不公开】 | 对比文件未记载紫外线照射强度，也未描述接触式曝光及相应的能量参数。 | 特征R限定了UV强度范围和接触曝光操作。对比文件没有公开任何UV强度数值，也未提及接触方式。因此特征R未公开。 |
| 技术特征S：在步骤a)中，形成导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法 【直接公开】 | 对比文件[0021]记载“第１の金属配線層３０として例えばＷＳｉをスパッタリング法などにより堆積する。”（通过溅射法沉积WSi作为第一金属配线层30）。 | 对比文件明确公开了使用溅镀（溅射）法形成导电层（金属配线层）。溅镀是特征S所列举方法之一，因此对于该具体方法，特征S被直接公开。 |
### 公开性代码汇总
根据对比文件公开情况，以下特征被直接公开或隐含公开：
- 技术特征C：隐含公开 → 代码 **<<<c>>>**
- 技术特征Q：隐含公开 → 代码 **<<<q>>>**
- 技术特征S：直接公开 → 代码 **<<<S>>>**
其他技术特征未被对比文件直接或隐含公开，故不插入对应代码。
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