对比文件的名称：2011-09-29_JP2011191094A_发明专利_JP2011191094A Sensor unit and magnetism collecting module
目标专利的名称：1677转矩角传感器CN105865679B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 所述转矩角传感器包括（未公开） | 对比文件标题涉及“传感器单元和集磁模块”，背景及实施例均围绕转矩检测装置，未提及角度传感器或转矩角传感器整体。 | 对比文件公开的是一种用于转矩检测的集磁模块和传感器单元，目标专利的转矩角传感器必须同时包含转矩传感器单元和角度传感器单元。对比文件未给出任何角度传感器相关内容，本领域技术人员无法直接或合理推断出包括角度传感器单元的转矩角传感器，因此未公开。 |
| B: 壳体（直接公开） | “図１に示すように、集磁モジュール１は、外郭部１０と、集磁リング２０と、センサユニット３０と、シールド４０とを備えている。”（[2]段）中文：如图1所示，集磁模块1包括外郭部10、集磁环20、传感器单元30、屏蔽40。 | 外郭部10用于容纳和固定集磁环、传感器单元等部件，其功能相当于目标专利中的壳体，用于形成传感器的外部轮廓并提供安装空间。本领域技术人员可直接确定外郭部即为壳体，直接公开。 |
| C: 设置在所述壳体中的转矩传感器单元（直接公开） | “例えば、トルク検出装置は、円筒形状の円筒面にＮ極及びＳ極が交互に配置された多極マグネット、多極マグネットの外周に配置されるヨーク、ヨークの外周に配置される集磁リングなどを備えている。”（[2]段）中文：转矩检测装置具备：多极磁铁、配置在多极磁铁外周上的轭、配置在轭外周上的集磁环等。 | 对比文件公开的转矩检测装置包含多极磁铁（转矩磁体）、轭（定子）、集磁环（收集器）及传感器单元（霍尔IC和PCB），这些整体构成了转矩传感器单元。该转矩传感器单元设置在外郭部（壳体）内部，与目标专利的转矩传感器单元设置于壳体中的方式实质相同，直接公开。 |
| D: 设置在所述壳体中的角度传感器单元（未公开） | 对比文件全文未涉及角度传感器单元、齿轮、角度检测等任何与角度测量相关的部件或功能。 | 目标专利的角度传感器单元包括主齿轮、子齿轮等结构性部件用于测量角度，对比文件仅处理转矩检测，没有任何内容暗示或涉及角度传感器。因此未公开。 |
| E: 其中所述转矩传感器单元包括（直接公开） | “集磁モジュール１は、外郭部１０と、集磁リング２０と、センサユニット３０と、シールド４０とを備えている。”（[2]段）以及“センサユニット３０は、コネクタ３１、コネクタ３１の実装されたプリント基板３２、プリント基板３２に実装されるホールＩＣ３３等を備えている。”（[2]段）中文：传感器单元30具备连接器31、安装有连接器31的印刷基板32、安装于印刷基板32的霍尔IC33等。 | 对比文件明确公开了构成转矩传感器单元的基本组件：多极磁铁（转矩磁体）、轭（定子）、集磁环（收集器）、霍尔IC（磁装置）、印刷基板等，并且这些组件组成一个功能单元，能够检测转矩变化。因此直接公开了转矩传感器单元包括这些部件。 |
| F: 转矩磁体（直接公开） | “多極マグネット”（[2]段等多处），中文：多极磁铁。 | 多极磁铁在对比文件中是产生磁场的元件，其环形结构、N/S极交替配置均与目标专利的转矩磁体相同，且均用于随转向轴旋转以改变磁场，因此直接公开。 |
| G: 设置在所述转矩磁体外侧的定子（直接公开） | “多極マグネットの外周に配置されるヨーク”（[2]段），中文：配置在多极磁铁外周上的轭。 | 对比文件的轭（ヨーク）配置在多极磁铁的外周，用于导磁和形成磁路，与目标专利中设置在转矩磁体外侧的定子功能和作用完全相同，且结构位置一致。目标专利的定子包括上、下定子，轭亦具有环形齿状结构（背景技术提及“ヨーク歯部”），因此直接公开。 |
| H: 收集器（直接公开） | “ヨークの外周に配置される集磁リング”（[2]段），中文：配置在轭外周上的集磁环。 | 集磁环（集磁リング）用于收集磁束，其功能与目标专利的收集器完全一致，均为收集转矩磁体旋转引起的磁场变化。直接公开。 |
| I: 所述收集器被配置为收集响应于所述转矩磁体的旋转的磁场强度的变化（直接公开） | “集磁リングは、多極マグネットの外周のヨーク歯部を介して磁束を集める。”（[2]段），中文：集磁环通过多极磁铁外周的轭齿部收集磁束。 | 该表述明确集磁环的作用是收集磁束，且磁束的变化直接由多极磁铁（转矩磁体）的旋转引起。因此收集磁场强度变化的功能被直接公开。 |
| J: 印刷电路板（直接公开） | “プリント基板３２”（[2]段及多处），中文：印刷基板。 | 对比文件的印刷基板（プリント基板）即印刷电路板，用于安装霍尔IC和连接器，与目标专利的PCB相同，直接公开。 |
| K: 设置在所述转矩磁体的横向侧（隐含公开） | 图1、图2及描述显示传感器单元30（安装在印刷基板32上的霍尔IC等）位于集磁环20的径向外侧，而集磁环设置在轭外周，转矩磁体（多极磁铁）位于中心，因此传感器单元及印刷基板位于转矩磁体的径向方向（即横向侧）。 | 本领域技术人员从对比文件附图和说明可以合理推断，印刷基板（PCB）必然布置在转矩磁体的横向侧（径向方向），因为传感器单元整体位于集磁环的径向外侧，而集磁环又包围转矩磁体。这是实现磁检测所必需的布局，因此可以隐含公开。 |
| L: 磁装置模块（直接公开） | “プリント基板３２に実装されるホールＩＣ３３”（[2]段），中文：安装于印刷基板32的霍尔IC33。 | 霍尔IC33是一种磁电转换装置，能够检测磁束变化，相当于目标专利中的磁装置模块。尽管对比文件未使用“模块”一词，但霍尔IC作为独立元件直接实现磁检测功能，本领域技术人员可将其视为磁装置模块，直接公开。 |
| M: 耦接到所述印刷电路板并且被配置为检测由所述收集器收集的磁场强度的变化（直接公开） | “ホールＩＣ３３は、センシング素子３７が埋設された素子部３３ａを有し、集磁リングの突出部の間に配置される”（[2]段）以及“ホールＩＣ３３は、磁束を検知する”（[0012]段），中文：霍尔IC33具有埋设有传感元件37的素子部33a，配置在集磁环的突出部之间，检测磁通。 | 对比文件明确霍尔IC33安装在印刷基板32上（耦接），并用于检测集磁环（收集器）收集的磁束变化。因此检测磁场变化的功能以及耦接关系被直接公开。 |
| N: 其中所述收集器的一部分与所述磁装置模块连接（未公开） | “突出部２２とホールＩＣ３３の素子部３３ａとの間には、凹溝３８によるクリアランスが存在する”（图6b及描述），中文：突出部与霍尔IC的素子部之间通过凹沟形成间隙，并非直接连接。 | 对比文件中的突出部（收集器的一部分）与霍尔IC（磁装置模块）之间保持间隙（为了形成磁路），没有物理连接。目标专利要求收集器的一部分与磁装置模块直接连接（例如第一传输构件与磁装置模块面接触），对比文件未公开该连接关系，也未暗示可能。因此未公开。 |
| O: 所述收集器的另一部分环绕所述转矩磁体的周长的一部分（未公开） | “リング部２１は上下２段で構成され、多極マグネットの外周を取り囲む”（图2及描述），中文：环部21由上下两段构成，围绕多极磁铁的外周。 | 对比文件的集磁环环部是完整的环形结构（上下两段均完整），围绕磁铁整个周长，而非目标专利所述的“环绕周长的一部分”。目标专利的收集器为部分环状，并非完全包围。对比文件未公开部分环绕的结构，也未提供任意暗示，故未公开。 |
| P: 其中所述磁装置模块包括第一磁装置和第二磁装置（直接公开） | “ＡホールＩＣ３３とＢホールＩＣ３３”（[2]段），中文：A霍尔IC33和B霍尔IC33。 | 对比文件明确公开了两个霍尔IC，分别称为A和B，即包括第一和第二磁装置。直接公开。 |
| Q: 所述第一磁装置和所述第二磁装置独立地操作且设置于配置在一个封装模块中的磁装置模块中（未公开） | “ＡホールＩＣ３３とＢホールＩＣ３３は、プリント基板３２の表面と裏面とにそれぞれ配置され、別個の部品である。”（[2]段），中文：A霍尔IC和B霍尔IC分别配置在印刷基板的表面和背面，是独立的部件。 | 对比文件的两个霍尔IC是独立的分立元件，分别安装于PCB的两侧，并未集成在同一封装模块内。目标专利强调两个磁装置位于同一个封装模块中，对比文件未公开该集成封装形式，也未给出任何将两个分立的霍尔IC集成为一个模块的启示，因此未公开。 |
| R: 所述磁装置模块安装在PCB的远端处（未公开） | “プリント基板３２の端縁部にコネクタ３１が実装される”（[0011]段），中文：连接器安装在印刷基板的端缘部。霍尔IC的位置未限定为远端，通常在PCB中央区域。 | 对比文件虽公开了霍尔IC安装在PCB上，但未指定其是否安装在远端（即PCB远离连接器或中心的端部）。目标专利的“远端”具有特定布局意义（以减小壳体高度），对比文件没有采用或暗示该安装位置，故未公开。 |
| S: 其中所述收集器包括布置于所述定子的上侧的上收集器（隐含公开） | “上下２段のリング部２１”（[2]段），中文：上下两段的环部21。上段环部位于定子（轭）的上方。 | 对比文件的集磁环由上下两段环部组成，上段环部自然地设置于轭（定子）的上侧，起到收集上方磁束的作用。本领域技术人员结合附图和磁路设计可合理推断上段环部即为布置于定子上侧的上收集器，因此隐含公开。 |
| T: 和布置于所述定子的下侧的下收集器（隐含公开） | “上下２段のリング部２１”（[2]段），中文：上下两段的环部21。下段环部位于定子（轭）的下方。 | 同理，下段环部布置于轭的下侧，作为下收集器。隐含公开。 |
| U: 其中所述上收集器与第一传输构件一体形成（隐含公开） | “リング部２１から径外方向へ突出する突出部２２”（[2]段），中文：从环部21向径外方向突出的突出部22。突出部与环部通常一体制造。 | 对比文件的突出部22与环部21在结构上连续，通常由同一金属材料一体成型（金属冲压或拉伸），而突出部的作用是将收集的磁束导向霍尔IC，相当于目标专利的第一传输构件。本领域技术人员可合理认为环部与突出部一体形成，因此隐含公开。 |
| V: 其中所述第一传输构件的下表面与所述磁装置模块的上表面面接触（未公开） | “突出部２２とホールＩＣ３３の素子部３３ａとの間に樹脂部による凹溝３８が形成され、接触していない。”（图6b及描述），中文：突出部与霍尔IC的素子部之间形成有树脂凹沟，并非接触。 | 对比文件明确突出部（传输构件）与霍尔IC（磁装置模块）之间存在间隙，是间隔而非面接触。目标专利要求面接触以直接传递磁通，对比文件的磁路通过空气间隙完成，结构不同且未公开接触方式，故未公开。 |
| W: 其中所述下收集器与第二传输构件一体形成（隐含公开） | 同U，下段环部同样具有突出部22（第二组突出部可视为第二传输构件）。 | 下段环部及其突出部同样一体形成，对称结构。本领域技术人员可以理解下段环部与对应的突出部一体成型，作为第二传输构件，因此隐含公开。 |
| X: 其中所述第二传输构件的上表面与所述磁装置模块的下表面面接触（未公开） | 同V，下段突出部与B霍尔IC之间同样存在凹沟间隙。 | 与特征V相同理由，下侧接触同样不存在面接触，未公开。 |
| Y: 其中所述磁装置模块设置成各向异性磁阻IC和Hall IC中任一个（直接公开） | “ホールＩＣ３３”（全文多处），中文：霍尔IC。 | 对比文件使用的磁装置为霍尔IC（Hall IC），直接对应于目标专利中“Hall IC”这一选项。目标专利使用“任一个”，对比文件公开了其中一种，因此直接公开。 |
| Z: 其中所述主齿轮与所述第一子齿轮之间的转数比为1：3.7778（未公开） | 对比文件完全不涉及齿轮、角度传感器、转数比等内容。 | 目标专利的该特征属于角度传感器单元的具体参数，对比文件未记载任何齿轮或转数比相关技术，本领域技术人员无法获得该特征，故未公开。 |
根据以上比对，对比文件直接公开的技术特征有：B、C、E、F、G、H、I、J、L、M、P、Y；隐含公开的技术特征有：K、S、T、U、W。
其余特征（A、D、N、O、Q、R、V、X、Z）未被对比文件直接或隐含公开。
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