一种制造导电网格图案的方法，包括，a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层；b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上；b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层；以及b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层；c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层；d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层；e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分；以及f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下

# 专利代理师答复与创造性分析报告

**致：** 咨询人/委托人

**由：** 经验丰富的专利代理师

**日期：** 2023年10月27日

**主题：** 针对导电网格图案制造方法专利权利要求的创造性分析及检索策略报告

作为一名经验丰富的专利代理师，我已仔细审阅了目标专利说明书（CN105980935B）、权利要求1文件以及提供的对比文件D1（US6753131B1）。

本报告将紧密结合目标专利说明书的公开内容来解释权利要求1，通过与对比文件原文的详细比对，分析各技术特征的公开情况，确定最接近的对比文件，指出无效请求中的薄弱环节，并提供进一步的检索策略。

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## 第一部分：权利要求解释

在进行比对之前，结合目标专利（CN105980935B，下称“目标专利”）说明书对权利要求1中的关键术语和步骤进行解释，以确定其保护范围。

1. **“导电网格图案”**：根据说明书\[0150\]段，“网格”是指网形，包括两条或更多条线交叉的形状和正交网格图案。

2. **“第一/第二正型光敏材料层”**：权利要求限制为“正型”。说明书\[0077\]段提到光敏材料组合物可以是正型或负型，实施例1中使用的是正型光敏材料AZ1512。正型光敏材料的特性是曝光部分在显影时被去除。

3. **“刻有线形图案的透明光掩模”**：根据说明书\[0026\]、\[0082\]段，这具体指“软相位差掩模”或“相位差软掩模”，是由具有凹凸形状和次微米尺寸周期的软材料（如PDMS）制成的**接触掩模**。

4. **步骤b-1) “接触接触”后“照射紫外线”**：结合说明书\[0058\]-\[0060\]段及图1、图2，这是核心步骤。利用**相移光刻（Phase-shift lithography）**原理，在透明柔性接触掩模的凸凹图案边界界面处，利用介质与空气的折射率差异产生相位差，导致局部产生破坏性干扰，形成UV光强度接近0的零点。

5. **步骤c)、d) “在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层”并再次接触曝光交叉图案**：这是本发明的核心工艺创新。根据说明书\[0029\]-\[0033\]段及图3，现有的相移光刻难以直接制造交叉网格（因为图案会封闭），除非掩模凸出图案间距小于1μm，这需要昂贵的电子束设备。本发明通过**两次独立的光刻工艺**（步骤b和步骤d），第二次掩模旋转90度（实施例1），使两条线形图案交叉，从而在不使用昂贵次微米掩模的情况下实现次微米网格。

6. **“线宽是100nm以上900nm以下”**：指最终形成的导电线形的宽度，属于次微米规格。

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## 第二部分：技术特征比对表格

以下将权利要求1的技术特征与对比文件D1（US6753131B1）的原文进行详细比对。

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## 第三部分：创造性分析报告

### 1. 最接近的对比文件确定

本案中，**对比文件D1（US6753131B1）适合作为创造性分析过程中最接近的对比文件**。

* **领域和技术问题相同**：目标专利与D1均属于微纳加工/光刻技术领域。目标专利旨在解决如何以低成本、简单工艺制造具有次微米级线宽的超细网格结构（说明书\[0014\]）。D1旨在解决提供简化、廉价的相移光刻掩模和技术，以制造纳米级微细特征（D1第2列第38-45行，Summary section）。两者解决的技术问题高度近似。

* **技术方案最接近**：如特征比对表格所示，D1公开了权利要求1中除**涉及“第二正型光敏材料层”的双重图形工艺（特征E和F）**以及明确的“导电层”之外的大部分技术特征。特别是，目标专利的核心原理——使用柔性软掩模进行接触式相移光刻——在D1中得到了完整的公开（特征B、C）。D1也展示了制造小于100nm线宽图案的能力（特征H）。

* **技术效果近似**：D1同样实现了在不使用昂贵的极紫外光源的情况下获得次微米级图案的效果（目标专利说明书\[0059\]，D1第2列第18-25行提到的投影光刻需要复杂光学系统的缺点）。

因此，D1奠定了目标专利的技术基础，是进行创造性评述的最佳起点。

### 2. 区别技术特征及实际解决的技术问题

将权利要求1与D1比对，区别技术特征在于：

1. **特征A/E：** 明确基板上包括“导电层”，且在第一光敏图案上形成“第二正型光敏材料层”（双重图形工艺基础）。

2. **特征F：** 核心区别。在第二层光敏胶上，再次使线形透明光掩模接触，并使前后两次线形图案**交叉**，从而在导电层上形成**交叉的网格图案Mask**（D1是通过一次双重曝光形成点阵，或一次曝光形成线条）。

结合目标专利说明书\[0029\]-\[0063\]段的论述，本发明实际解决的技术问题是：**如何克服单次相移光刻在制造次微米交叉网格图案时存在的图案封闭问题（需极高精度掩模间距），从而实现低成本、大面积的次微米导电网格制造。**

### 3. 创造性评述思路（结合其他潜在对比文件）

目标专利的创造性评述重点在于：在D1已经公开接触相移光刻制造次微米线条的基础上，本领域技术人员是否有动机引入“双重图形（Double Patterning）”工艺，即涂覆第二层胶并在第一层胶图案上进行第二次交叉曝光蚀刻，以形成网格？

* **技术动机分析**：双重图形工艺（涂胶1-曝光1-显影1-涂胶2-曝光2-显影2-蚀刻）是光刻领域为了突破单次曝光分辨率极限或构造复杂图形（如交叉线）的常规手段。目标专利说明书图3也承认，直接制造掩模间距小于1μm的相移掩模来一次形成网格非常困难（图3(c)）。因此，本领域技术人员为了在D1的基础上获得交叉的次微米网格线条，有动机采用两次D1所述的线形Mask曝光工艺，并进行图形叠加。

* **技术方案叠加**：如果能找到一份对比文件（设为D2），公开了在光刻工艺中，为了形成交叉网格，可以先形成第一层光刻胶图案，烘烤固化后，再涂覆第二层光刻胶，进行第二次交叉光刻。那么，将D1（软掩模接触相移光刻制造次微米线条）与D2（双重图形工艺构造交叉网格）结合，评述权利要求1的创造性将具有很高的成功率。

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## 第四部分：请求方最薄弱的技术特征

如果在无效宣告请求中，请求方仅持有对比文件D1（US6753131B1），那么针对以下技术特征的证据支持将是最薄弱的：

**特征F：使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层。**

* **理由**：

1. **工艺本质不同**：D1的实施例4（第21列第10-17行）虽然提到了将掩模旋转90度进行二次曝光，但明确指出是在“**开发（development）之前**”。这意味着D1采用的是**“双重曝光（Double Exposure）”**工艺（在同一层胶上曝光两次）。而目标专利权利要求1步骤b-2)、b-3)和c)明确限定在第一层胶“显影”并“固化”之后，再形成“第二”层胶进行光刻。这属于**“双重图形（Double Patterning）”**工艺。

2. **克服的技术困难不同**：目标专利强调是为了解决单次相移曝光因图案封闭难以形成次微米交叉网格的问题，通过两层胶叠加实现。D1并未论述双重图形工艺，也没有明确给出如何通过两层独立的胶光刻来精确构造次微米网格的教导。

* **结论**：这是专利权人必然会抓住的保护伞。如果仅凭D1，专利局可能会认为从单层胶双重曝光（D1）发明到双层胶双重图形工艺（目标专利）存在技术隔阂，具有创造性。因此，**必须检索到公开了在第一层光刻胶图案上形成第二层光刻胶并进行交叉曝光的双重图形工艺的对比文件**。

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## 第五部分：进一步检索策略

为了克服特征F处的薄弱环节，成功无效目标专利权利要求1，建议采取以下进一步检索策略：

1. **关键词组合调整**：

* **核心关键词**：相移光刻 (Phase Shift Lithography/PSL)、柔性/接触/软掩模 (Flexible/Contact/Soft Mask/Stamp)、PDMS、双重图形 (Double Patterning)、二次涂胶 (Second Resist Coating)、交叉图案/网格 (Cross Pattern/Grid)。

* **检索式示例**：(Phase Shift\* NEAR2 Lithography\*) AND (Double Patterning OR Second Coat\*) AND (Grid OR Cross\* OR Mesh\*) AND (Contact OR Flexible OR PDMS)。

2. **重点分类号检索**：

* **G03F7/20**：用于图案形成（Exposure）的装置或方法。

* **G03F7/00**：光刻工艺整体。

* **H01L21/027**：半导体制造中的光刻技术（常有双重图形工艺论述）。

3. **主要申请人/发明人追踪**：

* D1的发明人 **Rogers, John A.** (相移光刻领域的权威)，其后续专利/文章。

* 目标专利申请人 **LG CHEM LTD** 的相关专利家族，看其在先申请是否公开类似工艺。

* 相移光刻和大面积导电网格领域的活跃公司（如三星、富士胶片等）。

4. **非专利文献检索**：

* Rogers, John A. 等人在100nm以下相移光刻方面的学术论文（SCI/Scopus数据库），特别是涉及 Double Patterning 或图形叠加的论文。

**总结意见**：对比文件D1（US6753131B1）毫无异议公开了目标专利相移光刻的技术原理和掩模类型。无效成功的关键在于补充一份证据，证明在光刻技术中存在涂覆第二层胶在已显影的第一图案上进行交叉曝光的双重图形（Double Patterning）工艺。

以上报告供贵方决策参考。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您深度解析本案目标专利权利要求1，并结合所提供的4份对比文件进行详细的特征比对、最接近现有技术分析以及无效宣告请求的策略制定。

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## 一、 目标专利权利要求与说明书深度解读

目标专利为 **CN105980935B（形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体）**。

### 1. 核心技术问题与发明构思

* **现有技术痛点（说明书\[0012\]-\[0014\]）：** 传统的触摸屏电极多采用ITO，大面积时电阻率高且易损坏。若采用金属网格结构，当线宽较大时容易被肉眼识别或产生**莫尔效应（Moiré effect）**。但要将金属网格实现小于1微米（次微米级）的超细网格，传统方法需要依赖昂贵的超细图案设备（如电子束或离子束光刻），不仅加工成本高，而且由于需要高真空环境，难以实现大面积和自动化量产。

* **本发明解决的技术问题（说明书\[0022\]-\[0026\]）：** 本发明旨在提供一种通过**廉价、简单的光学相移光刻处理**，在无需昂贵光源和高真空设备的前提下，制造出**次微米级线宽（100nm-900nm）的超细导电网格图案**的方法，从而克服莫尔效应，提升透明度，并能轻易应用于卷对卷（Roll-to-Roll）等大面积自动化量产工艺中。

* **发明构思的实现方案：** 本发明巧妙地利用了相移光刻中透明掩模的凸凹边界会产生紫外线破坏性干涉（形成光强接近0的零点）的原理。由于直接制作次微米单元交叉的网格掩模极难且成本高昂，本发明将其拆解为**“两次正交接触曝光固化”**的组合工艺——先涂第一层正胶、接触线形掩模曝光显影固化形成一维次微米线；再涂第二层正胶，将**同款（或同类）线形掩模正交旋转后**进行第二次接触曝光显影固化。两次叠加最终在导电层上拼凑出交叉的次微米网格掩模，最后通过一次蚀刻和剥离即可得到超细网格。

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## 二、 对比文件原文深度检索与技术特征分析

针对权利要求1中拆解的 **技术特征 A 至 H**，我们引入以下4份对比文件（D1~D4）进行全面比对。各对比文件信息如下：

* **D1：** JPH11237744A (Device and method for exposure)

* **D2：** JP2000357736A (Semiconductor device and manufacture thereof)

* **D3：** US20100156840A1 (TOUCH SCREEN SENSOR HAVING VARYING SHEET RESISTANCE)

* **D4：** US20110236833A1 (Double Patterning Method)

### 1. 各对比文件的实质公开内容分析

* **D1 (JPH11237744A)：** 该文件公开了一种通过步进/移动式光刻在大型基板（如等离子显示器PDP）上形成格子状图案的露光装置和方法。

* *原文出处及内容：* 说明书\[0025\]-\[0027\]公开了“在基板上互为垂直的方向上进行露光处理从而形成格子状图案（格子状パターンが形成される）”；且其光掩模上的直线状图案是经过缩短设计的。

* *实质公开分析：* D1公开了通过**两次互为垂直（正交）的露光**来形成格子网格的思想，但其使用的是“近接配置（近接して配置）”而非“接触（contact）”，且其目的是为了解决大面积基板光掩模拼接和粉尘问题，并未涉及正型光敏材料的“固化后二层涂覆”的双重图形化交织工艺，更未涉及次微米级（100nm-900nm）相移光刻边界控宽。

* **D2 (JP2000357736A)：** 该文件公开了一种在半导体制造中形成正方形/长方形接触孔（Contact Hole）或沟槽的方法。

* *原文出处及内容：* 说明书\[0007\]-\[0009\], 附图1~5。具体公开了：在层间绝缘层上堆积第一掩模层（$Si_3N_4$），涂胶曝光显影出第一直线状抗蚀剂；然后**在此基础上再次涂胶**，做**直交的第二直线状抗蚀剂**；接着利用这两个交织的掩模层共同作为掩模去蚀刻下方的层间绝缘层，最终在绝缘层内蚀刻出由四条直交边围成的四角形接触孔。其说明书\[0010\]及\[0027\]明确指出“其一边的长度可以为0.2微米（$0.2\,\mu\text{m}$，即200nm）以下”。

* *实质公开分析：* D2毫无异议地公开了**“通过两次正交叠加油胶掩模去蚀刻下方导电/绝缘层以形成微细四角形/网格交织孔”**的工艺架构，并且其微细化尺寸（0.2微米以下）完全覆盖了目标专利的100nm-900nm范围。但D2蚀刻的是“接触孔”或“沟槽”（即去除交点处的材料），而目标专利蚀刻的是“网格以外的部分”（即保留交点和线，形成凸起的导电线网格）。

* **D3 (US20100156840A1)：** 该文件正是目标专利背景技术\[0011\]中所引用的用于解决触摸屏莫尔效应的现有技术。

* *原文出处及内容：* 全文，特别是摘要及\[0007\]-\[0008\]。公开了具有微细网格结构的触摸屏传感器，网格由金属微细线（厚度小于500nm，线宽在0.5-5微米）构成。

* *实质公开分析：* D3公开了**“通过微细金属网格来作为触摸屏的透明导电层，以消除视觉识别和降低表面电阻”**的整体技术方案。其公开了目标专利的**应用场景、产品最终形态以及部分尺寸限制**（如线宽0.5微米即500nm，落入100nm-900nm范围），但D3属于产品结构类专利，并未给出如何通过双重正敏光刻胶接触正交组合去制造这种次微米金属网格的工艺步骤。

* **D4 (US20110236833A1)：** 该文件公开了一种半导体光刻中的**双重图形化（Double Patterning）**方法，用于制造二极管存储器阵列。

* *原文出处及内容：* 说明书\[0003\], \[0010\]-\[0013\]，附图2A-2F，3A-3C。明确公开了：在底层上形成第一光刻胶层并图形化为第一方向的线条（lines 500）；**使用冻结剂（freezing reagent层113）使第一光刻胶模式不溶于溶剂**；然后在上方涂覆第二光刻胶层201，并图形化为第二方向的线条（lines 502），从而在底层上交织形成双重图形网格（photoresist grid 504）。

* *实质公开分析：* D4毫无异议地公开了**“形成第一层光胶线条 $\rightarrow$ 表面固化/冻结使其不溶于溶剂 $\rightarrow$ 涂覆第二层光胶 $\rightarrow$ 形成第二方向交叉线条 $\rightarrow$ 共同作为掩模蚀刻底层”**的完整工艺流程（双重布线法），其使用的光胶均为丙烯酸酯类（正胶常用材质），其交叉网格在蚀刻后既可用于做孔，也可用于做柱状或网格阵列，其尺寸针对32nm及以下节点。

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### 2. 技术特征比对表格

以下将目标专利权利要求1的特征 A~H 与各对比文件原文进行详细比对：

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## 三、 最接近现有技术（最接近的对比文件）的筛选与分析

在创造性分析中，选择**最接近的对比文件（D2 或 D4）**最为合适，从技术领域、解决的技术问题和技术效果层面综合考量如下：

### 1. 为什么 D4 是最适合的“最接近对比文件”？

* **整体技术架构与工艺流程完全等同：** D4 属于半导体光刻图形化技术领域。其核心技术方案是**“第一层光胶线条 $\rightarrow$ 表面化学冻结固化 $\rightarrow$ 第二层光胶布线 $\rightarrow$ 正交/交叉重叠形成网格 $\rightarrow$ 统一蚀刻底层”**。这一工艺流向与目标专利权利要求1的步骤 a $\rightarrow$ b-1 $\rightarrow$ b-2 $\rightarrow$ b-3 $\rightarrow$ c $\rightarrow$ d $\rightarrow$ e $\rightarrow$ f 在**构思上完全一致**。

* **解决的技术问题与效果具有高度共性：** 两者都是为了解决**“如何在不诉诸极高昂的光源设备（如超高NA、EUV）的前提下，实现超越常规光刻极限的超细次微米级/纳米级网格交织图形化”**。目标专利利用“软掩模接触相移破坏性干涉边界”获得微细化，而D4通过“双重图形化（Double Patterning）”放宽了单次光掩模的节距要求。两者在降低加工设备成本、实现超微细化掩模交织的技术效果上完全方向一致。

### 2. 为什么 D2 也可以作为“最接近对比文件”？

* **掩模叠加思想的先驱：** D2 同样公开了通过两层正交线条掩模叠加去蚀刻出微细四角形图案的方案。

* **技术尺寸完美契合：** D2 明确指出了该工艺形成的四角形边长（对应目标专利的网格线宽）在 **$0.2\,\mu\text{m}$（200nm）以下**，这与目标专利的 100nm-900nm 属于同一技术量级。

* **不足之处：** D2 第一层图形的固定是靠“将第一层光胶图案转印给氮化硅硬掩模层，再剥离光胶涂第二层胶”来实现的，即它是“光胶与硬掩模的实体交织”，而目标专利是“第一层光胶图案直接固化后，与第二层光胶直接交织”，在具体工艺细节上，D4 比 D2 更接近目标专利。

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## 四、 结合其他对比文件的创造性评述（组合分析）

如果以 **D4（或D2）** 作为最接近的对比文件，目标专利权利要求1的核心架构已被完全公开。下面进行技术特征的组合审查：

### 1. 独立权利要求1的技术特征是否已被全部公开？

* **最接近对比文件（D4）公开了：** 特征 A、C、D、E、F、G，以及特征 B 中的“双向露光图形化线条”、特征 H 中的“去除光胶掩模”和“次微米级/纳米级尺寸（96nm）”。

* **D4 未直接指明、但被其他对比文件公开的特征：**

1. **“接触式光刻/相移软掩模”（特征B中提及的掩模接触）：** 目标专利利用软相移掩模接触产生相位差零点来控宽。而这一“相移软光刻”机制在技术领域内本身属于公知常识，且 **D1** 中已经提示了使用直线状掩模在基板上进行贴近/近接露光。

2. **“制造导电网格图案用于触摸屏”（特征H的应用背景）：** D4 的底层用于半导体二极管阵列。但将这种通过双重布线法制造出来的金属交叉微细网格用于**“触摸屏传感器的透明电极以消除莫尔效应并降低表面电阻”**，这已经是 **D3** 的核心发明内容（D3公开了线宽0.5微米的金属网格用于触摸屏）。

### 2. 创造性结论

本领域技术人员在面对 D3 提出的“需要制备次微米级超细金属网格以消除莫尔效应，但高昂的超细加工设备导致成本过高”这一技术挑战时，非常容易想到从半导体先进制程技术 **D4** 中引入“双重正胶涂覆、表面冻结、正交二次曝光”的双重图形化工艺，或者引入 **D2** 的直交掩模叠加蚀刻方案。同时，由于 D4 已经实现了 96nm 的尺寸，D2 实现了 200nm 以下的尺寸，将线宽限制在 100nm-900nm 属于自然衔接的常规技术选择。

因此，**权利要求1整体上不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性**。

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## 五、 请求方面临的最薄弱技术特征与检索策略

如果您代表**无效请求方**（意图推翻该专利），虽然权利要求1胜券在握，但必须防范专利权人通过**将说明书中的某些“细节特征”限缩并入权利要求1**来反动抗辩。

### 1. 对于请求方来说最薄弱（即专利权人最稳固）的技术特征

若专利权人将以下说明书特征补入权利要求1，请求方的现有证据链将出现**最薄弱环节**：

> **“所述透明光掩模是相位差软掩模，具体为由聚二甲基硅氧烷（PDMS）类聚合物制成、凸刻有线形图案的接触掩模；利用凸凹边界处介质与空气折射率差异产生入射紫外线的相位差，通过破坏性干涉在边界处诱导近场光敏作用形成零点。”（参见说明书\[0026\], \[0082\], \[0095\]）**

* **薄弱原因分析：** D4 虽然公开了双重图形化的宏观流程，但其曝光使用的是常规半导体投影光刻（甚至浸没式光刻系统），依赖于高精度的镜头物镜体系。而目标专利在具体实施中，使用的是**“廉价的PDMS软掩模贴紧接触 + 相移干涉控宽”**。D4 和 D2 均未提及这种“软相移接触光刻”与“双重布线工艺”的结合。如果专利权人以此进行限缩，强调其“在普通无真空、廉价光源下通过软掩模接触即实现了100-900nm次微米网格”的特殊技术效果，目前的 D2、D4 证据将无法直接覆盖该工艺的本质。

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### 2. 针对薄弱环节的进一步检索策略（精准打击补强）

为了彻底封死专利权人限缩修改的退路，无效请求方必须启动**第二轮补充检索**，检索策略如下：

* **策略一：锁定“软光刻相移边界控宽”的工艺源头文献（打破特征B的隐性壁垒）**

* *检索方向：* 专门检索 **哈佛大学 George M. Whitesides 教授** 团队在 1990 年代末至 2000 年代初关于 **“软光刻 (Soft Lithography)”**、**“近场相移光刻 (Near-field phase-shifting lithography, NFPSL)”** 以及 **“PDMS phase mask”** 的基础学术论文或专利。

* *目标效果：* 证明“利用凸刻有线条的PDMS软掩模与光刻胶接触，利用空气与PDMS的折射率差在边界产生光强为0的零点，从而利用普通紫外灯就能做几百纳米的细线”这一物理机制在2014年（优先权日）前早已是软光刻领域的公知常识。

* **策略二：检索“软相移光刻 + 两次曝光/双重布线”的交叉组合文献**

* *检索关键词组合：* `("Phase-shifting microcontact" OR "PDMS mask" OR "soft lithography") AND ("double patterning" OR "two-step exposure" OR "orthogonal" OR "crossed lines")`

* *目标效果：* 寻找到在先有学者或研究机构为了做“金属网格（Mesh）”或“纳米点阵”，已经使用过同款PDMS线条掩模旋转90度做两次接触曝光的学术文献。

* **策略三：针对“卷对卷（Roll-to-Roll）”自动化工艺的补强检索**

* *检索方向：* 目标专利中提到了将PDMS软掩模包裹在圆柱形辊模具上做卷对卷大面积网格（说明书\[0026\]）。应重点检索**韩国机械研究院（KIMM）**或日本凸版印刷（Toppan）、大日本印刷（DNP）在2010-2013年间申请的关于“卷对卷连续微纳压印/连续相移光刻制造超细金属网格触摸屏”的专利，此类文献通常能精准击碎其说明书有益效果中关于“易于大面积工业化量产”的创造性辩护。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对您提出的信息化请求，结合目标专利说明书（CN105980935B）和四份对比文件进行了深入分析。以下是详细的分析报告。

### 第一部分：权利要求特征分解

目标专利仅有一项权利要求（权利要求1），其保护的是一种制造导电网格图案的方法。我们将权利要求1分解为以下技术特征，以便与对比文件进行比对：

* **特征A（前序部分+步骤a）**：一种制造导电网格图案的方法，包括，a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层；

* **特征B（步骤b-1）**：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上；

* **特征C（步骤b-2）**：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层；

* **特征D（步骤b-3）**：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层；

* **特征E（步骤c）**：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层；

* **特征F（步骤d）**：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层；

* **特征G（步骤e）**：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分；

* **特征H（步骤f）**：f)去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下。

### 第二部分：对比文件分析及特征比对

我们对四份对比文件进行了仔细研读，重点分析它们是否公开了上述技术特征。为表述简洁，在表格和分析中使用D1-D4代指各对比文件。

* **D1**: JP2012079435A

* **D2**: KR1020130044058A

* **D3**: WO2013158543A1

* **D4**: TW201351062A (注：D3和D4是同一族专利，内容实质相同，下文主要引用D3)

#### 1. 各对比文件公开特征分析

* **D1 (JP2012079435A)**

D1公开了一种通过两次曝光显影制造**缟状（条纹状）图案膜**的方法。它解决的问题是不使用缟状掩模来制造缟状图案。其核心工艺是：形成第一感光层 -> 用格子状掩模曝光 -> 将掩模移动一定距离 -> 再次曝光 -> 显影。D1虽然提到了可以先形成格子状图案（使用第二感光层，实质是第一感光层，D1措辞略显混乱，见原文段落[0007]和[0011]-[0013]），但其最终目的是制造“缟状图案”，而非目标专利的“导电网格图案”。更重要的是，D1完全没有公开在形成两层图案后去蚀刻下方的导电层（特征G）以及去除光敏材料层（特征H）的步骤。此外，D1使用的普通格子状掩模无法毫无异议地公开次微米级（100-900nm）的线宽特征。因此，**D1未实质公开目标专利的核心方案。**

* **D2 (KR1020130044058A)**

D2公开了一种纳米网格透明电极的制造方法。其工艺是：在基板上形成透明导电膜 -> 形成光刻胶图案（PR图案） -> 形成金属膜 -> 加温产生裂纹（Crack） -> 电镀填满裂纹 -> 去除PR。D2利用热胀冷缩产生的不规则裂纹来形成网格，而非使用“刻有线形图案的透明光掩模”进行**接触式**二次曝光形成交叉图案。D2虽然最后得到了网格结构，且线宽包含0.1um-10um（特征H），但其形成工艺与目标专利完全不同。特别是，D2是利用PR图案加金属膜加温裂变，而不是目标专利的分别形成两层正型光敏图案层。因此，**D2与目标专利的技术路线实质不同。**

* **D3 (WO2013158543A1) / D4 (TW201351062A)**

D3公开了一种通过**卷对卷光刻技术**制造用于透明电极或偏光片的导电栅（Grid）或网格（Mesh）结构的方法。D3明确公开了两种具体实施方式：接触式光刻（r2rCP，图1(a)）和**相移光刻（图1(b)）**。目标专利的说明书（段落[0058]、[0060]）明确指出其利用的是软相移光刻原理来获得次微米图案。

D3的相移光刻实施方式（见段落[0072]-[0076]，图1(b)和图2(a)）毫无异议地公开了：在带有导电层（412）的基板上形成光阻层（414），使用具有坚硬图案化表面的圆柱形**相移掩模（420）**进行曝光，显影形成光阻栅图案，然后进行蚀刻去除未被光阻覆盖的导电层，最后去除光阻。

关于**网格（Mesh）**图案的形成，D3明确指出了两种方式：

1. 使用**棋盘格形（checkerboard）**相移掩模一次曝光（见段落[0090]，图10(a)和(b)），理论上应生成网格，但实际上顶点会变圆且有间隙。为此，D3发明了一种修正的棋盘格掩模设计（图10(e)）以确保连接，从而形成网格。

2. 虽然D3没有显式地写出“交叉二次曝光”这几个字，但其权利要求公開了形成交叉的導電柵。在相移光刻领域，获得网格图案的标准方法之一就是将同一线形掩模旋转90度进行二次曝光。D3作为一份专注于制造网格结构（Mesh pattern）的相移光刻专利，且公开了使用线形掩模形成栅（Grating，图5）以及改进棋盘掩模形成网格（图11），对于本领域技术人员来说，D3实质上构成了对目标专利技术方案的强有力组合启示，特别是其明确公开了所有后续的蚀刻和去除步骤。

关于线宽（特征H），D3明确公开了其目的是制造纳米级（nano-scale）结构（段落[0040]），并具体给出了线宽为70nm、170nm、360nm等的示例（段落[0068]、[0090]），这些都在100nm以上900nm以下的范围内。

因此，**D3是公开特征最多、技术领域最相关的对比文件。**

#### 2. 特征比对表格

为了清晰展示各对比文件对权利要求1技术特征的公开情况，制备如下比对表。“+”表示完全公开，“+/-”表示实质公开或隐含公开，“-”表示未公开。

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### 第三部分：综合创造性分析与检索策略

基于上述特征比对，作为经验丰富的专利代理师，我将进一步回答您提出的创造性分析及策略问题。

#### 1. 最接近的对比文件 (Closest Prior Art) 分析

**最接近的对比文件：D3 (WO2013158543A1)**

* **技术领域**：完全相同。两者均属于相移光刻制造次微米/纳米级导电网格图案（用于透明电极）的领域。目标专利背景技术特别提到了使用相移光刻制造超细网格的需求（段落[0060]-[0062]），这正是D3的核心内容。

* **解决的技术问题**：完全相同。两者都致力于解决低成本、高产出量（连续卷对卷）制造具有次微米线宽、无视觉识别和莫尔效应的超细导电网格图案的问题。

* **技术效果**：非常接近。两者都成功制造出了具有极高透明度（>90%）和良好导电性的柔性次微米级网格电极。

**创造性分析逻辑：**

D3毫无异议地公开了特征A、B、C、G、H以及固化（特征D）和网格形成（实质特征F）。其与目标专利的主要区别在于：目标专利通过**两次形成感光层、二次曝光**的方式来形成交叉网格图案（特征E、特征F的部分描述）。

这种区别并不具备实质性的创造性。因为：

1. D3本身就是一份致力于生成纳米级网格（Mesh，图11）的相移光刻专利。

2. 为了获得交叉网格结构，将线掩模旋转90度进行二次曝光是本领域的**惯用技术手段**（common general knowledge）。

3. 如果选择二次曝光路线，必然隐含了形成第二层感光层（特征E）以接收第二次曝光的步骤。这纯粹是为适应惯用技术手段而做的适应性调整。

因此，**权利要求1的方案是D3结合本领域惯用技术手段（二次曝光形成交叉网格）显而易见的。**

#### 2. 无效请求中的薄弱特征

如果提出无效请求，对于请求方来说，最薄弱（最难以论证被公开）的技术特征是：

* **特征E和特征F描述的二次曝光工艺**：a)在包括导电层的基板上分别形成两层光敏层，并进行两次掩模**接触**交叉曝光。

**理由**：

虽然我们可以论证使用线掩模旋转二次曝光是惯用技术手段，从而使D3一次曝光形成网格方案（使用棋盘格掩模）的替代方案显而易见。但是，请求方需要拿出确凿的证据（如教科书或另一篇对比文件）来证明在**相移接触式光刻（近场光刻）**中，这种二次感光层、二次接触式交叉曝光的操作确实是2014年2月优先权日之前的惯用手段，且不会产生意想不到的技术困难（比如两层软掩模接触引起的层间粘连或图案损坏）。目标专利说明书（段落[0106]）还提到了固化后对图案损坏较少的效果，这可能被专利权人作为抗辩理由。

相比之下，蚀刻步骤（特征G）和次微米线宽（特征H）由于被D3完美公开，是非常强的证据点，很难被专利权人抗辩。

#### 3. 进一步检索策略

为了确保能够成功无效该专利，目前的证据在论证二次曝光、二次感光层步骤上仍有提升空间。建议进行以下进一步检索：

* **检索目的**：证明将线形掩模旋转进行二次接触式相移曝光以生成交叉网格是惯用技术手段。

* **检索方向 1：相移光刻教科书和综述论文**

* 在国际相移光刻（Phase-shift lithography）和软光刻（Soft lithography）领域的经典教科书和早于2014年的综述论文中，检索网格图案（Mesh/Grid pattern）的生成方法，寻找关于“一次棋盘格曝光 vs 线形掩模旋转二次曝光”的比对描述。这属于证据级别最高的惯用技术手段证明。

* **检索方向 2：更早的专利文件組合**

* **组合1（D3 + D1Adapt）**：D3公开了蚀刻步骤（核心）。D1（或类似的更早专利）公开了通过将格子状（D1由于自身缟状目的，使用了移动而非旋转，但思想一致，实质公开了特征F）掩模旋转90度进行再次曝光来获得图案（实质公开特征E和F）。尝试论证为解决D3图10(b)顶点连接问题，结合D1将掩模旋转（惯用）再次曝光的思想是显而易见的。

* **组合2（检索D3替代品 + 相移光刻二次曝光专利）**：继续检索D3的技术文件，看是否有同族或相关论文更明确提及二次曝光。同时，专门寻找一份早于2014年的专利，其公开了使用线掩模相移旋转二次曝光制造网格的方法（即使不是用于触摸电极，哪怕是用于光栅也可）。将此二次曝光专利与D3的蚀刻技术组合。

**总结结论**：权利要求1的实质方案（将相移光刻技术用于制造特定线宽的导电网格电极）已被对比文件D3实质公开。唯一的工艺细节差异（二次曝光工艺）属于本领域显而易见的惯用技术手段的替代。因此，权利要求1不具备创造性。

如权利要求1所述的方法，该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层；以及在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层

如权利要求1所述的方法，其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下

如权利要求1所述的方法，其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金

如权利要求1所述的方法，其中，所述导电层包括透明金属氧化物

如权利要求1所述的方法，其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种

如权利要求1所述的方法，其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种

如权利要求1所述的方法，其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下

如权利要求1所述的方法，其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下

如权利要求1所述的方法，其中，所述步骤b-1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm2以上200mJ/cm2以下的紫外线照射至该透明光掩模上

如权利要求1所述的方法，其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法